| 条码书号 | 书名 | 定价 |
| 9787111640295 | 功率半导体器件——原理、特性和可靠性（原书第2版） | 150 |
| 9787111727743 | 功率半导体器件 | 79 |
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| 商品名称： | 循序渐进学功率半导体器件系列 原理、特性和可靠性（全2册）（《功率半导体器件——原理、特性和可靠性（原书第2版）》 《功率半导体器件》 ） |
| 作 者： | Lutz, J., Schlangenotto, H., Scheuermann, U., De Donker, R.； 关艳霞 刘斌 吴美乐 卢雪梅 |
| 市 场 价： | 229.00元 |
| ISBN 号： | 9787111640295； 9787111727743 |
| 出版日期： | 2020年1月 |
| 出 版 社： | 机械工业出版社 |
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《功率半导体器件——原理、特性和可靠性（原书第2版）》 " 译者的话 原书第2版序言 原书第1版序言 常用符号 第1章功率半导体器件——高效电能变换装置中的关键器件1 11装置、电力变流器和功率半导体器件1 111电力变流器的基本原理2 112电力变流器的类型和功率器件的选择3 12使用和选择功率半导体6 13功率半导体的应用8 14用于碳减排的电力电子设备11 参考文献14 第2章半导体的性质17 21引言17 22晶体结构19 23禁带和本征浓度21 24能带结构和载流子的粒子性质24 25掺杂的半导体28 26电流的输运36 261载流子的迁移率和场电流36 262强电场下的漂移速度42 263载流子的扩散，电流输运方程式和爱因斯坦关系式43 27复合产生和非平衡载流子的寿命45 271本征复合机理47 272包含金、铂和辐射缺陷的复合中心上的复合48 28碰撞电离64 29半导体器件的基本公式70 210简单的结论73 2101少数载流子浓度的时间和空间衰减73 2102电荷密度的时间和空间衰减74 参考文献75 第3章pn结80 31热平衡状态下的pn结80 311突变结82 312缓变结87 32pn结的IV特性90 33pn结的阻断特性和击穿97 331阻断电流97 332雪崩倍增和击穿电压100 333宽禁带半导体的阻断能力108 34发射区的注入效率109 35pn结的电容115 参考文献117 功率半导体器件——原理、特性和可靠性（原书第2版）目录第4章功率器件工艺的介绍119 41晶体生长119 42通过中子嬗变来调节晶片的掺杂120 43外延生长122 44扩散124 441扩散理论，杂质分布124 442掺杂物的扩散系数和溶解度130 443高浓度效应，扩散机制132 45离子注入134 46氧化和掩蔽138 47边缘终端140 471斜面终端结构140 472平面结终端结构142 473双向阻断器件的结终端143 48钝化144 49复合中心145 491用金和铂作为复合中心145 492辐射引入的复合中心147 493Pt和Pd的辐射增强扩散149 410辐射引入杂质150 411GaN器件工艺的若干问题151 参考文献155 第5章pin二极管160 51pin二极管的结构160 52pin二极管的IV特性161 53pin二极管的设计和阻断电压162 54正向导通特性167 541载流子的分布167 542结电压169 543中间区域两端之间的电压降170 544在霍尔近似中的电压降171 545发射极复合、有效载流子寿命和正向特性173 546正向特性和温度的关系179 55储存电荷和正向电压之间的关系180 56功率二极管的开通特性181 57功率二极管的反向恢复183 571定义183 572与反向恢复有关的功率损耗189 573反向恢复：二极管中电荷的动态192 574具有最佳反向恢复特性的快速二极管199 575MOS控制二极管208 58展望213 参考文献214 第6章肖特基二极管216 61金属半导体结的能带图216 62肖特基结的IV特性217 63肖特基二极管的结构219 64单极型器件的欧姆电压降220 