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音像与光子材料的制备和特/与光子材料手册SAFA KASAP
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缩略语Part B 制备和特 12 体单晶生长――方法与材料 12.1 背景 12.2 技术 1. 材料生长 12.4 结论 参考文献 13 单晶硅:生长与特 13.1 综述 13.2 原始材料 13.3 单晶生长 13.4 新型晶体生长方法 参考文献 14 晶体外延生长:方法与材料 14.1 液相外延(LPE) 14.2 有机金属化学气相沉积(MOCvD) 14.3 分子束外延(MBE) 参考文献 15 窄带隙Ⅱ-Ⅵ族半导体:生长 15.1 体生长技术 15.2 液相外延(LPE) 15.3 有机金属气相外延(MOVPE) 15.4 分子束外延(MBE) 15.5 替代cMT 参考文献 16 宽带隙Ⅱ-Ⅵ族半导体:生长与特 16.1 晶体特 16.2 外延生长 16.3 体单晶生长 16.4 结论 参考文献 17 结构特征 17.1 辐-材料作用 17.2 粒子-材料作用 17.3 X线衍 17.4 光衍、成像衍与衍 17.5 功能活动特征 17.6 样品制备 17.7 案例研究――和光电材料互补特 17.8 结论 参考文献 18 表面化学分析 18.1 光谱学 18.2 辉光放电光谱学(GDOES和GDMS) 18.3 二次离子质谱 18.4 结论 19 热特与热分析:基础理论、实验技术和应用 19.1 热容 19.2 热传导 19.3 热膨胀 19.4 焓的热能 19.5 温度调制DSC(TMDSC) 参考文献 20 半导体材料与器件的电特 20.1 电阻率 20.2 霍尔效应 20.3 电容-电压测量 20.4 电流-电压测量 20.5 电荷泵 20.6 低频噪声 20.7 深能级瞬态光谱学 参考文献
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