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  • 醉染图书碳化硅技术基本原理9787111586807
  • 正版全新
    • 作者: (日)木本恒畅,(美)詹姆士A.库珀(James A.Cooper) 著;夏经华 等 译著 | (日)木本恒畅,(美)詹姆士A.库珀(James A.Cooper) 著;夏经华 等 译编 | (日)木本恒畅,(美)詹姆士A.库珀(James A.Cooper) 著;夏经华 等 译译 | (日)木本恒畅,(美)詹姆士A.库珀(James A.Cooper) 著;夏经华 等 译绘
    • 出版社: 机械工业出版社
    • 出版时间:2018-05-01
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    • 作者: (日)木本恒畅,(美)詹姆士A.库珀(James A.Cooper) 著;夏经华 等 译著| (日)木本恒畅,(美)詹姆士A.库珀(James A.Cooper) 著;夏经华 等 译编| (日)木本恒畅,(美)詹姆士A.库珀(James A.Cooper) 著;夏经华 等 译译| (日)木本恒畅,(美)詹姆士A.库珀(James A.Cooper) 著;夏经华 等 译绘
    • 出版社:机械工业出版社
    • 出版时间:2018-05-01
    • 版次:1
    • 印次:1
    • 字数:649千字
    • 页数:500
    • 开本:16开
    • ISBN:9787111586807
    • 版权提供:机械工业出版社
    • 作者:(日)木本恒畅,(美)詹姆士A.库珀(James A.Cooper) 著;夏经华 等 译
    • 著:(日)木本恒畅,(美)詹姆士A.库珀(James A.Cooper) 著;夏经华 等 译
    • 装帧:平装
    • 印次:1
    • 定价:150.00
    • ISBN:9787111586807
    • 出版社:机械工业出版社
    • 开本:16开
    • 印刷时间:暂无
    • 语种:暂无
    • 出版时间:2018-05-01
    • 页数:500
    • 外部编号:1201693116
    • 版次:1
    • 成品尺寸:暂无

    译者序
    原书前言
    原书作者简介
    章 导论1
    1.1 学的进展1
    1.2 碳化硅的特和简史3
    1.2.1 早期历史3
    1.2.2 SiC晶体生长的革新4
    1.. SiC功率器件的前景和展示5
    1.3 本书提纲6 参考文献7
    第2章 碳化硅的物理质10
    第3章 碳化硅晶体生长36
    第4章 碳化硅外延生长70
    第5章 碳化硅的缺陷及表征技术117
    第6章 碳化硅器件工艺177
    第7章 单极型和双极型功率二极管262
    第8章 单极型功率开关器件286
    第9章 双极型功率开关器件336
    9.1 双极结型晶体管(BJT) 336
    9.1.1 内部电流337
    9.1.2 增益参数338
    9.1.3 端电流340
    9.1.4 电流-电压关系341
    9.1.5 集电区中的大电流效应:饱和和准饱和343
    9.1.6 基区中的大电流效应:Rittner效应347
    9.1.7 集电区的大电流效应:二次击穿和基区扩散效应351
    9.1.8 共发极电流增益:温度特353
    9.1.9 共发极电流增益:复合效应353
    9.1.10 阻断电压355
    9.2 绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 356
    9.2.1 电流-电压关系357
    9.2.2 阻断电压367
    9.. 开关特36
    9.2.4 器件参数的温度特373
    9.3 晶闸管375
    9.3.1 正向导通模式377
    9.3.2 正向阻断模式和触发381
    9.3.3 开通过程386
    9.3.4 dV/dt触发388
    9.3.5 dI/dt的389
    9.3.6 关断过程390
    9.3.7 反向阻断模式397
    参考文献397
    0章 功率器件的优化和比较398
    1章 碳化硅器件在电力系统中的应用425
    2章 专用碳化硅器件及应用466
    附录490
    附录A 4H-SiC中的不接近杂质电离490
    参考文献494
    附录B 双曲函数的质494
    附录C 常见SiC多型体主要物理质497
    C.1 质497
    C.2 主要物理质的温度和/或掺杂特49
    参考文献499

    木本恒畅,日本京都大学科学与工程系的教授。他的主要科研活动包括SiC的外延生长、光学和电学特表征、缺陷学、离子注入、金属-氧化物-半导体(MOS)物理和高电压器件。此外,他也参与了在纳米级的硅、锗器件、非易失存储器中用新型材料,以及基于氮化镓(GaN)的器件方面的研究。
    詹姆士A.库珀,美国普渡大学电气与计算机工程学院的一位半导体界的元
    老级人物。

