正版新书]晶体管电路设计:理想二极管的设计方法与技巧陈石平

目录
前言
第1章晶体管基础
1.1半导体历史
1.1.1半导体萌芽
1.1.2真空电子管
1.1.3能带理论
1.1.4晶体管的诞生
1.2二极管类型
1.2.1普通二极管
1.2.2肖特基二极管
1.2.3稳压二极管
1.2.4理想二极管
1.3二极管等效模型
1.3.1伏安特性
1.3.2二极管的电流方程
1.3.3二极管等效模型
1.3.4二极管微变等效电路
1.4晶体管等效模型
1.4.1BJT等效模型
1.4.2MOS管等效模型
1.4.3增强型MOS管体二极管
1.4.4增强型MOS管主要参数
1.5理想二极管等效模型
1.5.1驱动装置
1.5.2电子开关
第2章驱动装置
2.1二极管对管电压比较器
2.1.1二极管对管共阳极电压比较电路
2.1.2二极管对管共阴极电压比较电路
2.2共基极对管电压比较器
2.2.1NPN对管低端电压比较器
2.2.2PNP对管高端电压比较器
2.2.3NPN对管高端电压比较器
2.3共栅极对管电压比较器
2.3.1NMOS对管低端电压比较器
2.3.2PMOS对管高端电压比较器
2.3.3NMOS对管高端电压比较器
2.4NMOS型低端差分放大器
2.4.1NPN对管低端差分放大器
2.4.2NMOS对管低端差分放大器
2.4.3PNP对管低端差分放大器
2.4.4PMOS对管低端差分放大器
2.5PMOS型高端差分放大器
2.5.1NPN对管高端差分放大器
2.5.2NMOS对管高端差分放大器
2.5.3PNP对管高端差分放大器
2.5.4PMOS对管高端差分放大器
2.6NMOS型高端差分放大器
2.6.1NPN对管高端差分放大器
2.6.2NMOS对管高端差分放大器
2.6.3PNP对管高端差分放大器
2.6.4PMOS对管高端差分放大器
2.7集成运算放大器
2.7.1运算放大器
2.7.2电压比较器
2.7.3运算放大器和电压比较器的区别
2.8模数转换器
2.8.1模数转换器概念
2.8.2模数转换器分类
第3章理想二极管
3.1电子开关导通特性
3.1.1二极管导通压降
3.1.2NPN管导通阻抗
3.1.3PNP管导通阻抗
3.1.4NMOS管漏源通道导通阻抗
3.1.5PMOS管漏源通道导通阻抗
3.2理想二极管分类
3.2.1控制电源极性
3.2.2晶体管主管数量
3.2.3理想二极管类型
3.2.4其他分类
第4章NMOS型低端理想二极管
4.1NPN辅管实现低端理想二极管
4.1.1技术方案
4.1.2理论分析
4.1.3仿真测试
4.2NMOS辅管实现低端理想二极管
4.2.1技术方案
4.2.2理论分析
4.2.3仿真测试
4.3NPN管+二极管构成辅管实现低端理想二极管
4.3.1技术方案
4.3.2理论分析
4.3.3仿真测试
4.4NMOS管+二极管构成辅管实现低端理想二极管
4.4.1技术方案
4.4.2理论分析
4.4.3仿真测试
4.5NMOS管+NPN管构成辅管实现低端理想二极管
4.5.1技术方案
4.5.2理论分析
4.5.3仿真测试
4.6NMOS管+二极管构成辅管+非门实现低端理想二极管
4.6.1技术方案
4.6.2理论分析
4.6.3仿真测试
4.7NMOS管+NPN管构成辅管+非门实现低端理想二极管
4.7.1技术方案
4.7.2理论分析
4.7.3仿真测试
4.8基于差动放大器的低损耗低端理想二极管
4.8.1技术方案
4.8.2理论分析
4.8.3仿真测试
4.9基于差分放大器的低端理想二极管
4.9.1技术方案
4.9.2理论分析
4.9.3仿真测试
4.10基于电压比较器的低端理想二极管
4.10.1技术方案
4.10.2理论分析
4.10.3仿真测试
第5章PMOS型高端理想二极管
5.1PNP辅管实现高端理想二极管
5.1.1技术方案
5.1.2理论分析
5.1.3仿真测试
5.2PMOS辅管实现高端理想二极管
5.2.1技术方案
5.2.2理论分析
5.2.3仿真测试
5.3PNP管+二极管构成辅管实现高端理想二极管
5.3.1技术方案
5.3.2理论分析
5.3.3仿真测试
5.4PMOS管+二极管构成辅管实现高端理想二极管
5.4.1技术方案
5.4.2理论分析
5.4.3仿真测试
5.5PMOS管+PNP管构成辅管实现高端理想二极管
5.5.1技术方案
5.5.2理论分析
5.5.3仿真测试
5.6PMOS型高端理想二极管实现
5.6.1常见PMOS型高端理想二极管
5.6.2集成式理想二极管
5.7低损耗高端理想二极管
5.7.1技术方案
5.7.2理论分析
5.7.3仿真测试
5.8前端控制型高端理想二极管
5.8.1技术方案
5.8.2理论分析
