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[正版新书]衍射极限附近的光刻工艺(第2版) 伍强 胡华勇 何伟明 岳力挽 张强 杨东旭 黄怡 李艳丽 清华大学出
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| 书名: | 衍射极限附近的光刻工艺(第2版) |
| 出版社: | 清华大学出版社 |
| 出版日期 | 2024-11 |
| ISBN号: | 9787302676119 |
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| 为了应对我国在集成电路领域,尤其是光刻技术方面严重落后于发达国家的局面,破解光刻制造设备、材料和光学邻近效应修正软件几乎完全依赖进口的困境,作为从事光刻工艺研发近 20 年的资深研发人员,作者肩负着协助光刻设备、材料和软件等产业链共同研发和发展的责任,将为了应对我国在集成电路领域,尤其是光刻技术方面严重落后于发达国家的局面,摆脱光刻制造设备、材料和光学邻近效应修正软件几乎完全依赖进口的困境,作为从事光刻工艺研发近20年的资深研发人员,作者肩负着协助光刻设备、材料和软件等产业链共同研发和发展的责任,将近20年的学习成果和研发经验汇编成书,建立联系我国集成电路芯片的研发和制造,设备、材料和软件的研发,以及大专院校、科研院所的科学技术研究、人才培养的一座桥梁。 本书以光刻工艺为主线,将光刻设备、光刻材料、光刻成像的理论计算、光刻工艺中各种建 模思想和推导、芯片制造的技术发展要求以及对光刻工艺各项参数的要求紧密、有机地联系在一起,给读者一个整体的图景。本书可供光刻技术领域科研院所的研究人员、大专院校的教师和学生、集成电路工厂的工程技术人员等参考。 |
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伍强,复旦大学研究员博士生导师。1993年于复旦大学获物理学学士学位,1999年于耶鲁大学获物理学博士学位。毕业后就职于IBM公司,担任半导体集成电路光刻工艺研发工程师,在研发65nm逻辑光刻工艺时,在世界上首次通过建模精确地测量了光刻工艺的重要参数:等效光酸扩散长度。2004年回国,先后担任光刻工艺研发主管、光刻设备应用部主管,就职于上海华虹NEC电子有限公司、荷兰阿斯麦(ASML)光刻设备制造(中国)有限公司、中芯国际集成电路制造(上海)有限公司、中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司、上海集成电路研发中心和复旦大学。先后研发或带领团队研发0.18μm、0.13μm、90nm、65nm、40nm、28nm、20nm、14nm、10nm、7nm等逻辑光刻工艺技术和0.11μm 动态随机存储器(DRAM)光刻工艺技术,带领设备应用部团队将193nm浸没式光刻机成功引入中国。截至2023年8月,个人共获得110项专利授权,其中40项美国专利,发表光刻技术论文79篇。担任国家“02”重大专项光刻机工程指挥部专家,入选“2018年度上海市优秀技术带头人”计划,2007-2009年担任ISTC(国际半导体技术大会)光刻分会主席。2010-2023年担任CSTIC(中国国际半导体技术大会)光刻分会副主席。
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| 集成电路产业是信息技术产业的核心,是支撑经济社会发展和保障国家安全的战略性、基础性和先导性产业。光刻工艺是集成电路制造业核心工艺技术之一,在集成电路的诸多领域,扮演着不可或缺的重要作用。 |
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