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正版新书]模拟集成电路原理及设计王守国9787111558026
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前言
教学建议
第1章 模拟集成电路中的无源元件
1.1 模拟集成电路的工艺基础
1.2 模拟集成电路中的电阻
1.3 模拟集成电路中的电容
1.4 模拟集成电路中的电感
习题
第2章 结型栅场效应晶体管
2.1 JFET的基本原理
2.2 JFET的伏安特性
2.3 JFET的直流和交流参数
2.4 MESFET的特性
2.5 场相关迁移率特性
2.6 结型栅场效应管的频率特性
2.7 器件的噪声特性
2.8 JFET和MESFET的结构举例
习题
第3章
3.1 MOSFET的结构和类型
3.2 MOSFET的阈值电压
3.3 MOSFET的伏安特性
3.4 MOSFET的交流小信号特性
3.5 MOSFET的交流小信号等效电路和频率特性
3.6 MOSFET的噪声特性
3.7 MOSFET的击穿特性
3.8 MOSFET的功率特性和功率MOS器件的结构
3.9 MOSFET的温度特性
3.10 短沟道效应
3.11 场效应晶体管的设计
习题
第4章 CCD
4.1 CCD的工作原理
4.2 CCD的基本参数
4.3 成像原理
4.4 CCD的改进方式
4.5 CCD在模拟电路中的应用
习题
第5章 模拟集成电路器件参数的提取
5.1 欧姆接触的有关参数
5.2 MOSFET的有关参数提取
5.3 MESFET的有关参数提取
习题
第6章 CMOS放大器
6.1 模拟电路中的MOS器件模型
6.2 共源级放大器
6.3 共源共栅级
6.4 差分放大器
习题
第7章 集成运算放大器
7.1 集成运算放大器的构建
7.2 集成运算放大器基本模块分析
7.3 集成运算放大器的
王守国,1994年在西北大学工作至今,电子科学与技术专业教师,主讲《微电子器件与电路可靠性》,《MOS器件原理》等。2005-2007年香港理工大学机械系学习,2008-2010年复旦大学微电子学院工作。
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