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  • 醉染图书车用功率半导体器件设计与应用9787030736321
  • 正版全新
    • 作者: (日)岩室宪幸著 | (日)岩室宪幸编 | (日)岩室宪幸译 | (日)岩室宪幸绘
    • 出版社: 科学出版社
    • 出版时间:2023-01-01
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    • 作者: (日)岩室宪幸著| (日)岩室宪幸编| (日)岩室宪幸译| (日)岩室宪幸绘
    • 出版社:科学出版社
    • 出版时间:2023-01-01
    • 版次:1
    • 印次:1
    • 字数:180000
    • 页数:160
    • 开本:16开
    • ISBN:9787030736321
    • 版权提供:科学出版社
    • 作者:(日)岩室宪幸
    • 著:(日)岩室宪幸
    • 装帧:平装
    • 印次:1
    • 定价:58.00
    • ISBN:9787030736321
    • 出版社:科学出版社
    • 开本:16开
    • 印刷时间:暂无
    • 语种:暂无
    • 出版时间:2023-01-01
    • 页数:160
    • 外部编号:1202770836
    • 版次:1
    • 成品尺寸:暂无

    章 车用功率器件 1

    1.1 简介 3

    1.2 电压型逆变器和电流型逆变器 5

    1.3 功率器件的作用 7

    1.4 功率器件的类型 11

    1.5 MOSFET和IGBT的兴起 12

    1.6 近期功率器件技术趋势 14

    1.7 车用功率器件 15

    1.8 车用功率器件的种类 17

    参考文献 19

    第2章 硅MOSFET 21

    2.1 简介

    2.2 功率MOSFET 24

    2.2.1 基本单元结构 24

    2.2.2 功率MOSFET制作工艺 25

    2.. MOS结构的简单基础理论 26

    2.2.4 常开特和常闭特 32

    2.2.5 电流-电压特 34

    2.2.6 漏极-源极间的耐压特 35

    2.2.7 功率MOSFET的导通电阻 39

    2.2.8 功率MOSFET的开关特 43

    2.2.9 沟槽栅极功率MOSFET 46

    2.2.10 选的硅功率MOSFET 47

    2.2.11 MOSFET内置二极管 54

    2.2.12 外围耐压区 56

    参考文献 60

    第3章 硅IGBT 63

    3.1 简介 65

    3.2 基本单元结构 65

    3.3 IGBT的诞生 66

    3.4 电流-电压特 6

    3.5 集电极-发极间的耐压特 69

    3.6 IGBT的开关特 71

    3.6.1 导通特 73

    3.6.2 关断特 76

    3.7 IGBT的破坏耐量(安全工作区域) 79

    3.7.1 IGBT关断时的破坏耐量 79

    3.7.2 IGBT负载短路时的破坏耐量 80

    3.8 IGBT的单元结构 82

    3.9 IGBT单元结构的发展 83

    3.9.1 IGBT晶圆减薄工艺 87

    3.10 IGBT封装技术 90

    3.11 近期新IGBT技术 91

    3.11.1 表面单元结构的近期新技术 91

    3.11.2 逆阻型IGBT和逆导型IGBT 92

    3.12 未来展望 95

    参考文献 97

    第4章 硅二极管 99

    4.1 简介 101

    4.2 二极管的电流-电压特和反向恢复特 101

    4.3 单极二极管 103

    4.3.1 肖特基势垒二极管(SBD) 103

    4.4 双极二极管 104

    4.4.1 PIN二极管 104

    4.4.2 SSD和MPS二极管 109

    参考文献 111

    第5章 SiC功率器件 113

    5.1 简介 115

    5.2 晶体生长和晶圆加工工艺 115

    5.3 SiC单极器件和SiC双极器件 116

    5.4 SiC二极管 117

    5.4.1 SiC-JBS二极管 119

    5.4.2 SiC-JBS制备工艺 121

    5.4.3 SiC-JBS二极管外围耐压区 1

    5.4.4 SiC-JBS二极管的破坏耐量 125

    5.4.5 硅IGBT和SiC-JBS二极管的混合模块 126

    5.4.6 SiC-PIN二极管的正向劣化 126

    5.5 SiC-MOSFET 128

    5.5.1 SiC-MOSFET制造工艺 130

    5.5.2 源极-漏极间的耐压设计 133

    5.5.3 平面MOSFET单元设计 135

    5.5.4 SiC沟槽MOSFET 136

    5.5.5 SiC沟槽MOSFET制作工艺 137

    5.5.6 SiC-MOSFET的破坏耐量解析 139

    5.6 近期新SiC-MOSFET技术 141

    5.6.1 SiC结MOSFET 141

    5.6.2 新型MOSFET 142

    5.7 SiC器件贴装技术 143

    参考文献 146

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