641额定电压为200V和100V的硅肖特基二极管与pin二极管的比较222 65SiC肖特基二极管223 651SiC单极二极管特性223 652组合pin肖特基二极管226 653SiC肖特基和MPS二极管的开关特性和耐用性230 参考文献232 第7章双极型晶体管234 71双极型晶体管的工作原理234 72功率双极型晶体管的结构235 73功率晶体管的IV特性236 74双极型晶体管的阻断特性237 75双极型晶体管的电流增益239 76基区展宽、电场再分布和二次击穿243 77硅双极型晶体管的局限性245 78SiC双极型晶体管245 参考文献246 第8章晶闸管248 81结构与功能模型248 82晶闸管的IV特性251 83晶闸管的阻断特性252 84发射极短路点的作用253 85晶闸管的触发方式254 86触发前沿扩展255 87随动触发与放大门极256 88晶闸管关断和恢复时间258 89双向晶闸管260 810门极关断晶闸管261 811门极换流晶闸管265 参考文献268 第9章MOS晶体管及场控宽禁带器件270 91MOSFET的基本工作原理270 92功率MOSFET的结构271 93MOS晶体管的IV特性272 94MOSFET沟道的特性273 95欧姆区域276 96现代MOSFET的补偿结构277 97MOSFET特性的温度依赖性281 98MOSFET的开关特性282 99MOSFET的开关损耗286 910MOSFET的安全工作区287 911MOSFET的反并联二极管288 912SiC场效应器件292 9121SiC JFET292 9122SiC MOSFET294 9123SiC MOSFET体二极管296 913GaN横向功率晶体管297 914GaN纵向功率晶体管302 915展望303 参考文献303 第10章IGBT307 101功能模式307 102IGBT的IV特性309 103IGBT的开关特性310 104基本类型：PTIGBT和NPTIGBT312 105IGBT中的等离子体分布315 106提高载流子浓度的现代IGBT317 1061高n发射极注入比的等离子增强317 1062无闩锁元胞几何图形320 1063“空穴势垒”效应321 1064集电极端的缓冲层322 107具有双向阻断能力的IGBT324 108逆导型IGBT325 109IG"
《功率半导体器件》 "前言 第1章绪论1 11电力电子器件和电力电子学1 12功率半导体器件的定义1 13功率半导体器件的种类2 14功率整流管3 141单极型功率二极管3 142双极型功率二极管4 15功率半导体开关器件5 151晶闸管类功率半导体器件5 152双极型功率晶体管7 153功率MOSFET7 154IGBT8 16硅功率集成电路9 17碳化硅功率开关11 18功率半导体器件的发展12 181功率半导体器件的发展历程12 182功率半导体器件的发展趋势12 参考文献13 第2章单极型功率二极管14 21功率肖特基二极管14 211功率肖特基二极管的结构14 212正向导通状态15 213反向阻断特性18 22结势垒控制肖特基（JBS）二极管20 221JBS二极管的结构20 222正向导通模型22 223反向漏电流模型30 23沟槽肖特基势垒控制肖特基（TSBS）二极管43 24沟槽MOS势垒控制肖特基（TMBS）二极管44 参考文献46 第3章双极型功率二极管47 31PiN二极管的结构与静态特性47 311PiN二极管的结构47 312PiN二极管的反向耐压特性48 313PiN二极管通态特性49 32碳化硅PiN二极管59 33PiN二极管的动态特性60 331PiN二极管的开关特性61 332PiN二极管的动态反向特性63 34PiN二极管反向恢复过程中电流的瞬变67 35现代PiN二极管的设计70 351有轴向载流子寿命分布的二极管70 352SPEED结构72 36MPS二极管73 361MPS二极管的工作原理74 362碳化硅MPS整流器91 363反向阻断特性99 364开关特性107 参考文献109 第4章晶闸管110 41概述110 411晶闸管基本结构和基本特性110 412基本工作原理112 42晶闸管的耐压能力113 