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醉染图书石墨烯薄膜制备9787127528
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章 石墨烯简介/ 001
1.1 发展历程001
1.2 结构与质002
1.3 分类及命名004
1.4 结构表征与能测量005
1.4.1光学显微分析005
1.4.2拉曼光谱分析006
1.4.3显微分析007
1.4.4扫描探针显微分析008
1.4.5表征技术008
1.4.6电学能测量008
1.5 石墨烯的应用010
1.6 制备方法011
参考文献012
第2章 化学气相沉积技术/ 017
2.1 CVD的特征、分类及发展017
2.1.1CVD的特征017
2.1.2CVD的分类018
2.1.3CVD的发展020
2.2 CVD反应原理021
2.2.1CVD反应过程021
2.2.2CVD反应类型022
2..CVD的热、动力学原理024
. 真空技术基础028
..1真空的概念及分类028
..2真空系统抽气过程定量描述029
..真空系统及真空泵031
..4真空测量及真空检漏032
2.4 CVD系统简介034
2.4.1CVD系统的组成034
2.4.2常见CVD系统035
2.5 CVD反应过程控制040
2.5.1CVD反应的主要参数040
2.5.2CVD工艺参数及过程控制041
2.6 CVD制备石墨烯概述042
2.6.1CVD制备石墨烯的发展历程042
2.6.2CVD制备石墨烯的分类044
参考文献045
第3章 石墨烯的成核与生长/ 047
3.1 石墨烯CVD生长过程047
3.2 气相反应048
3.3 甲烷的吸附与分解050
3.4 活基团052
3.5 石墨烯的成核055
3.6 石墨烯单晶的生长形状060
3.6.1Wulff构型060
3.6.2热力学平衡结构060
3.6.3动力学稳定和长行为063
3.6.4单晶形状的实验结果064
参考文献078
第4章 石墨烯单晶制备/ 081
4.1 石墨烯成核密度的控制081
4.1.1基底表面的影响081
4.1.2碳杂质的影响082
4.1.3温度的影响086
4.1.4甲烷和氢气的影响088
4.1.5限域生长089
4.1.6氧的影响090
4.1.7基底表面钝化093
4.1.8多级生长094
4.1.9定位成核095
4.2 同取向外延生长098
4.2.1大面积Cu(111)单晶基底制备099
4.2.2石墨烯的外延生长103
参考文献105
第5章 石墨烯的层数控制/ 107
5.1 表面控制生长108
5.1.1共生长109
5.1.2面上生长111
5.1.3面下生长121
5.1.4影响石墨烯层数的因素125
5.2 溶解度控制生长143
5.2.1降温速度控制144
5.2.2容量控制144
5..溶解度控制146
参考文献148
第6章 石墨烯薄膜的转移/ 151
6.1 聚合物辅基底刻蚀法151
6.1.1PDMS辅转移152
6.1.2PMMA辅转移154
6.1.3TRT辅转移157
6.2 聚合物辅剥离法157
6.2.1机械剥离158
6.2.2电化学剥离转移161
6.3 直接转移法166
6.3.1热层压法166
6.3.2静电吸附167
6.3.3“面对面”转移170
6.3.4自组装层171
参考文献172
第7章 面向工业应用的石墨烯薄膜制备/ 175
7.1 低温制备技术175
7.1.1TCVD法176
7.1.2PECVD法188
7.2 非金属基底制备技术193
7.2.1半导体/绝缘介质基底193
7.2.2h-BN基底209
7..玻璃基底211
7.2.4半导体或高k介质基底215
7.3 大面积及工业化制备217
7.3.1片式制备217
7.3.2卷对卷制备与转移218
参考文献2
第8章 总结与展望/ 228
参考文献2
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