诺森图书音像专营店
  • 扫码下单

  • 音像半导体数据手册:上册Ottried Madelung[著]
  • 正版
    • 作者: Ottried Madelung[著]著 | Ottried Madelung[著]编 | Ottried Madelung[著]译 | Ottried Madelung[著]绘
    • 出版社: 哈尔滨工业大学出版社
    • 出版时间:2013-09-01
    送至
  • 由""直接销售和发货,并提供售后服务
  • 加入购物车 购买电子书
    服务

    看了又看

    商品预定流程:

    查看大图
    /
    ×

    店铺装修中

    商家:
    诺森图书音像专营店
    联系:
    • 商品

    • 服务

    • 物流

    搜索店内商品

    诺森图书音像专营店

  • 新春将至,本公司假期时间为:2025年1月23日至2025年2月7日。2月8日订单陆续发货,期间带来不便,敬请谅解!

    商品参数
    • 作者: Ottried Madelung[著]著| Ottried Madelung[著]编| Ottried Madelung[著]译| Ottried Madelung[著]绘
    • 出版社:哈尔滨工业大学出版社
    • 出版时间:2013-09-01
    • 版次:1
    • 印刷时间:2014-03-01
    • 页数:396
    • 开本:大32开
    • ISBN:9787560345147
    • 版权提供:哈尔滨工业大学出版社
    • 作者:Ottried Madelung[著]
    • 著:Ottried Madelung[著]
    • 装帧:平装
    • 印次:暂无
    • 定价:158.00
    • ISBN:9787560345147
    • 出版社:哈尔滨工业大学出版社
    • 开本:大32开
    • 印刷时间:2014-03-01
    • 语种:英语
    • 出版时间:2013-09-01
    • 页数:396
    • 外部编号:8241122
    • 版次:1
    • 成品尺寸:暂无

    A Introduction
    General remarks to the structure of this volume
    2 Physical quantities tabulated in this volume
    B Tetrahedrally bonded elemensndpunds
    1 Elements of the IVth group and IV-IV pounds
    1.0 Crystal structure and electronic structure
    1.1 Diamond (C)
    1.2 Silicon (Si)
    1.3 Gcrmanium (Ge)
    1.4 Grey tin (a-Sn)
    1.5 Silicon carbide (SiC)
    1.6 Silicon germanium mixed crystals ( SixGe 1-x)
    2 III-V pounds
    2.0 Crystal structure and electronic structure
    2.1 Boron nitride (BN)
    2.2 Boron phosphide (BP)
    . Boron arsenide (BAs)
    2.4 Boron antimonide (BSb)
    2.5 Aluminumnitride(AIN)
    2.6 Aluminu hphide (AIP)
    2.7 Aluminumarsenide (AIAs)
    2.8 Aluminum antimonide (AISb)
    2.9 Gallium nitride (GaN)
    2.10 Galliu hphide (GaP)
    2.11 Gallium arsenide (GaAs)
    2.12 Gallium antimonide (GaSb)
    2.13 Indium nitride (InN)
    2.14 Indiuhphide (InP)
    2.15 Indium arsenide (InAs)
    2.16 Indium antimonide (InSb)
    2.17 Ternary alloys lattice matched to binary III-V pounds
    2.18 ternary alloys lattice matched to binary III-V pounds
    3 II-VI pounds
    3.0 Crystal structure and electronic structure
    3.1 Beryllium oxide (Be0)
    3.2 Beryllium sulfide (BeS)
    3.3 Beryllium selenide (BeSe)
    3.4 Beryllium telluride (BeTe)
    3.5 Magnesium oxide (Mg0)
    3.6 Magnesium sulfide (MgS)
    3.7 Magnesium selenide (MgSe)
    3.8 Magnesium telluride (MgTe)
    3.9 Calcium oxide (Ca0)
    3.10 Strontium oxide (Sr0)
    3.11 Barium oxide (Ba0)
    3.12 Zinc oxide (Zn0)
    3.13 Zinc sulfide (ZnS)
    3.14 Zinc selenide (ZnSe)
    3.15 Zin tlride (ZnTe)
    3.16 Cadmium oxide (Cd0)
    3.17 Cadmium sulfide (CdS)
    3.18 Cadmium selenide (CdSe)
    3.19 Cadmium telluride (CdTe)
    3.20 Mercury oxide (Hg0)
    3.21 Mercury sulfide (HgS)
    3.22 Mercury selenide (HgSe)
    3. Mercury telluride (HgTe)
    4 I-VII pounds
    4.0 Crystal structure and electronic structure
    4.1 Cuprous fluoride (CuF)
    4.2 Cuprous chloride (--CuCl)
    4.3 Cuprous bromide (y-CuBr)
    4.4 Cuprous iodide (γ-Cul)
    4.5 Silver fluoride (AgF).,
    4.6 Silver chloride (AgCl)
    4.7 Silver bromide (AgBr)
    4.8 Silver iodide (Agl)
    ……
    5 Ⅲ-Ⅵ pounds
    6 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2 pounds(included are I-Fe-VI2 pounds)
    7 Ⅱ-Ⅳ-Ⅴ2 pounds
    8 12-Ⅳ-Ⅵ3 pounds
    9 13-Ⅴ-Ⅵ4 pounds

    《半导体数据手册(上册)》是包含了几乎所有的半导体材料实验数据的参考书,适用对象包括材料、微学、科学与技术等专业的生和,以及从事半导体研究的专业人员。本手册内容包括:四面体键元素及其化合物特的实验数据(b);ⅲ、ⅴ、ⅵ族元素特的实验数据(c);各族元素的二元化合物特的实验数据(d);各族元素的三元化合物特的实验数据(e);硼、过渡金属和稀土化合物半导体特的实验数据(f);以及相关材料的晶体结构、电学特、晶格属、传输特、光学特、杂质和缺陷等内容。

    售后保障

    最近浏览

    猜你喜欢

    该商品在当前城市正在进行 促销

    注:参加抢购将不再享受其他优惠活动

    x
    您已成功将商品加入收藏夹

    查看我的收藏夹

    确定

    非常抱歉,您前期未参加预订活动,
    无法支付尾款哦!

    关闭

    抱歉,您暂无任性付资格

    此时为正式期SUPER会员专享抢购期,普通会员暂不可抢购