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醉染图书CMOS9787547851
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章 金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础
1.1 引言
1.2 MOSFET的工作原理
1.2.1 累积
1.2.2 耗尽
1.. 反型
1.2.4 强反型
1.3 MOSFET的品质因数
1.4 MOSFET器件结构的演变
1.5 小结
参考文献
第2章 器件结构小型化和演化进程
2.1 引言
2.2 尺寸和结构的缩放
2.2.1 缩放原则
2.2.2 器件结构的影响
2.. 无结型晶体管
. 光刻
..1 分辨率
..2 二次图形化技术
.. 极紫外光刻技术
..4 掩模技术
2.4 束光刻
2.5 应变工程
第8 章 互连技术及其可靠
8.1 引言
8.2 铜互连集成
8.2.1 大马士革工艺
8.2.2 铜电阻随互连微缩的变化
8.. 新型铜互连集成方案
8.3 low-k 介质特征和分类
8.3.1 low-k特
8.3.2 low-k分类和表征
8.3.3 low-k介质集成挑战
8.3.4 气隙在互连中的实现
8.4 铜与硅和介质的相互作用
8.4.1 铜与硅的相互作用
8.4.2 铜与介质的相互作用
8.5 金属扩散阻挡层
8.5.1 金属间阻挡层的材料选择
8.5.2 金属扩散阻挡层的沉积
8.6 铜金属化的可靠
8.6.1 电迁移基础理论
8.6.2 应力致空洞化
8.7 金属间介质的可靠
8.7.1 金属间介质的漏电机理
8.7.2 金属间介质的击穿特
8.8 可靠统计和失效模型
8.8.1 概率分布函数
8.8.2 击穿加速模型
8.9 未来的互连
8.10 小结
参考文献
后记
原著致谢
"[瑞典]Henry H.Radamson:欧洲科学院院士,微研究所“”特聘专家、研究员,高层次人才专家。2011年和2018年两次获得瑞典优选IR技术创新奖;Springer-Nature 期刊编辑,Nanomaterials 客座编辑。
罗军:微研究所研究员,大岗教授、博士生导师、集成电路先导工艺研发中心副主任,广东省大湾区集成电路与系统应用研究院FDSOI创新中心主任。SCI期刊Journal of Materials Science: Materials in Electronics副主编,2019年入选青促会很好会员。
[比利时]Eddy Simoen:比利时欧洲微研发中心(IMEC)不错研究员,微研究所客座教授,根特大学兼任教授。靠前电化学学会会士,曾任EDS荷比卢分会和多个靠前学术会议分会场和会议集主编。
赵超:中国国籍,(为作者之一,详见译者简介。)"
"赵超,大学特聘教授、微研究所研究员。
2000—2010年,在欧洲微研发中心(IMEC)任资深科学家,参加IMEC的CMOS制造工艺研发工业联盟(IIAP)项目,从事高k/金属栅和优选铜-low-k互连的研发工作。
2010年至今,在微研究所先后担任集成电路先导工艺研发中心主任和所副总,带领团队建设了国内条面向优选CMOS技术的研发线,并完成多项科技重大专项项目和课题。"
本书作为近年出版的一部关于CMOS器件和制造的专业书籍,讲解十分细致,对于阅读中出现的每一个疑问点都给予时的解析。本书结构清晰紧密,由粗至细,循序渐进,降低了阅读难读,并且内容十分丰富,涵盖了锗硅应变源漏技术、高k/金属栅技术、超浅结技术、优选接触技术、铜互连技术和高迁移率沟道材料技术等。
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