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正版新书]图解入门 半导体器件缺陷与失效分析技术精讲日本可靠
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前言
第1章 半导体器件缺陷及失效分析技术概要/
1.1失效分析的定位/
1.2缺陷分析的定位/
1.3用于缺陷及失效分析的分析工具概要/
专栏:NANOTS的成立与更名/
第1章参考文献/
第2章 硅集成电路(LSI)的失效分析技术/
2.1失效分析的步骤和近8年新开发或普及的技术/
2.2封装部件的失效分析/
2.3芯片部件失效分析过程和主要失效分析技术一览/
2.4芯片部件的无损分析方法/
2.5芯片部件的半破坏性分析/
2.6物理和化学分析方法/
专栏:应该如何命名?/
第2章练习题/
第2章缩略语表/
第2章参考文献/
第3章 功率器件的缺陷及失效分析技术/
3.1功率器件的结构和制造工艺/
3.2由晶圆制造工艺引起的器件缺陷及失效分析技术/
专栏:晶圆背面状态对工艺的影响/
3.3由芯片制造工艺引起的器件缺陷及失效分析技术/
专栏:碱金属的加速氧化/
3.4由模块制造工艺引起的设备缺陷及失效分析技术/
3.5功率器件的其他分析技术/
专栏:增大用于功率器件的晶圆直径/
第3章练习题/
第3章参考文献/
第4章 化合物半导体发光器件的缺陷及失效分析技术/
4.1化合物半导体发光器件的工作原理和结构/
4.2化合物半导体发光器件的可靠性(以半导体激光器为例)/
4.3化合物半导体发光器件的可靠性测试/
4.4化合物半导体发光器件缺陷及失效分析的基本技术/
4.5化合物半导体发光器件缺陷及失效分析流程图/
专栏:高速增长的VCSEL市场,可靠性没问题?不!/
第4章练习题/
第4章缩略语表/
第4章参考文献/
作者介绍/
练习题答案
各种分析工具可有效提升良率
多位日本半导体专家倾力打造
硅集成电路 (LSI) 的失效分析
功率器件的缺陷、失效分析
化合物半导体发光器件的缺陷、失效分析
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