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  • 全新半导体材料王如志,刘维,刘立英9787302542971
  • 正版
    • 作者: 王如志,刘维,刘立英著 | 王如志,刘维,刘立英编 | 王如志,刘维,刘立英译 | 王如志,刘维,刘立英绘
    • 出版社: 清华大学出版社
    • 出版时间:2019-12-01
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    • 作者: 王如志,刘维,刘立英著| 王如志,刘维,刘立英编| 王如志,刘维,刘立英译| 王如志,刘维,刘立英绘
    • 出版社:清华大学出版社
    • 出版时间:2019-12-01
    • 版次:1
    • 印次:1
    • 字数:245000
    • 页数:153
    • 开本:16开
    • ISBN:9787302542971
    • 版权提供:清华大学出版社
    • 作者:王如志,刘维,刘立英
    • 著:王如志,刘维,刘立英
    • 装帧:平装
    • 印次:1
    • 定价:48.00
    • ISBN:9787302542971
    • 出版社:清华大学出版社
    • 开本:16开
    • 印刷时间:暂无
    • 语种:暂无
    • 出版时间:2019-12-01
    • 页数:153
    • 外部编号:1202010152
    • 版次:1
    • 成品尺寸:暂无

    章 半导体材料概述
    1.1 半导体材料的发展与应用
    1.2 半导体材料的概念与质
    1.2.1 半导体材料的概念
    1.2.2 半导体材料的质
    第2章 典型半导体材料
    2.1 硅、锗单质半导体材料
    2.1.1 硅
    2.1.2 锗
    2.2 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料
    2.2.1 光学质
    2.2.2 杂质自补偿特
    2.. 应用概述
    . Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料
    ..1 基本质
    ..2 晶体结构、化学键和极
    .. 部分重要 Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的应用
    2.4 非晶半导体材料
    2.4.1 非晶半导体物理特
    2.4.2 非晶态半导体制备
    2.4.3 非晶态半导体特分析
    2.4.4 非晶态半导体的应用
    2.5 有机半导体材料
    2.5.1 有机半导体材料的基本质
    2.5.2 有机半导体材料的分类
    2.5.3 有机半导体材料的应用
    第3章 半导体材料的制备与工艺
    3.1 半导体单晶的制备方法
    3.1.1 单晶提纯
    3.1.2 单晶生长
    3.1.3 晶片的制备
    3.2 半导体薄膜生长方法
    3.2.1 外延生长介绍
    3.2.2 真空蒸发镀膜法
    3.. 溅法镀膜
    3.2.4 离子成膜技术
    3.2.5 化学气相沉积法
    第4章 纳米半导体材料
    4.1 纳米半导体材料的物理效应和特
    4.1.1 半导体材料的物理效应
    4.1.2 纳米半导体材料的基本特
    4.2 一维硅、锗纳米半导体
    4.2.1 硅纳米线
    4.2.2 硅纳米管
    4.. 锗纳米线
    4.3 一维氧化锌纳米材料
    4.3.1 一维氧化锌纳米材料的制备方法
    4.3.2 一维氧化锌纳米材料的应用
    4.4 碳纳米管
    4.4.1 碳纳米管的结构
    4.4.2 碳纳米管的质
    4.4.3 碳纳米管的制备
    4.4.4 碳纳米管的纯化方法
    4.4.5 碳纳米管的应用
    4.4.6 表征技术
    4.5 半导体量子材料
    4.5.1 半导体量子点材料
    4.5.2 半导体量子线材料
    第5章 半导体材料测试与表征
    5.1 半导体材料微区电阻测试技术
    5.1.1 微区薄层电阻测试方法
    5.1.2 微区电阻测试方法的基本原理
    5.1.3 四探针测试方法
    5.2 霍尔效应测试方法
    5.2.1 霍尔效应的基本原理
    5.2.2 霍尔测试样品
    5.. 霍尔测试条件
    5.3 俄歇能谱
    5.3.1 俄歇能谱测试系统
    5.3.2 俄歇能谱表面分析技术
    5.3.3 俄歇谱在半导体领域中的典型应用
    5.4 红外光谱分析技术
    5.4.1 傅里叶变换红外光谱优点
    5.4.2 傅里叶变换红外光谱测试系统
    5.4.3 红外光谱测试样品制备
    5.4.4 测试条件
    5.5 扫描探针显微镜
    5.5.1 扫描隧道显微镜
    5.5.2 原子力显微镜
    5.5.3 扫描近场光学显微镜
    附录A Si半导体特参数
    A.1 基本参数 (300K)
    A.2 能带结构与载流子浓度
    A.3 电学质
    A.4 光学质
    A.5 热力学能
    附录B Ge半导体特参数
    B.1 基本参数 (300K)
    B.2 能带结构与载流子浓度
    B.3 电学质
    B.4 光学质
    B.5 热力学能
    附录C C半导体特参数
    C.1 基本参数 (300K)
    C.2 能带结构与载流子浓度
    C.3 电学质
    C.4 热力学能
    附录D GaAs半导体特参数
    D.1 基本参数
    D.2 能带结构与载流子浓度
    D.3 电学质
    D.4 热力学能
    附录E GaN半导体特参数
    E.1 纤锌矿型GaN基本参数
    E.2 力学能关参数
    E.3 纤锌矿型 GaN波传播特
    E.4 闪锌矿型 GaN力学能关参数
    E.5 闪锌矿型 GaN波传播特
    E.6 GaN的热能参数
    E.7 纤锌矿型 GaN电学和光学特
    E.8 闪锌矿型 GaN电学和光学特
    附录F AlN半导体特参数
    F.1 与纤锌矿机械能关的参数
    F.2 与闪锌矿机械能关的参数
    F.3 闪锌矿型 AlN波传播特
    F.4 纤锌矿型 AlN的热能关参数
    F.5 纤锌矿型 AlN的光电能关参数
    F.6 闪锌矿型 AlN的光电能关参数
    参考文献

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