421PNPN结构的反向转折电压113 422PNPN结构的正向转折电压115 423晶闸管的高温特性117 43晶闸管最佳阻断参数的确定119 431最佳正、反向阻断参数的确定119 432λ因子设计法121 433关于阻断参数优化设计法的讨论123 434P2区相关参数的估算124 435表面耐压和表面造型126 44晶闸管的门极特性与门极参数的计算128 441晶闸管的触发方式128 442门极参数131 443门极触发电流、触发电压的计算132 444中心放大门极触发电流、电压的计算134 45晶闸管的通态特性137 451通态特征分析137 452计算晶闸管正向压降的模型138 453正向压降的计算140 46晶闸管的动态特性144 461晶闸管的导通过程与特性144 462通态电流临界上升率152 463断态电压临界上升率155 464关断特性157 47晶闸管的派生器件162 471快速晶闸管163 472双向晶闸管164 473逆导晶闸管169 474门极关断（GTO）晶闸管174 475门极换流晶闸管193 参考文献194 第5章现代功率半导体器件195 51功率MOSFET195 511功率MOSFET的结构195 512功率MOSFET的基本特性197 513VDMOSFET的导通电阻198 514VDMOSFET元胞的优化203 515VDMOSFET阻断电压影响因素分析204 516功率MOSFET的开关特性205 52绝缘栅双极型晶体管（IGBT）210 521IGBT的基本结构210 522IGBT的工作原理与输出特性212 523IGBT的阻断特性213 524IGBT的通态特性215 525IGBT的开关特性220 526擎住效应226 参考文献228 第6章功率半导体器件应用综述229 61典型H桥拓扑230 62低直流总线电压下的应用232 63中等直流总线电压下的应用234 64高直流总线电压下的应用235 参考文献237 "
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《功率半导体器件——原理、特性和可靠性（原书第2版）》 "本书介绍了功率半导体器件的原理、结构、特性和可靠性技术，器件部分涵盖了当前电力电子技术中使用的各种类型功率半导体器件，包括二极管、晶闸管、MOSFET、IGBT和功率集成器件等。此外，还包含了制造工艺、测试技术和损坏机理分析。就其内容的全面性和结构的完整性来说，在同类专业书籍中是不多见的。 本书内容新颖，紧跟时代发展，除了介绍经典的功率二极管、晶闸管外，还重点介绍了MOSFET、IGBT等现代功率器件，颇为难得的是收入了近年来有关功率半导体器件的*新成果，如SiC，GaN器件，以及场控宽禁带器件等。本书是一本精心编著、并根据作者多年教学经验和工程实践不断补充更新的好书，相信它的翻译出版必将有助于我国电力电子事业的发展。 本书的读者对象包括在校学生、功率器件设计制造和电力电子应用领域的工程技术人员及其他相关专业人员。本书适合高等院校有关专业用作教材或专业参考书，亦可被电力电子学界和广大的功率器件和装置生产企业的工程技术人员作为参考书之用。"
《功率半导体器件》 "本书内容包括4部分。第1部分介绍功率半导体器件的分类及发展历程，主要包括功率半导体器件这个“大家族”的主要成员及各自的特点和发展历程。第2部分介绍功率二极管，在传统的功率二极管（肖特基二极管和PiN二极管）的基础上，增加了JBS二极管和MPS二极管等新型单、双极型二极管的内容。第3部分介绍功率开关器件，主要分为传统开关器件和现代开关器件，传统开关器件以晶闸管为主，在此基础上，介绍以GTO晶闸管为主的派生器件；现代功率开关器件以功率MOSFET和IGBT为主。第4部分为功率半导体器件应用综述，以脉冲宽度调制（PWM）为例说明如何根据器件的额定电压和电路的开关频率选择适合应用的最佳器件。 本书适合电子科学、电力电子及电气传动、半导体及集成电路等专业技术人员参考，也可作为相关专业本科生及研究生教材。 本书配有教学视频（扫描书中二维码直接观看）及电子课件等教学资源，需要配套资源的教师可登录机械工业出版社教育服务网免费注册后下载。 "
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