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醉染图书碳化硅功率器件:特、测试和应用技术9787111681755
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力电新技术系列图书序言序前言章功率半导体器件基础11.1Si功率器件11.1.1Si功率二极管11.1.2Si功率MOSFET51.1.3Si IGBT91.2SiC功率器件121.2.1SiC半导体材料特121.2.2SiC功率器件发展现状15参考文献25延伸阅读26第2章SiC MOSFET参数的解读、测试及应用292.1优选值292.1.1击穿电压292.1.2热阻抗312.1.3优选耗散功率和优选漏极电流322.1.4安全工作域332.2静态特352.2.1传递特和阈值电压352.2.2输出特和导通电阻352..体二极管和第三象限导通特3.动态特39..1结电容39..2开关特40..栅电荷472.4参数测试482.4.1I-V特测试482.4.2结电容测试502.4.3栅电荷测试532.4.4测试设备532.5FOM值552.6器件建模与82.7器件损耗计算632.7.1损耗计算方法632.7.2软件6参考文献68延伸阅读70第3章双脉冲测试技术753.1功率变换器换流模式753.2双脉冲测试基础793.2.1双脉冲测试原理793.2.2双脉冲测试参数设定8..双脉冲测试平台853.3测量挑战903.3.1示波器903.3.2电压探头1043.3.3电流传感器1153.3.4时间偏移1183.3.5寄生参数1213.4双脉冲测试设备126参考文献130延伸阅读132第4章SiC器件与Si器件特对比1354.1SiC MOSFET和Si SJ-MOSFET1354.1.1静态特1354.1.2动态特1374.2SiC MOSFET和Si IGBT1454.2.1传递特1454.2.2输出特1454..动态特1464.2.4短路特1524.3SiC二极管和Si二极管1544.3.1导通特1544.3.2反向恢复特155延伸阅读162第5章高di/dt的影响与应对——关断电压过冲1635.1关断电压过冲的影响因素1635.2应对措施1——回路电感控制1655.2.1回路电感与局部电感1655.2.2PCB线路电感1675..器件封装电感1685.3应对措施2——去耦电容1705.3.1电容器基本原理1705.3.2去耦电容基础1725.3.3小信号模型分析1765.4应对措施3——降低关断速度184参考文献186延伸阅读187第6章高dv/dt的影响与应对——crosstalk1886.1crosstalk基本原理1886.1.1开通crosstalk1896.1.2关断crosstalk1916.2关键影响因素1946.2.1等效电路分析1946.2.2实验测试方案与结果1956.3应对措施1——米勒钳位2006.3.1晶体管型米勒钳位2006.3.2IC集成有源米勒钳位2026.4应对措施2——驱动回路电感控制2066.4.1驱动回路电感对米勒钳位的影响2066.4.2封装集成206参考文献212延伸阅读213第7章高dv/dt的影响与应对——共模电流2147.1信号通路共模电流2147.1.1功率变换器的模电2147.1.2信号通路共模电流特2177.2应对措施1——高CMTI驱动芯片2197.3应对措施2——高共模阻抗2.3.1减小隔离电容2.3.2共模电感2247.4应对措施3——共模电流疏导2257.4.1Y电容2257.4.2并行供电2267.4.3串联式驱动电路2277.5差模干扰测量2277.5.1常规电压探头2277.5.2电源轨探头229参考文献5延伸阅读第8章共源极电感的影响与应对.1共源极电感.1.1共源极电感及其影响.1.2开尔文源极封装2418.2对比测试方案2428.2.1传统对比测试方案2428.2.24-in-4和4-in-3对比测试方案2448.3对开关过程的影响2458.3.1开通过程2458.3.2关断过程2498.3.3开关能量与dVDS/dt2538.4对crosstalk的影响2578.4.1开通crosstalk2578.4.2关断crosstalk261参考文献265延伸阅读266第9章驱动电路设计2679.1驱动电路基础2679.1.1驱动电路架构与发展2679.1.2驱动电路各功能模块2699.2驱动电阻取值2759.3驱动电压2809.3.1SiC MOSFET对驱动电压的要求2809.3.2关断负电压的提供2819.4驱动级特的影响2839.4.1 输出峰值电流2839.4.2BJT和MOSFET电流Boost2849.4.3米勒斜坡下的驱动能力2879.5信号隔离传输2929.5.1隔离方式2929.5.2安规与绝缘2959.6短路保护3009.6.1短路保护的检测方式3019.6.2DESAT短路保护303参考文献306延伸阅读309
现任泰科天润半导体技术有限公司应用测试中心主任。主要从事功率半导体器件特测试、评估及其在功率变换器上应用的关键技术的研究工作,致力于碳化硅功率器件市场应用的推广,被的测试解决方案提供商泰克科技聘为电源功率器件领域外部专家。2012年和2015年分别于西安交通大学获学士和硕士,发表学术5篇,出版专著《碳化硅功率器件:特、测试和应用技术》。
一本介绍碳化硅器件与测试应用技术的专著。首先,注重搭建知识框架,不一味追求*新学术研究成果,而是选择能够实际应用的技术,切实解决SiC器件的应用问题。其次,书中使用大量篇幅对测试设备、测试方法进行了详细的讲解,帮功率器件和力电研究者和弥补测试技术这一短板。
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