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  • [M]图解入门 半导体器件缺陷与失效分析技术精讲-9787111749622
  • 本书获得了众多专家的推荐或权威评价,许多业内人士和读者纷纷表示它是一部不可错过的佳作。
    • 作者: [日]可靠性技术丛书编辑委员会著
    • 出版社: 机械工业出版社
    • 出版时间:2024-02-01 00:00:00
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    • 作者: [日]可靠性技术丛书编辑委员会著
    • 出版社:机械工业出版社
    • 出版时间:2024-02-01 00:00:00
    • 版次:1
    • 印次:1
    • 印刷时间:2024-02-01
    • 字数:196
    • 页数:162
    • 开本:16开
    • 装帧:平装
    • ISBN:9787111749622
    • 国别/地区:中国
    • 版权提供:机械工业出版社
       本书共分为4章,内容包括半导体器件缺陷及失效分析技术概要、硅集成电路(LSI)的失效分析技术、功率器件的缺陷及失效分析技术、化合物半导体发光器件的缺陷及失效分析技术。笔者在书中各处开设了专栏,用以介绍每个领域的某些方面。在第2~4章的末尾各列入了3道例题,这些例题出自日本科学技术联盟主办的“初级可靠性技术者”资格认定考试,题型为5选1,希望大家可以利用这些例题来测试一下自身的水平。

    本书的读者包括:半导体器件工艺及器件的相关技术人员,可靠性技术人员,失效分析技术人员,试验、分析、实验的负责人,以及大学生、研究生等。因此,罗列的内容层次从基础介绍到近期新研究,覆盖范围较广。

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