    作为各类力电系统中的关键部件,功率半导体器件受到越来越多的关注。    功率器件的主要应用包括电源、电机控制、可能源、交通、通信、供热、机器人技术及电力传输和分配等方面。半导体功率器件在这些系统中的应用可以显著节省能源,加强化石燃料的节约,并减少环境污染。    随着一些新兴市场的出现,包括光伏电池和燃料电池的电能变换器、电动汽车(EV)和混合动力电动汽车(HEV)用电能变换器和逆变器,以及智能电力设备配电网的控制,力电在过去的十年里再次引发全新的关注。目前,半导体功率器件是未来优选节能和电能管理的关键推动力之一。    在过去的几十年里,硅功率器件得到了显著的提升。然而,这些器件正在接近由硅的基本材料特所限定的能极限,进一步能的提升只有通过迁移到更强大的半导体材料。碳化硅(SiC) 是一种有着优异物理和电气能的宽禁带半导体,适合作为未来的高电压、低损耗力电的基础。    SiC是一种Ⅳ -Ⅳ族化合物半导体,有着23~33eV的禁带宽度(取决于晶体结构,或多型体),它拥有10倍于Si的击穿电场强度、3倍于Si的热导率,使得SiC对于大功率和高温器件具有特别的吸引力。例如,在给定阻断电压下,SiC功率器件的通态电阻比Si器件的要低好几个数量级,这会大大提高电能变换效率。    SiC的宽禁带特和热稳定使得某些类型的SiC器件可以在结温达300℃或者更高的温度下工作而不会产生可测量的能退化。在宽禁带半导体中,SiC是比较特殊的,因为它可以容易地在超过5个数量级的范围进行p型或者n型掺杂;另外,SiC是专享的化合物半导体,其自然氧化物是SiO2,是和硅的自然氧化物一样的绝缘体,这使得用SiC制造整个基于MOS(金属-氧化物-半导体) 家族的器件成为可能。    自20世纪80年代以来,有关SiC材料和器件技术的开发得到了持续的投入。    基于20世纪80年代和90年代的多项技术突破,SiC肖特基势垒二极管(SBD)的商业化产品于2001年成功面世,并且在过去的若干年里,SiCSBD的市场得到了迅展。SBD被应用于各种类型的电力系统中,包括开关电源、光伏变换器及空调、电梯和地铁的电机控制。SiC功率开关器件的商业化生产开始于2006~2010年间,主要有JFET(结型场效应晶体管) 和MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)。这些器件得到了市场广泛接受,现在,很多行业已经开始利用这些SiC功率开关器件所带来的好处。作为一个例子,根据SiC元器件应用的程度,一个电源或逆变器的体积和重量可以减少4~10倍。除了尺寸和重量方面的减少外,使用SiC元器件还可以使功耗也得到了大幅降低,从而使电力变换系统的效率得到显著提高。    近年来,SiC专业社团在学术界和工业界发展迅猛,越来越多的公司在致力于发展SiC晶圆和/或器件的生产制造能力,相关的年轻科学家和的数量也在与日俱增。然而,现在几乎没有教科书在从材料到器件再到应用这样宽的范围内涵盖SiC技术,因此,这些科学家、和会是本书的潜在读者。作者也希望本书对这些读者来说是及时的和有益的,并使得他们可以迅速获得在此领域内实践所需的基本知识。由于本书同时包涵了基础和不错概念,需要读者有一定的半导体物理及器件基础,不过,对于材料科学或者电气工程专业的来说,阅读本书将不会有困难。    本书所涉及的主要内容包括SiC的物理特、晶体和外延生长、电学和光学能的表征、扩展缺陷和点缺陷、器件工艺、功率整流器和开关器件的设计理念、单/双极型器件的物理和特征、击穿现象、高频和高温器件以及SiC器件的系统应用,涵盖了基本概念和近期新发展现状。特别是,我们力图对每个主题做深入的阐释,包括基本的物理特、近期新的理解、尚未解决的问题和未来的挑战。    ,本书作者致谢这一领域的一些同事和先驱,特别感谢WJChoyke教授(匹兹堡大学)、HMatsunami荣誉教授(京都大学)、GPensl博士(埃尔兰根-纽伦堡大学,已故)、EJanzén教授(林雪平大学)和JWPalmour博士(科锐公司),感谢他们对本领域和我们对本领域的认识的宝贵贡献;我们也对Wiley出版社的JamesMurphy先生和ClarissaLim女士的指导和耐心表示感谢。,我们要感谢我们的家人在写作本书时给予的体贴支持和鼓励,没有他们的支持和理解,就不会有本书的出版。    木本恒畅詹姆士A.库珀

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