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  • [M]集成电路器件抗辐射加固设计技术-9787030747143
  • 本书获得了众多专家的推荐或权威评价,许多业内人士和读者纷纷表示它是一部不可错过的佳作。
    • 作者: 闫爱斌,倪天明,黄正峰,崔杰著
    • 出版社: 科学出版社
    • 出版时间:2023-03-01 00:00:00
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    • 作者: 闫爱斌,倪天明,黄正峰,崔杰著
    • 出版社:科学出版社
    • 出版时间:2023-03-01 00:00:00
    • 版次:1
    • 字数:300000
    • 页数:224
    • 开本:B5
    • 装帧:平装
    • ISBN:9787030747143
    • 国别/地区:中国
    • 版权提供:科学出版社
    本书从集成电路器件可靠性问题出发,具体阐述了辐射环境、辐射效应、软错误和仿真工具等背景知识,详细介绍了抗辐射加固设计(RHBD)技术以及在该技术中常用的相关组件,重点针对表决器、锁存器、主从触发器和静态随机访问存储器(SRAM)单元介绍了经典的和新颖的RHBD技术,扼要描述了相关实验并给出了容错性能和开销对比分析。本书共分为6章,分别为绪论、常用的抗辐射加固设计技术及组件、表决器的抗辐射加固设计技术、锁存器的抗辐射加固设计技术、主从触发器的抗辐射加固设计技术以及SRAM单元的抗辐射加固设计技术。通过学习本书内容,读者可以强化对集成电路器件抗辐射加固设计技术的认知,了解该领域的当前近期新研究成果和相关技术。本书可供普通高等院校集成电路科学与工程、电子信息工程、微电子科学与工程、计算机科学与技术等专业的本科生和研究生阅读,也可供电路与系统研发工程师、芯片可靠性设计工程师和集成电路容错设计爱好者阅读。

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