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  • 音像芯片制造——半导体工艺与设备陈译陈铖颖张宏怡
  • 正版
    • 作者: 陈译陈铖颖张宏怡著 | 陈译陈铖颖张宏怡编 | 陈译陈铖颖张宏怡译 | 陈译陈铖颖张宏怡绘
    • 出版社: 机械工业出版社
    • 出版时间:2022-01-01
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    • 作者: 陈译陈铖颖张宏怡著| 陈译陈铖颖张宏怡编| 陈译陈铖颖张宏怡译| 陈译陈铖颖张宏怡绘
    • 出版社:机械工业出版社
    • 出版时间:2022-01-01
    • ISBN:9787111688815
    • 版权提供:机械工业出版社
    • 作者:陈译陈铖颖张宏怡
    • 著:陈译陈铖颖张宏怡
    • 装帧:暂无
    • 印次:暂无
    • 定价:69.00
    • ISBN:9787111688815
    • 出版社:机械工业出版社
    • 开本:暂无
    • 印刷时间:暂无
    • 语种:暂无
    • 出版时间:2022-01-01
    • 页数:暂无
    • 外部编号:31320080
    • 版次:暂无
    • 成品尺寸:暂无

    章导论1
    1.1集成电路的发展历史1
    1.1.1世界上个集成电路1
    1.1.2摩尔定律5
    1.1.3集成电路的产业发展规律与节点7
    1.1.4摩尔定律的终结或超摩尔时代11
    1.2集成电路产业的发展15
    1.2.1集成电路产业链15
    1.2.2晶圆代工17
    1..集成电路产业结构变迁17
    参考文献20
    第2章集成电路制造工艺及生产线22
    2.1集成电路制造技术22
    2.1.1芯片制造22
    2.1.2工艺划分25
    2.1.3工艺技术路线25
    2.2集成电路生产线发展的历程与设计27
    2.2.1国外集成电路生产线发展情况27
    2.2.2国内集成电路生产线发展情况29
    2..集成电路生产线的工艺设计30
    .集成电路生产线的洁净系统32
    ..1洁净室系统32
    ..2空调系统33
    ..循环冷却水系统35
    ..4真空系统36
    ..5排气系统37
    2.4集成电路生产线的发展趋势38
    参考文献39
    第3章晶圆制备与加工41
    3.1简介41
    3.2硅材料42
    3.2.1为什么使用硅材料42
    3.2.2晶体结构与晶向42
    3.3晶圆制备44
    3.3.1直拉法与直拉单晶炉45
    3.3.2区熔法与区熔单晶炉46
    3.4晶圆加工与设备48
    3.4.1滚磨49
    3.4.2切断50
    3.4.3切片51
    3.4.4硅片退火54
    3.4.5倒角55
    3.4.6研磨55
    3.4.7抛光57
    3.4.8清洗与包装59
    参考文献60
    第4章加热工艺与设备61
    4.1简介61
    4.2加热单项工艺62
    4.2.1氧化工艺62
    4.2.2扩散工艺64
    4..退火工艺65
    4.3加热工艺的硬件设备66
    4.3.1扩散设备66
    4.3.2高压氧化炉69
    4.3.快速火处理设备70
    参考文献73
    第5章光刻工艺与设备74
    5.1简介74
    5.2光刻工艺75
    5.3光掩模与光刻胶材料77
    5.3.1光掩模的发展77
    5.3.2光掩模基板材料78
    5.3.3匀胶铬版光掩模79
    5.3.4移相光掩模80
    5.3.5极紫外光掩模81
    5.3.6光刻胶82
    5.3.7光刻胶配套试剂83
    5.4光刻设备84
    5.4.1光刻技术的发展历程84
    5.4.2接触/接近式光刻机86
    5.4.3步进重复光刻机87
    5.4.4步进扫描光刻机89
    5.4.5浸没式光刻机92
    5.4.6极紫外光刻机93
    5.4.7束光刻系统95
    5.4.8纳米束直写系统96
    5.4.9晶圆片匀胶显影设备98
    5.4.10湿法去胶系统101
    参考文献103
    第6章刻蚀工艺及设备105
    6.1简介105
    6.2刻蚀工艺106
    6.2.1湿法刻蚀和清洗106
    6.2.2干法刻蚀和清洗 108
    6.3湿法刻蚀与清洗设备110
    6.3.1槽式晶圆片清洗机110
    6.3.2槽式晶圆片刻蚀机112
    6.3.3单晶圆片湿法设备113
    6.3.4单晶圆片清洗设备114
    6.3.5单晶圆片刻蚀设备116
    6.4干法刻蚀设备117
    6.4.1等离子体刻蚀设备的分类117
    6.4.2等离子体刻蚀设备120
    6.4.3反应离子刻蚀设备122
    6.4.4磁场反应离子刻蚀设备1
    6.4.5电容耦合等离子体刻蚀设备125
    6.4.6电感耦合等离子体刻蚀设备127
    参考文献129
    第7章离子注入工艺及设备131
    7.1简介131
    7.2离子注入工艺132
    7.2.1基本原理132
    7.2.2离子注入主要参数135
    7.3离子注入设备137
    7.3.1基本结构137
    7.3.2设备技术指标145
    7.4损伤修复148
    参考文献148
    第8章薄膜生长工艺及设备149
    8.1简介149
    8.2薄膜生长工艺151
    8.2.1物理气相沉积及溅工艺151
    8.2.2化学气相沉积工艺152
    8..原子层沉积工艺152
    8.2.4外延工艺154
    8.3薄膜生长设备154
    8.3.1真空蒸镀设备154
    8.3.2直流物理气相沉积设备156
    8.3.3频物理气相沉积设备158
    8.3.4磁控溅设备159
    8.3.5离子化物理气相沉积设备161
    8.3.6常压化学气相沉积设备163
    8.3.7低压化学气相沉积设备164
    8.3.8等离子体化学气相沉积设备164
    8.3.9原子层沉积设备165
    8.3.10分子束外延系统167
    8.3.11气相外延系统168
    8.3.12液相外延系统169
    参考文献171
    第9章封装工艺及设备172
    9.1简介172
    9.2芯片级封装173
    9.2.1圆片减薄机173
    9.2.2砂轮划片机174
    9..激光划片机178
    9.3元器件级封装181
    9.3.1粘片机181
    9.3.2引线键合机182
    9.4板卡级封装185
    9.4.1塑封机185
    9.4.2电镀及浸焊生产线186
    9.4.3切筋成型机187
    9.4.4激光打印设备187
    参考文献188


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