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  • 正版新书]嵌入式系统中的辐射效应拉乌尔·委拉兹克9787111582861
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    • 作者: 拉乌尔·委拉兹克著 | 拉乌尔·委拉兹克编 | 拉乌尔·委拉兹克译 | 拉乌尔·委拉兹克绘
    • 出版社: 机械工业出版社
    • 出版时间:2018-01-01
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    • 作者: 拉乌尔·委拉兹克著| 拉乌尔·委拉兹克编| 拉乌尔·委拉兹克译| 拉乌尔·委拉兹克绘
    • 出版社:机械工业出版社
    • 出版时间:2018-01-01
    • 版次:1
    • 印次:1
    • 印刷时间:2018-01-01
    • 字数:288千字
    • 页数:234
    • ISBN:9787111582861
    • 版权提供:机械工业出版社
  • 作者: 拉乌尔·委拉兹克
  • 著: 拉乌尔·委拉兹克
  • 装帧: 暂无
  • 印次: 1
  • 定价: 79
  • ISBN: 9787111582861
  • 出版社: 机械工业出版社
  • 开本: 暂无
  • 印刷时间: 2018-01-01
  • 语种: 中文
  • 出版时间: 2018-01-01
  • 页数: 234
  • 外部编号: 五三B64112
  • 版次: 1
  • 成品尺寸: 暂无
  • 译者序
    原书前言
    第1章 空间辐射环境
    1.1 空间辐射效应
    1.1.1 空间辐射环境:范艾伦带、太阳耀斑、太阳风和宇宙射线
    1.1.2 剂量效应:产生原因、对电子器件的影响、辐射强度
    1.1.3 位移效应:产生原因、对电子器件的效应、辐射强度
    1.1.4 重离子效应:产生原因、对电子器件的效应、辐射强度
    1.1.5 质子效应:产生原因(直接或间接)、对电子器件的效应、辐射强度
    1.2 其他效应
    1.2.1 原子氧:来源和效应
    1.2.2 太阳紫外线:来源和效应
    1.2.3 微流星体:来源和效应
    1.2.4 轨道碎片:来源和效应
    参考文献
    第2章 微电子器件的辐射效应
    2.1 引言
    2.1.1 长期效应
    2.1.2 瞬态效应
    2.2 mos器件
    2.2.1 阈值电压漂移
    2.2.2 退化效应
    2.2.3 亚阈斜率
    2.2.4 MOSFET的泄漏电流
    2.3 双极型器件
    2.3.1 简介
    2.3.2 电流成分
    2.3.3 射-基间耗尽区的复合效应
    2.3.4 中立基区的复合效应
    2.3.5 电流增益
    2.4 单粒子效应
    2.4.1 引言
    2.4.2 仿真方法
    2.4.3 器件级效应
    2.5 概述
    致谢
    参考文献
    第3章 电子器件的飞行异常
    3.1 引言
    3.2 辐射效应综述
    3.2.1 空间环境
    3.2.2 元器件中的主要效应类型
    3.3 飞行异常和空间环境
    3.3.1 数据来源
    3.3.2 统计对比
    3.3.3 空间天气事件效应的一个重要例子
    3.4 累积效应
    3.4.1 人工辐射带
    3.4.3 木星上的伽利略探测器
    3.4.4 超敏感系统

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