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  • 音像占“新”为民 兴“材”报国:王占国院士文集半导体研究所编
  • 正版
    • 作者: 中国科学院半导体研究所编著 | 中国科学院半导体研究所编编 | 中国科学院半导体研究所编译 | 中国科学院半导体研究所编绘
    • 出版社: 科学出版社
    • 出版时间:2017-01-01
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    • 作者: 中国科学院半导体研究所编著| 中国科学院半导体研究所编编| 中国科学院半导体研究所编译| 中国科学院半导体研究所编绘
    • 出版社:科学出版社
    • 出版时间:2017-01-01
    • 版次:1
    • 印次:1
    • 印刷时间:2018-11-01
    • 字数:1380000
    • 页数:634
    • 开本:16开
    • ISBN:9787030591067
    • 版权提供:科学出版社
    • 作者:半导体研究所编
    • 著:半导体研究所编
    • 装帧:精装
    • 印次:1
    • 定价:480.00
    • ISBN:9787030591067
    • 出版社:科学出版社
    • 开本:16开
    • 印刷时间:2018-11-01
    • 语种:中文
    • 出版时间:2017-01-01
    • 页数:634
    • 外部编号:9335153
    • 版次:1
    • 成品尺寸:暂无


    篇 自传
    幼年时光
    初入小学
    远足与讲演
    夜“逃”红军
    崭新的小学生活
    侯集镇的3年初中生活
    夜惊
    雪夜宿房营
    入伙
    紧张有趣的课外活动
    南阳第二高中
    只身北上南开求学
    胆战心惊的高等数学课
    视察南开大学
    3年困难时期的大学生活
    早期科研工作概述
    什刹海黑夜救同事
    天津小站劳动锻炼
    1978年中国物理学会年会趣事
    变温霍尔系数测量系统建设
    留学瑞典隆德大学固体物理系
    1984年回国后的研究工作
    第二篇 论著选编
    硅的低温电学质
    Evidence that the gold donor and acceptor in silicon are two levels of the same defect
    Optical properties of iron doped AlxGal1-x As alloys
    Electronic properties of native deep-level defects in liquid-phase epitaxial GaAs
    Direct evidence for random-alloy spliUing of Cu levels in GaAs1-xPx
    Acceptor associates and bound excitons in GaAs:Cu
    Localization of excitons to Cu-related defects in GaAs
    Direct evidence for the acceptorlike character of the Cu-related C and F bound--exciton centers in GaAs
    混晶半导体中深能级的展宽及其有关效应
    Electronic properties of an electron-attractive complex neutral defect in GaAs
    硅中金施主和受主光电质的系统研究
    A novel model of“new donors”in Czocbralski-grown silicon
    Electrical characteristics of GaAs grown from the melt in a reduced-gravity environment
    SI-GaAs单晶热稳定及其电学补偿机理研究
    Interface roughness scattering in GaAs-AlGaAs moaton-doped heterostructures
    Simulation of lateral confinement in very narrow channels
    Theoretical investigation of the dynamic process of the illumination of GaAs
    Effect of image forces on electrons confined in low-dimensional structures under a magnetic field
    Photoluminescence studies of single submonolayer InAs structures grown on GaAs(001)matrix
    Influence of DX centers in the AlxGa1-x As barrier on the low-temperature density an obility of the two-dimensional electron gas in GaAs/A1GaAs moaton-doped heterostructure
    Photoluminescence studies on very high-density quasi-two-dimensional electron gases in pseudomorphic moaton-doped quantum wells
    Ordering along(111)and(100)directions in GaInP demonstrated by photoluminescence under hydrostatic pressure
    Influence of the semi-insulating GaAs Schotkypdn the Schottky barrier in the active layer
    Electrical properties of semi-insulating GaAs grown from the melt under microgravity conditions
    808nm high-power laser grown by MBE through the control of Be diffusion and use of superlattice
