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前言第1章 半导体二极管及其电路分析1.1 本征半导体1.2 杂质半导体1.3 PN结1.4 半导体二极管1.5 稳压管本章小结思考题与习题第2章 晶体管及其放大电路分析2.1 晶体管的基本概念2.2 晶体管放大电路的分析2.3 多级放大电路的分析2.4 放大电路的频率特征本章小结思考题与习题第3章 场效应管及放大电路分析3.1 场效应管的基本概念3.2 场效应管放大电路的分析本章小结思考题与习题第4章 集成运算放大电路4.1 集成电路的特点4.2 集成运放的基本单元电路4.3 互补功率放大电路4.4 其他功率放大电路4.5 实际的功率放大电路4.6 集成运放的性能指标及低频等效电路4.7 集成运放的使用注意事项本章小结思考题与习题第5章 负反馈放大电路5.1 反馈的基本概念5.2 负反馈放大电路的表达式5.3 负反馈对放大电路性能的影响5.4 负反馈放大电路的自激振荡本章小结思考题与习题第6章 理想集成运放的应用第7章 有源滤波电路第8章 波形发生电路第9章 直流稳压电源参考文献
当形成PN结的两种杂质半导体的掺杂浓度较低时,空间电荷区宽度较宽,在较低的反向电压下不会发生击穿现象,但当外加反向电压增加到一定数值时,外电场的强度足够大,且与内电场方向相同,与内电场共同作用下,使得少子能够获得足够的漂移速度,在漂移过程中与共价键中的价电子相碰撞时,将共价键中的价电子撞出共价键,产生自由电子一空穴对。新产生的自由电子和空穴又会被电场加速,碰撞出共价键中其他的价电子,产生自由电子一空穴对,这样,载流子数目会雪崩似的倍增,使得由少子漂移运动形成的反向电流急剧增加,此现象为雪崩击穿。发生雪崩击穿时所需的反向击穿电压一般大于6V。当形成PN结的两种杂质半导体的掺杂浓度较高时,空间电荷区宽度很窄,不太大的反向电压就可以在空间电荷区形成很强的电场,其强度能够直接破坏共价键,使价电子挣脱共价键的束缚,产生自由电子一空穴对,载流子数目得到急剧增加,从而反向电流急剧增大,此现象为齐纳击穿。齐纳击穿电压较低,发生齐纳击穿时所需的反向击穿电压一般低于4V。当击穿电压介于4~6V之间时,这两种击穿同时发生。1.3.4 PN结的电容效应PN结的电容效应根据产生机理不同可分为势垒电容Cb和扩散电容Cd。当PN结两端外加正向电压时,随着外加正向电压的增加,空间电荷区的宽度将随之减少,即空间电荷区的电荷量将随之减少。当PN结两端外加反向电压时,随着外加反向电压的增加,空间电荷区的宽度将随之增大,即空间电荷区的电荷量随之增加。这种当PN结两端外加电压改变时,空间电荷区的宽度将随之改变,即空间电荷区的电荷量将随外加电压的变化而随之增减的现象类似于电容的充、放电过程,空间电荷区宽度变化所等效的电容称为势垒电容Cb。当PN结两端外加正向电压时,有利于多子扩散运动,P区的多子空穴扩散到N区,成为N区的非平衡少子,同时N区的多子自由电子扩散到P区,成为P区的非平衡少子。当外加正向电压一定时,靠近空间电荷区的区域非平衡少子的浓度高,远离空间电荷区的区域非平衡少子的浓度低,形成一定的浓度梯度。随着外加正向电压的增加,扩散到对方的非平衡少子浓度增大,浓度梯度也增大;随着外加正向电压的减少,扩散到对方的非平衡少子的浓度减少,浓度梯度也减少。非平衡少子电荷总量的改变类似于电容的充、放电效应,这种电容效应称为扩散电容Cd。PN结的结电容c为势垒电容Cb和扩散电容cd之和。
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