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- 作者:
[德] 约瑟夫·卢茨(Josef Lutz) 海因里希·施兰格诺托(H著|
卞抗译
- 出版社:机械工业出版社
- 出版时间:2019-12-01 00:00:00
- 版次:1
- 印次:1
- 印刷时间:2019-12-01
- 字数:695
- 页数:554
- 开本:16开
- 装帧:平装
- ISBN:9787111640295
- 国别/地区:中国
- 版权提供:机械工业出版社
本书介绍了功率半导体器件的原理、结构、特性和可靠性技术,器件部分涵盖了当前电力电子技术中使用的各种类型功率半导体器件,包括二极管、晶闸管、MOSFET、IGBT和功率集成器件等。此外,还包含了制造工艺、测试技术和损坏机理分析。就其内容的全面性和结构的完整性来说,在同类专业书籍中是不多见的。 本书内容新颖,紧跟时代发展,除了介绍经典的功率二极管、晶闸管外,还重点介绍了MOSFET、IGBT等现代功率器件,颇为难得的是收入了近年来有关功率半导体器件的近期新成果,如SiC,GaN器件,以及场控宽禁带器件等。本书是一本精心编著、并根据作者多年教学经验和工程实践不断补充更新的好书,相信它的翻译出版必将有助于我国电力电子事业的发展。 本书的读者对象包括在校学生、功率器件设计制造和电力电子应用领域的工程技术人员及其他相关专业人员。本书适合高等院校有关专业用作教材或专业参考书,亦可被电力电子学界和广大的功率器件和装置生产企业的工程技术人员作为参考书之用。