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  • 正版 模拟CMOS集成电路系统化设计 保罗 杰斯珀斯 晶体管建模 特征频率 电阻负载 热噪声建模 随机失配建模 开关
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    • 作者: 保罗·G.著 | | 贺鲲鹏等译
    • 出版社: 机械工业出版社
    • 出版时间:2022-06
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    • 作者: 保罗·G.著| 贺鲲鹏等译
    • 出版社:机械工业出版社
    • 出版时间:2022-06
    • 开本:16开
    • ISBN:9782480828455
    • 版权提供:机械工业出版社

      商品基本信息

    商品名称:

      模拟CMOS集成电路系统化设计

    作     者:

      [比]保罗·G.A.杰斯珀斯(Paul G. A. Jespers) [美]鲍里斯·默尔曼(Boris Murmann)

    市 场 价:

      99.00元

    ISBN  号:

      9787111707455

    页     数:

      284

    出 版 社:

      机械工业出版社


     

      目录

      

    译者序

    符号与缩略语表

    第1章绪论

    1.1写作缘由

    1.2模拟电路尺寸问题和提出的方法

    1.2.1平方律视角

    1.2.2使用查询表进行权衡

    1.2.3一般化

    1.2.4VGS未知的设计

    1.2.5弱反型下的设计

    1.3内容概述

    1.4关于预备知识

    1.5关于符号

    1.6参考文献

    第2章基础晶体管建模

    2.1CSM

    2.1.1CSM中的漏极电流方程

    2.1.2漏极电流与漏极电压的关系

    2.1.3跨导效率gm/ID

    2.2基础EKV模型

    2.2.1基础EKV方程

    2.2.2共源MOS晶体管的基础EKV模型

    2.2.3EKV模型的强、弱反型近似

    2.2.4基础EKV模型中gm和gm/ID的表达式

    2.2.5从EKV模型中提取参数

    2.3实际的晶体管

    2.3.1实际漏极电流的特征ID(VGS) 和gm/ID

    2.3.2实际晶体管的漏极饱和电压VDsat

    2.3.3偏置条件对EKV参数的影响

    2.3.4漏极电流特性ID(VDS)

    2.3.5输出电导gds

    2.3.6gds/ID之比

    2.3.7本征增益

    2.3.8MOSFET电容和特征频率fT

    2.4本章小结

    2.5参考文献

    第3章使用gm/ID方法的基本尺寸设计

    3.1本征增益级的尺寸设计

    3.1.1电路分析

    3.1.2设计尺寸时的考虑因素

    3.1.3对于给定的gm/ID设计尺寸

    3.1.4基本权衡探索

    3.1.5在弱反型下设计尺寸

    3.1.6使用漏极电流密度设计尺寸

    3.1.7包含外部电容

    3.2实际共源级

    3.2.1有源负载

    3.2.2电阻负载

    3.3差分放大器级

    3.4本章小结

    3.5参考文献

    第4章噪声、失真与失配

    4.1电噪声

    4.1.1热噪声建模

    4.1.2热噪声、增益带宽与供电电流间的权衡

    4.1.3来自有源负载的热噪声

    4.1.4闪烁噪声(1/f噪声)

    4.2非线性失真

    4.2.1MOS跨导的非线性

    4.2.2MOS差分对的非线性

    4.2.3输出电导

    4.3随机失配

    4.3.1随机失配建模

    4.3.2失配在电流镜中的影响

    4.3.3失配在差分放大器中的影响

    4.4本章小结

    4.5参考文献

    第5章电路应用实例Ⅰ

    5.1恒定跨导偏置电路

    5.2高摆幅级联电流镜

    5.2.1调整电流镜器件的大小

    5.2.2对共源共栅偏置电路进行尺寸设计

    5.3低压降稳压器

    5.3.1低频分析

    5.3.2高频分析

    5.4射频低噪声放大器

    5.4.1为低噪声系数设计尺寸

    5.4.2为低噪声系数和低失真设计尺寸

    5.5电荷放大器

    5.5.1电路分析

    5.5.2假定特征频率恒定的优化

    5.5.3假定漏极电流恒定的优化

    5.5.4假定噪声和带宽恒定的优化

    5.6为工艺边界进行设计

    5.61偏置的考虑

    5.62对于工艺和温度的工艺评估

    5.63可能的设计流程

    5.7本章小结

    5.8参考文献

    第6章电路应用实例Ⅱ

    6.1开关电容电路的基本OTA

    6.1.1小信号电路分析

    6.1.2假定噪声和带宽恒定的优化

    6.1.3考虑摆幅的优化

    6.2用于开关电容电路的折叠式共源共栅OTA

    6.2.1设计方程

    6.2.2优化流程

    6.2.3存在压摆时的优化

    6.3用于开关电容电路的两级OTA

    6.3.1设计方程

    6.3.2优化流程

    6.3.3存在压摆时的优化

    6.4简化设计流程

    6.4.1折叠共源共栅OTA

    6.4.2两级OTA

    6.5开关尺寸调整

    6.6本章小结

    6.7参考文献

    附录A  EKV参数提取算法

    附录B  查询表的生成与使用

    附录C  布局依赖


      内容简介

    本书是一本实践性指南,它给出一种纳米尺度CMOS模拟电路集成电路设计的新方法,新方法具有高效的特性,且可对电路行为带来深入洞察。


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