5.8.3仿真测试
5.9后端控制型高端理想二极管
5.9.1技术方案
5.9.2理论分析
5.9.3仿真测试
5.10辅管参数宽松型高端理想二极管
5.10.1技术方案
5.10.2理论分析
5.10.3仿真测试
5.11基于带隙基准的高端理想二极管
5.11.1技术方案
5.11.2理论分析
5.11.3仿真测试
5.12基于差分放大器的高端理想二极管
5.12.1技术方案
5.12.2理论分析
5.12.3仿真测试
5.13基于电压比较器的高端理想二极管
5.13.1技术方案
5.13.2理论分析
5.13.3仿真测试
第6章NMOS型高端理想二极管
6.1NPN辅管实现高端理想二极管
6.1.1技术方案
6.1.2理论分析
6.1.3仿真测试
6.2NMOS辅管实现高端理想二极管
6.2.1技术方案
6.2.2理论分析
6.2.3仿真测试
6.3NPN管+二极管构成辅管实现高端理想二极管
6.3.1技术方案
6.3.2理论分析
6.3.3仿真测试
6.4NMOS管+二极管构成辅管实现高端理想二极管
6.4.1技术方案
6.4.2理论分析
6.4.3仿真测试
6.5NMOS管+NPN管构成辅管实现高端理想二极管
6.5.1技术方案
6.5.2理论分析
6.5.3仿真测试
6.6NMOS型高端理想二极管实现
6.6.1外偏置型高端理想二极管
6.6.2自偏置理想二极管电路
6.6.3零IQ反极性保护智能二极管控制器
6.6.4低IQ电池反向保护理想二极管控制器
6.7低损耗高端主动二极管
6.7.1技术方案
6.7.2理论分析
6.7.3仿真测试
6.8基于NMOS管后端辅管控制高端理想二极管
6.8.1技术方案
6.8.2理论分析
6.8.3仿真测试
6.9基于差分放大器的NMOS型高端理想二极管
6.9.1技术方案
6.9.2理论分析
6.9.3仿真测试
第7章快速型理想二极管
7.1NMOS管快速型后端辅管控制低端理想二极管
7.1.1概述
7.1.2驱动结构
7.1.3驱动模块
7.1.4技术方案
7.1.5理论分析
7.1.6仿真测试
7.2NMOS管快速型后端辅管控制高端理想二极管
7.2.1概述
7.2.2驱动结构
7.2.3驱动模块
7.2.4技术方案
7.2.5理论分析
7.2.6仿真测试
7.3NMOS管快速型前端辅管控制低端理想二极管
7.3.1概述
7.3.2驱动结构
7.3.3驱动模块
7.3.4技术方案
7.3.5理论分析
7.3.6仿真测试
7.4NMOS管快速型前端辅管控制高端理想二极管
7.4.1概述
7.4.2驱动结构
7.4.3驱动模块
7.4.4技术方案
7.4.5理论分析
7.4.6仿真测试
7.5基于图腾柱快速型高端理想二极管
7.5.1技术方案
7.5.2理论分析
7.5.3仿真测试
第8章耐高反向电压高端理想二极管
8.1基于NMOS管耐高反向电压的高端理想二极管
8.1.1基于二极管对管+NPN对管
8.1.2基于二极管对管+NMOS对管
8.2基于PMOS管耐高反向电压的高端理想二极管
8.2.1基于二极管对管+PNP对管
8.2.2基于稳压二极管对管+PNP对管
8.2.3基于二极管对管+稳压二极管+PNP对管
8.3PMOS对管实现耐高反向电压的高端理想二极管
8.3.1二极管对管+PMOS对管实现耐高反向电压
8.3.2基于二极管对管+PMOS对管实现耐高反向电压
8.3.3基于二极管+稳压二极管+PMOS对管实现耐高反向电压
8.4倒置PNP对管实现耐高反向电压的高端理想二极管
8.4.1技术方案
8.4.2理论分析
8.4.3仿真测试
第9章其他类型理想二极管
9.1电流检测实现高端理想二极管
9.1.1电流检测技术分类
9.1.2低端电流检测
9.1.3高端电流检测
9.1.4技术方案
9.2基于电流检测的高端理想二极管
9.2.1NMOS主管构成的基于电流检测的高端理想二极管
9.2.2PMOS主管构成的基于电流检测的高端理想二极管
9.3基于电流检测的低端理想二极管
9.3.1技术方案
9.3.2理论分析
9.3.3仿真测试
9.4基于宽工作电流的高端理想二极管
9.4.1NMOS主管构成的基于电流检测的高端理想二极管
9.4.2PMOS主管构成的基于电流检测的高端理想二极管
9.5ADC实现高端理想二极管
9.5.1PMOS主管+两路单端输入ADC
9.5.2PMOS主管+伪差分ADC
9.5.3NMOS主管+两路单端输入ADC+偏置电源
9.5.4NMOS主管+伪差分ADC+偏置电源
附录
参考文献

陈石平，从事北斗、物联网研发、教学等相关工作已有16年，共申请48件专利。

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