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  • 漫谈光通信芯片卷 通信技术普及读物光芯片电芯片调制器激光器半导体工艺上海科学技术出版社自然科学类信息科学科普读物
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    • 作者: 匡国华著
    • 出版社: 上海科学技术出版社
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    商品参数
    • 作者: 匡国华著
    • 出版社:上海科学技术出版社
    • ISBN:9787547860359
    • 出版周期:旬刊
    • 版权提供:上海科学技术出版社
    产品展示

    基本信息
    图书名称:
     漫谈光通信·芯片卷
    作 者:
     匡国华 著
    定价:
     98.00
    ISBN号:
     9787547860359
    出版社:
     上海科学技术出版社
    开本:
     16开
    装帧:
     平装
    出版日期:
     2023-01-01
    编辑推荐
      适读人群 :相关技术人员、高校师生
    20世纪60年代发明了激光器、70年代发明了低损耗光导纤维,开启了光通信产业的大门。国际国内光通信的发展如火如荼,应用日益广泛,逐渐与普通民众的生活息息相关。本书语言诙谐,采用大量创意插图,将专业的知识通俗化,给读者以轻松愉悦的阅读体验。
    内容介绍
      光通信作为一个新兴产业,逐渐成为现代通信的主要支柱之一。本书采用通俗诙谐的语言,采用大量创意插图,深入浅出地向读者介绍光通信领域中光芯片相关理论及其技术知识,同时对光芯片及相关产品的应用、市场、历史、发展等进行了多角度解读。
     
    作者介绍
      匡国华,籍贯河北省石家庄市。毕业于电子科技大学,曾就职于华中光电技术研究所和中兴通讯,光通信行业从业近二十年,2015年创办光通信行业自媒体“光通信女人”,创号4年,平均年阅读超过300万人次,渐成为行业内主要的技术、市场、咨询交流平台。2016年创办菲魅通信技术有限公司,为光通信行业供应链、人才特聘、共享资源提供服务。
    目录
      半导体激光器激光器2
    激光器小信号频响24
    DFB激光器等效电路模型26
    FP,DFB,DBR的区别30
    【5G光模块】——FP激光器的模式分配噪声35
    DFB双峰对光通信系统的影响37
    DFB激光器双峰40
    DFB直调激光器的发展方向41
    相干光模块中的窄线宽激光器46
    用于突发模式下一代PON的MEL激光器双电级DFB47
    非制冷DWDM激光器50
    FP和DBR的区别53
    DFB的发展史58
    DFB的光栅60
    双腔DFB激光器62
    区分FP,DFB,DML,EML,VCSEL65
    激光器发散角优化结构69
    为什么激光器的BH结构需要多次外延71
    背光74
    为什么不能“轻易”把GPON ONU的DFB激光器换成
    便宜的FP76
    区分DFB,DML,EML80DBR激光器82
    DFB激光器的增益耦合光栅与折射率耦合光栅83
    多纵模激光器的传输距离87
    单纵模激光器的传输距离89
    FP与DFB的波长温度漂移91
    区分电光效应、光电效应与电致发光效应94
    相干通信历程、可调谐光源标准发展史97
    可调谐激光器102
    外腔激光器104


    DML的啁啾与补偿激光器的啁啾、展宽与色散108
    啁啾110
    直调激光器啁啾管理的几个方案113
    啁啾光栅与色散补偿115
    利用微环做DML的啁啾管理117
    直调激光器的传输并不是距离越长TDP就一定越大121
    PT对称光栅122
    Avago的高速VCSEL124
    MEMS VCSEL128
    比VCSEL小100倍的BICSEL130
    Finisar VCSEL 用OM4光纤可传输2.3km的56Gb/s
    PAM4信号134
    超薄激光器135


    铌酸锂调制器电光调制器140
    铌酸锂调制器141
    为何铌酸锂调制器那么长146
    铌酸锂薄膜制备148


    电吸收调制器EAM电吸收调制器等效模型154
    为何探测器和电吸收调制器,加反电压,而不是正电压157
    电吸收调制器的吸收波长红移159
    非制冷单波100Gb/s EML164
    EML更容易实现更大的消光比167
    电吸收调制激光器EML169
    为什么EML要加一个TEC171


    调制器热光调制176
    PN结载流子耗尽型硅基调制器178
    光调制器的载流子耗尽型与注入型的区别181


    光探测器探测器186
    探测器响应度与光模块灵敏度之间的关系196
    几种探测器的结构198
    垂直型与波导型PIN202
    平衡探测器204
    探测器速率与结电容207
    探测器结构与响应度、灵敏度211
    探测器材料与截止波长214
    探测器材料之Si,GeSi,GaAs217
    探测器响应度下降原因218APD的盖革模式220
    APD盖革模式的应用223
    光电二极管台面结构225


    半导体工艺GaAs衬底230
    激光器衬底——InP单晶233
    激光器中含铝材料238
    为什么激光器的热烧蚀,更容易发生在腔表面244
    激光器有源材料晶格缺陷与可靠性,GaAs比InP更难246
    激光器晶格缺陷之线位错248
    激光器衬底生长技术: VGF垂直梯度凝固法250
    分子束外延253
    半导体工艺中的“退火”257
    激光器材料生长——张应变和压应变260
    衍射极限264
    电子束光刻EBL269
    纳米压印271
    激光器波导结构制作: 干法刻蚀与湿法刻蚀273
    MACOM激光器垂直端面刻蚀280
    DFB激光器的倒台波导283
    磁控溅射——光芯片电极制作287
    CBN立方氮化硼291
    脉冲激光溅射292
    电子束蒸镀——光芯片电极制作296
    半导体激光器欧姆接触以及欧姆接触与肖特基接触的
    区别299
    激光器减薄,与台阶仪厚度检测原理304
    激光器端面钝化307
    激光器从材料到芯片310激光器晶圆划片与裂片314
    特殊波导制作与激光冷加工319


    半导体物理与器件结构电芯片的材料Si,GeSi和GaAs324
    半导体材料,P型、N型半导体与PN结328
    FET,MOSFET,MESFET,MODFET330
    三星3nm全环栅结构335
    5nm晶体管技术之争GAA FET,IMEC 8nm纳米线337
    晶体管之BJT,FET,CMOS,HBT,HEMT340
    电芯片的锗硅与CMOS区别343
    MOSFET与符号344


    缩略语349’
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