    Reflectance-difference spectroscopy study of the Fermi-level position of low-temperature-grown GaAs
    半导体材料的现状和发展趋势
    Effects of annealing on self-organized InAs quantum islands on GaAs(100)
    Wurtzite GaN epitaxial growth on a si(00 1)substrate using γ-A12 03 as an intermediate layer
    High-density InAs nanowires realized in situ on(100)InP
    High power continuous-wave oraio of self-organized In(Ga)As/GaAs quantum dot lasers
    ntum-dot superluminescent diode:A proposal for an ultra-wide output spectrum
    Optical properties of InAs self-organized quantum dots in n-i-p-i GaAs superlattices
    High-performance strain-compensated InGaAs/InAlAs quantum cascade lasers
    Research and development of electronic and optoelectronic materials in China
    半导体量子点激光器研究进展
    High-power and long-lifetime InAs/GaAs quantum-dot laser at 1080nm
    Self-assembled quantum dots.wires and quantum-dot lasers
    Controllable growth of semiconductor nanometer structures
    Effect of Ino 2Ga0 8As and Ino 2A10 8As combination layer on band offsets of InAs quantum dots
    信息功能材料的研究现状和发展趋势
    High-performance quantum-dot superluminescent diodes
    Time dependence of wet oxidized A1GaAs/GaAs distributed Bragg reflectors
    Materials science in semiconductor processing
    半导体照明将触发照明光源的
    Study of the wetting layer of InAs/GaAs nanorings grown by droplet epitaxy
    Broadband external cavity tunable quantum dot lasers with low injection current density
    Experimental investigation Of wavelength-selectiVe optjcal fleedback fbr a high-power-quantum dot superluminescent device with two-section structure
    19μm quantum cascade infrared photodetectors
    High-perfbIxnance oraio of distribLltedl feedback terahertz quantum cascao’e lasers
    Efficacious engineering on charge extractiOn for realizing highly efficient perovskite solar cells
    Room temper’ature continuous wave quantum dot cascade laser emitling at 7.2μm
    第三篇 学术贡献
    忍受辐照伤痛,换来我国空间用硅太阳电池的定型投产
    挑战国际,澄清GaAs和硅中深能级物理本质
    “863”十年,掌舵我国新型半导体材料与器件发展
    任“S-863”专家组长,开展新材料领域战略研究
    任咨询组组长,为“973”材料领域发展做出重要贡献
    开拓创新,解决“信息功能材料相关基础问题
    推动材料基础研究,实施光电信息功能材料重大研究计划
    第四篇 回忆
    半导体材料科学实验室的筹建与初期发展历程回顾
    深情厚谊,历久弥坚
    王占国院士科研事迹回顾
    一段往事
    王占国院士支持南昌大学GaJN研究记事
    我生命中的贵人
    贺王占国老师80寿辰
    往事点滴
    在王占国导师身边的日子
    我们的大导师王占国院士
    我眼中的王占国院士
    德高望重,仰之弥高
    超宽禁带半导体材料研究组发展历程
    高山仰止心念恩师
    师道山高
    人生楷模学习的榜样
    谆谆教诲润物无声
    桃李遍天下
    记与王老师交往的二三事
    第五篇 附录
    个人简历
    大事记
    学术交流目录
    获奖目录
    论著目录
    专利目录
    培养学生简况
    后记

    本书梳理和总结了院士、半导体材料及材料物理学家王占国院士近60年从事半导体材料领域科研活动的历程。主要包括占院士活和工作的珍贵照片、有代表的研究、科研和工作事迹、回忆文章、获授奖项以及育人情况等内容。王占国院士是我国的半导体材料及材料物理学家,对推动我国半导体材料科学领域的学术繁荣、学科发展、技术创新、产业振兴以及人才培养做出了重要贡献。

    王占国院士是我国著名的半导体材料及材料物理学家。近60年来,王占国院士奋发拼搏,孜孜以求,为我国半导体学科建设、技术创新、产业振兴以及人才培养做出了杰出贡献。半导体研究所编的这本《占新为民兴材报国》从各个方面、不同角度反映了王占国院士近60年来在半导体科学技术领域里辛勤耕耘、不断开拓,取得的一系列开创成果的奋斗历程。全书共分五篇,内容包括自传、论著选编、学术贡献、回忆、附录。

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