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  • 音像碳化硅功率器件:特、测试和应用技术高远,陈桥梁 著
  • 正版
    • 作者: 高远,陈桥梁 著著 | 高远,陈桥梁 著编 | 高远,陈桥梁 著译 | 高远,陈桥梁 著绘
    • 出版社: 机械工业出版社
    • 出版时间:2021-07-01
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    • 作者: 高远,陈桥梁 著著| 高远,陈桥梁 著编| 高远,陈桥梁 著译| 高远,陈桥梁 著绘
    • 出版社:机械工业出版社
    • 出版时间:2021-07-01
    • 版次:1
    • 印次:1
    • 字数:419
    • 页数:311
    • 开本:16开
    • ISBN:9787111681755
    • 版权提供:机械工业出版社
    • 作者:高远,陈桥梁 著
    • 著:高远,陈桥梁 著
    • 装帧:平装
    • 印次:1
    • 定价:99.00
    • ISBN:9787111681755
    • 出版社:机械工业出版社
    • 开本:16开
    • 印刷时间:暂无
    • 语种:暂无
    • 出版时间:2021-07-01
    • 页数:311
    • 外部编号:31202139
    • 版次:1
    • 成品尺寸:暂无

    力电新技术系列图书序言

    前言
    章功率半导体器件基础1
    1.1Si功率器件1
    1.1.1Si功率二极管1
    1.1.2Si功率MOSFET5
    1.1.3Si IGBT9
    1.2SiC功率器件12
    1.2.1SiC半导体材料特12
    1.2.2SiC功率器件发展现状15
    参考文献25
    延伸阅读26
    第2章SiC MOSFET参数的解读、测试及应用29
    2.1值29
    2.1.1击穿电压29
    2.1.2热阻抗31
    2.1.3耗散功率和漏极电流32
    2.1.4安全工作域33
    2.2静态特35
    2.2.1传递特和阈值电压35
    2.2.2输出特和导通电阻35
    2..体二极管和第三象限导通特3
    .动态特39
    ..1结电容39
    ..2开关特40
    ..栅电荷47
    2.4参数测试48
    2.4.1I-V特测试48
    2.4.2结电容测试50
    2.4.3栅电荷测试53
    2.4.4测试设备53
    2.5FOM值55
    2.6器件建模与8
    2.7器件损耗计算63
    2.7.1损耗计算方法63
    2.7.2软件6
    参考文献68
    延伸阅读70
    第3章双脉冲测试技术75
    3.1功率变换器换流模式75
    3.2双脉冲测试基础79
    3.2.1双脉冲测试原理79
    3.2.2双脉冲测试参数设定82
    3..双脉冲测试平台85
    3.3测量挑战90
    3.3.1示波器90
    3.3.2电压探头104
    3.3.3电流传感器115
    3.3.4时间偏移118
    3.3.5寄生参数121
    3.4双脉冲测试设备126
    参考文献130
    延伸阅读132
    第4章SiC器件与Si器件特对比135
    4.1SiC MOSFET和Si SJ-MOSFET135
    4.1.1静态特135
    4.1.2动态特137
    4.2SiC MOSFET和Si IGBT145
    4.2.1传递特145
    4.2.2输出特145
    4..动态特146
    4.2.4短路特152
    4.3SiC二极管和Si二极管154
    4.3.1导通特154
    4.3.2反向恢复特155
    延伸阅读162
    第5章高di/dt的影响与应对——关断电压过冲163
    5.1关断电压过冲的影响因素163
    5.2应对措施1——回路电感控制165
    5.2.1回路电感与局部电感165
    5.2.2PCB线路电感167
    5..器件封装电感168
    5.3应对措施2——去耦电容170
    5.3.1电容器基本原理170
    5.3.2去耦电容基础172
    5.3.3小信号模型分析176
    5.4应对措施3——降低关断速度184
    参考文献186
    延伸阅读187
    第6章高dv/dt的影响与应对——crosstalk188
    6.1crosstalk基本原理188
    6.1.1开通crosstalk189
    6.1.2关断crosstalk191
    6.2关键影响因素194
    6.2.1等效电路分析194
    6.2.2实验测试方案与结果195
    6.3应对措施1——米勒钳位200
    6.3.1晶体管型米勒钳位200
    6.3.2IC集成有源米勒钳位202
    6.4应对措施2——驱动回路电感控制206
    6.4.1驱动回路电感对米勒钳位的影响206
    6.4.2封装集成206
    参考文献212
    延伸阅读213
    第7章高dv/dt的影响与应对——共模电流214
    7.1信号通路共模电流214
    7.1.1功率变换器的模电214
    7.1.2信号通路共模电流特217
    7.2应对措施1——高CMTI驱动芯片219
    7.3应对措施2——高共模阻抗2
    7.3.1减小隔离电容2
    7.3.2共模电感224
    7.4应对措施3——共模电流疏导225
    7.4.1Y电容225
    7.4.2并行供电226
    7.4.3串联式驱动电路227
    7.5差模干扰测量227
    7.5.1常规电压探头227
    7.5.2电源轨探头229
    参考文献5
    延伸阅读
    第8章共源极电感的影响与应对
    8.1共源极电感
    8.1.1共源极电感及其影响
    8.1.2开尔文源极封装241
    8.2对比测试方案242
    8.2.1传统对比测试方案242
    8.2.24-in-4和4-in-3对比测试方案244
    8.3对开关过程的影响245
    8.3.1开通过程245
    8.3.2关断过程249
    8.3.3开关能量与dVDS/dt253
    8.4对crosstalk的影响257
    8.4.1开通crosstalk257
    8.4.2关断crosstalk261
    参考文献265
    延伸阅读266
    第9章驱动电路设计267
    9.1驱动电路基础267
    9.1.1驱动电路架构与发展267
    9.1.2驱动电路各功能模块269
    9.2驱动电阻取值275
    9.3驱动电压280
    9.3.1SiC MOSFET对驱动电压的要求280
    9.3.2关断负电压的提供281
    9.4驱动级特的影响283
    9.4.1 输出峰值电流283
    9.4.2BJT和MOSFET电流Boost284
    9.4.3米勒斜坡下的驱动能力287
    9.5信号隔离传输292
    9.5.1隔离方式292
    9.5.2安规与绝缘295
    9.6短路保护300
    9.6.1短路保护的检测方式301
    9.6.2DESAT短路保护303
    参考文献306
    延伸阅读309

    现任泰科天润半导体技术有限公司应用测试中心主任。主要从事功率半导体器件特测试、评估及其在功率变换器上应用的关键技术的研究工作,致力于碳化硅功率器件市场应用的推广,被靠前的测试解决方案提供商泰克科技聘为电源功率器件领域外部专家。2012年和2015年分别于西安交通大学获学士和硕士,发表学术5篇,出版专著《碳化硅功率器件:特、测试和应用技术》。

    一本介绍碳化硅器件与测试应用技术的专著。首先,注重搭建知识框架,不一味追求*新学术研究成果,而是选择能够实际应用的技术,切实解决SiC器件的应用问题。其次,书中使用大量篇幅对测试设备、测试方法进行了详细的讲解,帮功率器件和力电研究者和弥补测试技术这一短板。

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