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[醉染正版] 半导体器件物理 第3版 西安交通大学出版社+半导体器件物理与工艺 第三版 施敏 苏州大学出版社 电子信
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| 基本信息 | |||
| 书 名 | 半导体器件物理(第3版)(引进) | ||
| 外文书名 |
| 出版社 | 西安交通大学出版社 |
| 作 者 | (美)施敏,(美)伍国珏 | 原作者 |
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| 出版时间 | 2008.06 | I S B N | 9787560525969 |
| 套装书 | 否 | 引进版 | 是 |
| 装 帧 | 平装 | 版 次 | 3 |
| 字 数 | 933000 | 配套资源 | |
| 页 数 | 598 | 开 本 | 16开 |
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| 内容简介 | |||
| 《半导体器件物理》这本经典著作在半导体器件领域已经树立起了先进的学习和参考典范。此书的第3版保留了重要半导体器件的最为详尽的知识内容,并做了更新和重新组织,反映了当今器件在概念和性能等方面的巨大进展,它可以使读者快速地了解当今半导体物理和所有主要器件,如双极、场效应、微波、光子器件和传感器的性能特点 本书专为研究生教材和参考所需设计,新版本包括:以最新进展进行了全面更新;包括了对三维MOSFET、MODFET、共振隧穿二极管、半导体传感器、量子级联激光器、单电子晶体管、实空间转移器件等新型器件的叙述;对内容进行了重新组织和安排;各章后面配备了习题;重新高质量地制作了书中的所有插图 《半导体器件物理》(第3版)为工程师、研究人员、科技工作者、高校师生提供了解当今应用中最为重要的半导体器件的基础知识,对预测未来器件性能和局限性提供了良好的基础。 |
| 目 录 | |||
| 译者序 前言 导言 第1部分 半导体物理 第1章 半导体物理学和半导体性质概要 第2部分 器件的基本构件 第2章 p-n结二极管 第3章 金属-半导体接触 第4章 金属-绝缘体-半导体电容 第3部分 晶体管 第5章 双极晶体管 第6章 MOS场效应晶体管 第7章 JFET,MESFET和MODFET器件 第4部分 负阻器件和功率器件 第8章 隧道器件 第9章 碰撞电离雪崩渡越时间二极管 第10章 转移电子器件和实空间转移器件 第11章 晶闸管和功率器件 第5部分 光学器件和传感器 第12章 发光二极管和半导体激光器 第13章 光电探测器和太阳电池 第14章 传感器 附录 |
| 基本信息 | |||
| 书 名 | 半导体器件物理与工艺(第三版) | ||
| 外文书名 |
| 出版社 | 苏州大学出版社 |
| 作 者 | 施敏,李明逵 | 定 价 | 36.00元 |
| 出版时间 | 2014.04 | I S B N | 9787567205543 |
| 套装书 | 否 | 重 量 | KG |
| 装 帧 | 平装 | 版 次 | 3 |
| 字 数 |
| 配套资源 | |
| 页 数 | 558 | 开 本 | 16开 |
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| 内容简介 | |||
| 半导体器件物理与工艺(第三版)》分三大部分:部分“半导体物理”主要描述半导体的基本特性和它的传导过程,尤其着重在硅和砷化镓两种重要的半导体材料上。第二部分 “半导体器件”讨论所有主要半导体器件的物理过程和特性。由对大部分半导体器件而言关键的p-n结开始,接下来讨论双极型和场效应器件,后讨论微波、量子效应、热电子和光电子器件。第三部分“半导体工艺”介绍从晶体生长到掺杂等工艺技术。 |
| 目 录 | |||
| 第0章 引言 0.1 半导体器件 0.2 半导体工艺技术 总结 参考文献 第1部分 半导体物理 第1章 能带和热平衡载流子浓度 1.1 半导体材料 1.2 基本晶体结构 1.3 共价键 1.4 能带 1.5 本征载流子浓度 1.6 施主与受主 ...... |
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