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[正版] 薄膜技术与薄膜材料 材料科学与工程系列 田民波等 清华大学出版社
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书名: | 薄膜技术与薄膜材料(材料科学与工程系列) |
图书定价: | ¥ 59 元 |
图书作者: | 田民波 (作者), 李正操 (作者) |
出版社: | 清华大学出版社 |
出版日期: | 2011 |
ISBN号: | 9787302274834 |
开本: | 16 |
装帧: | 平装 |
页数: | 531页 |
版次: | 第1版 |
《薄膜技术与薄膜材料》的应用范围极为广泛,从大规模集成电路、电子元器件、平板显示器、信息记录与存储、MEMS、传感器、白光I.ED固体照明、太阳能电池到材料的表面改性等,涉及高新技术产业的各个领域。《薄膜技术与薄膜材料》内容包括真空技术基础、薄膜制备、微细加工、薄膜材料及应用等4大部分,涉及薄膜技术与薄膜材料的各个方面,知识全面,脉络清晰。全书共17章,文字通俗易懂,并配有大量图解,每章后面附有习题,有利于对基本概念和基础知识的理解、掌握与运用。《薄膜技术与薄膜材料》可作为材料、机械、精密仪器、化工、能源、微电子、计算机、物理、化学、光学等学科本科生及研究生教材,对于从事相关行业的科技工作者与工程技术人员,也具有极为难得的参考价值。 |
第1章 真空技术基础 1.1 真空的基本知识 1.1.1 真空定义 1.1.2 真空度量单位 1.1.3 真空区域划分 1.1.4 气体与蒸气 1.2 真空的表征 1.2.1 气体分子运动论 1.2.2 分子运动的平均自由程 1.2.3 气流与流导 1.3 气体分子与表面的相互作用 1.3.1 碰撞于表面的分子数 1.3.2 分子从表面的反射 1.3.3 蒸发速率 1.3.4 真空在薄膜制备中的作用 习题 第2章 真空泵与真空规 2.1 真空泵 2.1.1 油封机械泵 2.1.2 扩散泵 2.1.3 吸附泵 2.1.4 溅射离子泵 2.1.5 升华泵 2.1.6 低温冷凝泵 2.1.7 涡轮分子泵和复合涡轮泵 2.1.8 干式机械泵 2.2 真空测量仪器——总压强计 2.2.1 麦克劳真空规 2.2.2 热传导真空规 2.2.3 电离真空计——电离规 2.2.4 盖斯勒管 2.2.5 隔膜真空规 2.2.6 真空规的安装方法 2.3 真空测量仪器——分压强计 2.3.1 磁偏转型质谱计 2.3.2 四极滤质器(四极质谱计) 习题 第3章 真空装置的实际问题 3.1 排气的基础知识 3.2 材料的放气 3.3 排气时间的估算 3.4 实用的排气系统 3.4.1 离子泵系统 3.4.2 扩散泵系统 3.4.3 低温冷凝泵-分子泵系统 3.4.4 残留气体 3.5 检漏 3.5.1 检漏方法 3.5.2 检漏的实际操作 3.6 大气温度与湿度对装置的影响 3.7 烘烤用的内部加热器 3.8 化学活性气体的排气 3.8.1 主要装置及存在的问题 3.8.2 排气系统及其部件 习题 第4章 气体放电和低温等离子体 4.1 带电粒子在电磁场中的运动 4.1.1 带电粒子在电场中的运动 4.1.2 带电粒子在磁场中的运动 4.1.3 带电粒子在电磁场中的运动 4.1.4 磁控管和电子回旋共振 4.2 气体原子的电离和激发 4.2.1 碰撞——能量传递过程 4.2.2 电离——正离子的形成 4.2.3 激发——亚稳原子的形成 4.2.4 圆复——退激发光 4.2.5 解离一一分解为单个原子或离子 4.2.6 附着——负离子的产生 4.2.7 复合——中性原子或原子团的形成 …… 第5章 薄膜生长与薄膜结构 第6章 真空蒸镀 第7章 离子镀和离子束沉积 第8章 溅射镀膜 第9章 化学气相沉积(CVD) 第10章 干法刻蚀 第11章 平坦化技术 第12章 表面改性及超硬膜 第13章 能量及信号变换用薄膜与器件 第14章 半导体器件、记录和存储用薄膜技术与薄膜材料 第15章 平板显示器中的薄膜技术与薄膜材料 第16章 太阳电池中的薄膜技术与薄膜材料 第17章 白光LED固体照明与薄膜技术 参考文献 作者书系 |
《薄膜技术与薄膜材料》是材料科学与工程系列之一。 |
版权页: 插图: 采用ECR等离子体刻蚀,离子鞘层的宽度大致在数十微米,当被刻蚀的图形宽度和间距与之不相上下时,刻蚀图形对入射离子产生干扰作用,致使离子不能垂直入射。一般称这种现象为微负载效应。这种效应造成的后果往往是:图形宽度不同,刻蚀速率各异;图形间距不同,刻蚀形状有别。为避免这种情况出现,需要在电磁铁的布置等方面采取措施,如将满足ECR条件的区域,在基板附近扩大为平面状,与此同时,保证基板附近的磁场不为发散状,而为平行的磁场分布,在大电流下,以均匀且平行的等离子体流照射基板,以抑制微负载效应,达到均匀、微细化刻蚀的目的。 4.微波等离子体刻蚀 在微波等离子体刻蚀装置中通入反应气体,并保持一定压力,在磁场作用下,将2.54GHz的微波导入石英制的刻蚀室中,产生微波放电。微波等离子体刻蚀与ECR等离子体刻蚀的主要不同在于,前者的被刻蚀基片置于等离子体之中。因此,离子的能量与等离子体电位相当,大约为20cV。对于实际应用来说,该能量下的刻蚀速率太低,为此需要在基片台上施加高频偏压,使其保持一定的偏置电位。在微波等离子体刻蚀中,可以在很宽的气压范围内发生等离子体。但是,为了能逼真地按掩模图形垂直刻蚀,气体压力应尽量低些,使离子的平均自由程比试样表面鞘层宽度更大些,以保证离子垂直试样表面入射。为实现各向异性刻蚀,与RIE技术的情况同样,采取的方法主要有:①在侧面形成反应抑制层;②由于活性基会造成各向同性刻蚀,因此要尽量降低其含量。 |
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