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    • 作者: 无著
    • 出版社: 机械工业出版社
    • 出版时间:2025-04
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    • 作者: 无著
    • 出版社:机械工业出版社
    • 出版时间:2025-04
    • ISBN:9782530727376
    • 出版周期:旬刊
    • 版权提供:机械工业出版社


    商品名称:

    半导体微缩图形化与下一代光刻技术精讲

    作 者:

    [日]冈崎信次 主编 朱光耀 母春航 译

    市 场 价:

    99.00元

    ISBN 号:

    9787111777731

    出版日期:

    2025年4月

    开 本:

    16开

    出 版 社:

    机械工业出版社

    主编·作者名单
    绪言半导体微缩图形化技术与光刻技术
    1 引言
    2 微缩化的指导原则及其效果
    3 光刻技术的发展及其困难
    4 下一代光刻技术及未来发展

    第 1 章 光掩膜
    1.1引言
    1.2光掩膜的起源
    1.3光掩膜的结构
    1.4光掩膜的制造工艺
    1.5掩膜版的挑战及未来展望
    第 2 章 下一代光刻技术发展趋势
    2.1下一代光刻技术
    2.2EUV光刻技术
    2.3电子束刻蚀技术
    2.4纳米压印技术
    2.5定向自组装(DirectedSelf Assembly)技术
    第 3 章 EUV掩膜技术
    3.1EUV掩膜版制造技术
    3.2掩膜技术
    第 4 章 纳米压印技术
    4.1纳米压印设备
    4.2纳米压印模板技术
    第 5 章 电子束刻蚀技术与设备开发
    5.1可变形电子束刻蚀设备
    5.2多电子束刻蚀设备
    第 6 章 定向自组装(DSA)技术
    6.1引言
    6.2DSA技术中聚合物的自组装
    6.3DSA工艺的基本步骤
    6.4DSA工艺相关材料
    6.5DSA工艺的模拟
    6.6DSA技术的优势和挑战
    6.7结语
    第 7 章 光刻胶材料的发展趋势
    7.1引言
    7.2光刻胶技术的转折点
    7.3曝光波长的缩短和光刻胶的光吸收
    7.4显影液的演变
    7.5感光胶的感光机制演变及对比度提高
    7.6分辨率限制与分子尺寸的考察
    7.7结语
    第 8 章 含金属光刻胶材料技术
    8.1初期的含金属光刻胶
    8.2EUV含金属光刻胶的特点
    8.3康奈尔大学、昆士兰大学、EIDEC的含金属光刻胶
    8.4含金属光刻胶的构成
    8.5俄勒冈州立大学、Inpria公司、IMEC的含金属光刻胶
    8.6其他含金属光刻胶
    8.7含金属光刻胶的功能提升
    第 9 章 多重图形化中的沉积和刻蚀技术
    9.1多重图形化中沉积和刻蚀技术的作用
    9.2沉积技术
    9.3刻蚀技术
    9.4结语
    第 10 章 光散射测量技术
    10.1引言
    10.2半导体光刻技术
    10.3反射光测量技术
    10.4散射计
    10.5优化方法
    10.6光散射测量分析的实例
    10.7结语
    第 11 章 扫描探针显微镜技术
    11.1引言
    11.2AFM的原理
    11.3各种SPM技术
    11.4SPM的特点
    11.5SPM的应用
    11.6结语
    第 12 章 基于小角度X射线散射的尺寸和形状测量技术
    12.1引言
    12.2X射线散射
    12.3小角度X射线散射的测量方法
    12.4测量示例
    12.5结语
    第 13 章 MEMS技术的微缩图形化应用
    13.1引言
    13.2EUV光源滤波器
    13.3基于有源矩阵纳米硅电子源的超大规模平行电子束刻蚀
    13.4结语
    第 14 章 先进刻蚀技术概要�8�8原子级低损伤高精度刻蚀
    14.1引言
    14.2中性粒子束生成装置
    14.322nm节点之后的纵向鳍式场效应晶体管
    14.4无缺陷纳米结构及其特性
    14.5原子层面的表面化学反应控制
    14.6结语


    本书从光刻机到下一代光刻技术,从光刻胶材料到多重图形化技术,全面剖析每一步技术革新如何推动半导体产业迈向纳米级精细加工的新高度。本书共14章,内容包括光掩膜、下一代光刻技术发展趋势、EUV掩膜技术、纳米压印技术、电子束刻蚀技术与设备开发、定向自组装(DSA)技术、光刻胶材料的发展趋势、含金属光刻胶材料技术、多重图形化中的沉积和刻蚀技术、光散射测量技术、扫描探针显微镜技术、基于小角度X射线散射的尺寸和形状测量技术、MEMS技术的微缩图形化应用、原子级低损伤高精度刻蚀等。

    本书适合有一定半导体相关知识的从业者阅读。


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