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  • 醉染图书宽禁带半导体微结构与光电器件光学表征9787560664293
  • 正版全新
    • 作者: 徐士杰 等著 | 徐士杰 等编 | 徐士杰 等译 | 徐士杰 等绘
    • 出版社: 西安电子科技大学出版社
    • 出版时间:2022-08-01
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    • 作者: 徐士杰 等著| 徐士杰 等编| 徐士杰 等译| 徐士杰 等绘
    • 出版社:西安电子科技大学出版社
    • 出版时间:2022-08-01
    • 版次:1
    • 印次:1
    • 字数:408000
    • 页数:392
    • 开本:16开
    • ISBN:9787560664293
    • 版权提供:西安电子科技大学出版社
    • 作者:徐士杰 等
    • 著:徐士杰 等
    • 装帧:精装
    • 印次:1
    • 定价:128.00
    • ISBN:9787560664293
    • 出版社:西安科技大学出版社
    • 开本:16开
    • 印刷时间:暂无
    • 语种:暂无
    • 出版时间:2022-08-01
    • 页数:392
    • 外部编号:1202760468
    • 版次:1
    • 成品尺寸:暂无

    章宽禁带半导体激光器技术与表征

    1.1引言

    1.2MOCVD技术简介

    1.3GaN材料的MOCVD生长与表征

    1.4GaN材料的p型掺杂与表征

    1.5InGaN量子阱的生长与表征

    1.6器件工艺与表征

    1.7本章小结

    参考文献

    第2章Si衬底GaN基激光器生长制备与测试表征

    2.1引言

    2.2Si衬底GaN基激光器材料生长与测试表征

    2.2.1Si衬底GaN基激光器材料外延生长中的关键挑战

    2.2.2Si衬底高质量GaN薄膜材料的测试表征

    2..Si衬底GaN基激光器的应力状态及结构缺陷表征

    ……

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