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全新宽禁带半导体氧化镓——结构、制备与能陶绪堂9787560664446
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氧化镓作为新型的宽禁带半导体材料,在高压功率器件、深紫外光电器件、高亮度LED等方有重要的应用前景。本书从氧化镓半导体材料的发展历程、材料特、材料制备原理与技术及电学质调控等几个方面做了较全面的介绍,重点梳理了作者及国内外同行在单晶制备方法、衬底加工、薄膜外延方面的研究成果;系统阐述了获得高质量体块单晶及薄膜的思路和方法,并对氧化镓的发展进行了综述和展望。
本书可作为宽禁带半导体材料与器件相关的半导体、材料、化学、微等专业研究人员及理工科高校教师、、高年级生的参考书或工具书,也可供对宽禁带半导体材料氧化镓感兴趣的人员参考。
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