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醉染图书与光子材料的制备和特/与光子材料手册9787560337616
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缩略语
Part B 制备和特
12 体单晶生长――方法与材料
12.1 背景
12.2 技术
1. 材料生长
12.4 结论
参考文献
13 单晶硅:生长与特
13.1 综述
13.2 原始材料
13.3 单晶生长
13.4 新型晶体生长方法
参考文献
14 晶体外延生长:方法与材料
14.1 液相外延(LPE)
14.2 有机金属化学气相沉积(MOCvD)
14.3 分子束外延(MBE)
参考文献
15 窄带隙Ⅱ-Ⅵ族半导体:生长
15.1 体生长技术
15.2 液相外延(LPE)
15.3 有机金属气相外延(MOVPE)
15.4 分子束外延(MBE)
15.5 替代cMT
参考文献
16 宽带隙Ⅱ-Ⅵ族半导体:生长与特
16.1 晶体特
16.2 外延生长
16.3 体单晶生长
16.4 结论
参考文献
17 结构特征
17.1 辐-材料作用
17.2 粒子-材料作用
17.3 X线衍
17.4 光衍、成像衍与衍
17.5 功能活动特征
17.6 样品制备
17.7 案例研究――和光电材料互补特
17.8 结论
参考文献
18 表面化学分析
18.1 光谱学
18.2 辉光放电光谱学(GDOES和GDMS)
18.3 二次离子质谱
18.4 结论
19 热特与热分析:基础理论、实验技术和应用
19.1 热容
19.2 热传导
19.3 热膨胀
19.4 焓的热能
19.5 温度调制DSC(TMDSC)
参考文献
20 半导体材料与器件的电特
20.1 电阻率
20.2 霍尔效应
20.3 电容-电压测量
20.4 电流-电压测量
20.5 电荷泵
20.6 低频噪声
20.7 深能级瞬态光谱学
参考文献
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