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音像碳化硅技术基本原理--生长表征器件和应用/新型力电器件丛书
¥ ×1
译者序
原书前言
原书作者简介
第1章 导论1
1.1 学的进展1
1.2 碳化硅的特和简史3
1.2.1 早期历史3
1.2.2 SiC晶体生长的革新4
1.2.3 SiC功率器件的前景和展示5
1.3 本书提纲6 参考文献7
第2章 碳化硅的物理质10
第3章 碳化硅晶体生长36
第4章 碳化硅外延生长70
第5章 碳化硅的缺陷及表征技术117
第6章 碳化硅器件工艺177
第7章 单极型和双极型功率二极管262
第8章 单极型功率开关器件286
第9章 双极型功率开关器件336
9.1 双极结型晶体管(BJT) 336
9.1.1 内部电流337
9.1.2 增益参数338
9.1.3 端电流340
9.1.4 电流-电压关系341
9.1.5 集电区中的大电流效应:饱和和准饱和343
9.1.6 基区中的大电流效应:Rittner效应347
9.1.7 集电区的大电流效应:二次击穿和基区扩散效应351
9.1.8 共发极电流增益:温度特353
9.1.9 共发极电流增益:复合效应353
9.1.10 阻断电压355
9.2 绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 356
9.2.1 电流-电压关系357
9.2.2 阻断电压367
9.2.3 开关特368
9.2.4 器件参数的温度特373
9.3 晶闸管375
9.3.1 正向导通模式377
9.3.2 正向阻断模式和触发381
9.3.3 开通过程386
9.3.4 dV/dt触发388
9.3.5 dI/dt的限制389
9.3.6 关断过程390
9.3.7 反向阻断模式397
参考文献397
第10章 功率器件的优化和比较398
第11章 碳化硅器件在电力系统中的应用425
第12章 专用碳化硅器件及应用466
附录490
附录A 4H-SiC中的不完全杂质电离490
参考文献494
附录B 双曲函数的质494
附录C 常见SiC多型体主要物理质497
C.1 质497
C.2 主要物理质的温度和/或掺杂特498
参考文献499
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