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  • 醉染图书光伏材料理化实用基础9787122276117
  • 正版全新
    • 作者: 梅艳,叶常琼 主编著 | 梅艳,叶常琼 主编编 | 梅艳,叶常琼 主编译 | 梅艳,叶常琼 主编绘
    • 出版社: 化学工业出版社
    • 出版时间:2016-08-01
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    • 作者: 梅艳,叶常琼 主编著| 梅艳,叶常琼 主编编| 梅艳,叶常琼 主编译| 梅艳,叶常琼 主编绘
    • 出版社:化学工业出版社
    • 出版时间:2016-08-01
    • 版次:1
    • 印次:1
    • 字数:167千字
    • 页数:109
    • 开本:16开
    • ISBN:9787122276117
    • 版权提供:化学工业出版社
    • 作者:梅艳,叶常琼 主编
    • 著:梅艳,叶常琼 主编
    • 装帧:平装
    • 印次:1
    • 定价:22.00
    • ISBN:9787122276117
    • 出版社:化学工业出版社
    • 开本:16开
    • 印刷时间:暂无
    • 语种:暂无
    • 出版时间:2016-08-01
    • 页数:109
    • 外部编号:1201381675
    • 版次:1
    • 成品尺寸:暂无

    上篇光伏材料物理实用基础篇1
    模块一光伏材料基础2
    1.1光伏材料的分类2
    1.1.1硅材料2
    1.1.2化合物半导体薄膜材料3
    1.2半导体材料的物理特4
    1.2.1半导体材料的共4
    1.2.2硅材料的特殊物理质4
    1..化合物半导体材料的特殊质5
    实训一采用四探针测试仪测量硅材料的电阻7
    思考题8
    模块二晶体结构与缺陷9
    2.1晶体的构造9
    2.1.1晶体与非晶体9
    2.1.2晶体的格子构造9
    2.1.3晶胞与14种空间结构9
    2.2晶体的特11
    2.2.1晶体的规则外形11
    2.2.2晶体的固定熔点11
    2..晶体的各向异12
    2.2.4晶体的解理13
    2.2.5晶体的稳定13
    .典型的晶体结构13
    ..1晶体的分类13
    ..2半导体材料的典型结构13
    2.4晶面、晶向15
    2.4.1晶面指数15
    2.4.2晶向指数15
    2.4.3晶面间距15
    2.4.4晶面夹角15
    2.5晶体缺陷16
    2.5.1点缺陷16
    2.5.2线缺陷17
    2.5.3面缺陷17
    2.5.4体缺陷19
    实训二采用X线衍法测试硅片的表面取向19
    思考题20
    模块三杂质与缺陷能级21
    3.1能带的形成21
    3.1.1的共有化21
    3.1.2能级、能带、能隙21
    3.1.3导体、半导体、绝缘体的能带结构22
    3.2半导体中的杂质与掺杂22
    3.2.1半导体纯度的表示22
    3.2.2半导体的杂质效应及影响22
    3..半导体的掺杂与型号
    3.2.4、空穴的产生24
    实训三傅里叶红外光谱仪测试硅晶体中杂质含量24
    思考题25
    模块四热平衡状态下的载流子和非平衡状态下的载流子26
    4.1热平衡状态下的载流子26
    4.1.1费米分布函数26
    4.1.2状态密度27
    4.1.3导带浓度和价带空穴浓度27
    4.1.4本征半导体的载流子浓度28
    4.1.5掺杂半导体的载流子浓度28
    4.2非平衡状态下的载流子29
    4.2.1非平衡载流子的产生与复合29
    4.2.2非平衡载流子的寿命30
    实训四采用少子寿命仪测量硅片的少子寿命30
    思考题31
    模块五P-N结32
    5.1P-N结的形成32
    5.1.1载流子的扩散运动32
    5.1.2载流子的飘移运动32
    5.2P-N结的制备及杂质分布图33
    5.3P-N结的能带结构及接触电势33
    5.4P-N结的特34
    5.4.1P-N结的电流电压特34
    5.4.2P-N结的电容特34
    5.4.3P-N结的击穿效应34
    5.4.4P-N结的光伏效应35
    思考题35
    下篇光伏材料化学实用基础篇36
    模块六光伏材料化学特37
    6.1硅及其重要化合物37
    6.1.1硅37
    6.1.2二氧化硅41
    6.1.3氮化硅42
    6.1.4碳化硅42
    6.1.5四氯化硅43
    6.1.6三氯氢硅43
    6.1.7硅酸44
    6.1.8硅烷44
    6.1.9锗45
    6.2GaAs45
    6.3CdTe薄膜材料的工艺化学原理46
    思考题47
    模块七外延工艺化学原理48
    7.1外延工艺中气相抛光原理48
    7.2外延生长的化学原理49
    7.3氢气的纯化50
    7.3.1分子筛纯化氢气的原理50
    7.3.2分子筛的类型和组成50
    7.3.3分子筛的特51
    7.3.4分子筛的51
    7.4常用的脱水剂(干燥剂)51
    7.5脱氧剂——105催化剂52
    7.6钯管的纯化原理53
    7.7氢气中杂质的净化剂53
    模块八化学清洗及纯水的制备54
    8.1化学清洗54
    8.1.1硅片表面沾污的杂质54
    8.1.2化学清洗的原理55
    8.1.3硅片清洗的一般步骤及注意事项60
    8.2纯水的制备60
    模块九硅片表面的化学机械抛光62
    9.1表面抛光的分类62
    9.2表面抛光的原理62
    9.2.1铬离子化学机械抛光62
    9.2.2二氧化硅胶体化学机械抛光62
    模块十半导体材料化学腐蚀原理64
    10.1化学腐蚀的原理64
    10.1.1半导体材料的腐蚀64
    10.1.2二氧化硅的腐蚀65
    10.1.3氮化硅的腐蚀66
    10.1.4金属的腐蚀66
    10.2影响化学腐蚀的因素68
    模块十一扩散制结化学原理70
    11.1扩散基本理论70
    11.1.1扩散杂质的选择70
    11.1.2扩散原理71
    11.2磷扩散化学原理73
    11.2.1液态源73
    11.2.2气态源75
    11..固态源75
    11.3硼扩散化学原理75
    11.3.1液态源76
    11.3.2固态源77
    11.3.3气态源77
    模块十二刻蚀工艺化学原理79
    12.1光刻79
    12.2聚乙烯醇肉桂酸酯光刻胶80
    1.光刻工艺的化学原理82
    12.4光致抗蚀剂的介绍84
    模块十三表面钝化和镀减反膜的化学原理88
    13.1二氧化硅钝化膜88
    13.2磷硅玻璃钝化膜91
    13.3氮化硅钝化膜92
    13.4三氧化二铝钝化膜94
    模块十四丝网印刷98
    14.1丝网印刷的浆料组成98
    14.2丝网印刷制备电极的原理99
    14.3丝网印刷化学品的防护101
    模块十五化学储能电池104
    15.1铅酸蓄电池104
    15.2锂离子电池107
    15.3镍氢电池108
    参考文献110

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