返回首页
苏宁会员
购物车 0
易付宝
手机苏宁

服务体验

店铺评分与同行业相比

用户评价:----

物流时效:----

售后服务:----

  • 服务承诺: 正品保障
  • 公司名称:
  • 所 在 地:

  • 正版新书]半导体干法刻蚀技术:原子层工艺 芯片设备巨头泛林集
  • 全店均为全新正版书籍,欢迎选购!新疆西藏青海(可包挂刷).港澳台及海外地区bu bao快递
    • 作者: [美]索斯藤?莱尔(ThorstenLill)著 | [美]索斯藤?莱尔(ThorstenLill)编 | [美]索斯藤?莱尔(ThorstenLill)译 | [美]索斯藤?莱尔(ThorstenLill)绘
    • 出版社: 机械工业出版社
    • 出版时间:2023-10-01
    送至
  • 由""直接销售和发货,并提供售后服务
  • 加入购物车 购买电子书
    服务

    看了又看

    商品预定流程:

    查看大图
    /
    ×

    苏宁商家

    商家:
    君凤文轩图书专营店
    联系:
    • 商品

    • 服务

    • 物流

    搜索店内商品

    商品分类

    商品参数
    • 作者: [美]索斯藤?莱尔(ThorstenLill)著| [美]索斯藤?莱尔(ThorstenLill)编| [美]索斯藤?莱尔(ThorstenLill)译| [美]索斯藤?莱尔(ThorstenLill)绘
    • 出版社:机械工业出版社
    • 出版时间:2023-10-01
    • 版次:1
    • 印次:1
    • 字数:341
    • 页数:226
    • 开本:16开
    • ISBN:9787111734260
    • 版权提供:机械工业出版社
  • 作者: [美]索斯藤?莱尔(ThorstenLill)
  • 著: [美]索斯藤?莱尔(ThorstenLill)
  • 装帧: 平装
  • 印次: 1
  • 定价: 119
  • ISBN: 9787111734260
  • 出版社: 机械工业出版社
  • 开本: 16开
  • 印刷时间: 暂无
  • 语种: 暂无
  • 出版时间: 2023-10-01
  • 页数: 226
  • 外部编号: 庄村26692
  • 版次: 1
  • 成品尺寸: 暂无
  • 译者序缩写词表第1章 引言1参考文献3第2章 理论基础52.1刻蚀工艺的重要性能指标52.1.1刻蚀速率(ER)62.1.2刻蚀速率不均匀性(ERNU)62.1.3选择性62.1.4轮廓62.1.5关键尺寸(CD)72.1.6线宽粗糙度和线边缘粗糙度(LWR和LER)72.1.7边缘放置误差(EPE)72.1.8深宽比相关刻蚀(ARDE)72.2物理吸附和化学吸附82.3解吸92.4表面反应112.5溅射122.6注入162.7扩散172.8三维形貌中的输运现象212.8.1中性粒子输运212.8.2离子输运242.8.3反应产物输运262.9刻蚀技术的分类26参考文献30第3章 热刻蚀343.1热刻蚀的机理和性能指标343.1.1刻蚀速率和ERNU343.1.2选择性353.1.3轮廓和CD控制353.1.4ARDE353.2应用示例35参考文献39第4章 热各向同性ALE414.1热各向同性ALE机制414.1.1螯合/缩合ALE434.1.2配体交换ALE444.1.3转化ALE464.1.4氧化/氟化ALE484.2性能指标504.2.1刻蚀速率(EPC)504.2.2ERNU(EPC非均匀性)544.2.3选择性554.2.4轮廓和ARDE564.2.5CD控制594.2.6表面光滑度594.3等离子体辅助热各向同性ALE604.4应用示例604.4.1区域选择性沉积614.4.2横向器件的形成62参考文献64第5章 自由基刻蚀695.1自由基刻蚀机理695.2性能指标705.2.1刻蚀速率和ERNU705.2.2选择性715.2.3轮廓和ARDE715.2.4CD控制715.3应用示例71参考文献73第6章 定向ALE746.1定向ALE机制746.1.1具有定向改性步骤的ALE756.1.2具有定向去除步骤及化学吸附和扩散改性的ALE756.1.3具有定向去除步骤和通过反应层沉积进行改性的ALE866.2性能指标896.2.1刻蚀速率(EPC)896.2.2ERNU(EPC非均匀性)906.2.3选择性916.2.4轮廓和ARDE956.2.5表面平整度和LWR/LER976.3应用示例1006.3.1具有定向改性步骤的ALE1006.3.2具有定向去除步骤及化学吸附和扩散改性的ALE1016.3.3具有定向去除步骤和通过反应层沉积进行改性的ALE102参考文献104第7章 反应离子刻蚀1097.1反应离子刻蚀机制1097.1.1同时发生的物种通量1097.1.2化学溅射1137.1.3混合层形成1147.1.4刻蚀产物的作用1177.2性能指标1187.2.1刻蚀速率1187.2.2ERNU1237.2.3ARDE1247.2.4选择性1267.2.5轮廓控制1287.2.5.1侧壁钝化1297.2.5.2刻蚀物种的选择1327.2.5.3温度1327.2.6CD控制1347.2.7表面光滑度1377.2.8LWR/LER1387.3应用示例1417.3.1图案化1427.3.1.1自对准图案化1427.3.1.2极紫外(EUV)光刻1467.3.2逻辑器件1487.3.2.1Fin刻蚀1487.3.2.2栅极刻蚀1507.3.2.3侧墙刻蚀1527.3.2.4接触孔刻蚀1537.3.2.5BEOL刻蚀1547.3.3DRAM和3D NAND存储器1567.3.3.1DRAM电容单元刻蚀1567.3.3.2高深宽比3D NAND刻蚀1687.3.4新兴存储1717.3.4.1相变存储器(PCM)1717.3.4.2ReRAM175参考文献177第8章 离子束刻蚀1858.1离子束刻蚀的机理和性能指标1858.2应用示例186参考文献188第9章 刻蚀物种产生1899.1低温等离子体概述1899.2电容耦合等离子体1949.3电感耦合等离子体2069.4离子能量分布调制2089.5等离子体脉冲2119.6格栅源214参考文献217第10章新兴刻蚀技术22110.1电子辅助化学刻蚀22110.2光子辅助化学刻蚀223参考文献224

    Thorsten Lill博士,美国泛林集团(Lam Research)新兴刻蚀技术和系统事业部副总裁。他在德国弗莱堡大学获得物理学博士学位,并在美国阿贡国家实验室进行博士后研究。他在该领域发表了88篇文章,拥有89项专利。

    刻蚀是芯片制造核心工艺,本书内容源自全球第三大芯片设备提供商、全球第一大刻蚀设备提供商——美国泛林集团高管。书中详细介绍了各种刻蚀技术,例如热刻蚀、热各向同性原子层刻蚀、自由基刻蚀、定向原子层刻蚀、反应离子刻蚀和离子束刻蚀等。通过对本书内容的深入学习,能够从原子级层面来深入理解刻蚀技术,从而实现为现有和新兴的半导体技术开发特定的解决方案。本书是理解刻蚀技术及其应用的实用指南。

    售后保障

    最近浏览

    猜你喜欢

    该商品在当前城市正在进行 促销

    注:参加抢购将不再享受其他优惠活动

    x
    您已成功将商品加入收藏夹

    查看我的收藏夹

    确定

    非常抱歉,您前期未参加预订活动,
    无法支付尾款哦!

    关闭

    抱歉,您暂无任性付资格

    此时为正式期SUPER会员专享抢购期,普通会员暂不可抢购