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正版新书]多尺度模拟方法在半导体材料位移损伤研究中的应用贺朝
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丛书序
前言
主要符号表
章绪论1
1.1位移损伤效应2
1.2单粒子位移损伤效应3
1.3位移损伤的多尺度特点6
1.4位移损伤缺陷的产生及演化模拟8
参考文献11
第2章多尺度模拟方法15
2.1辐与材料相互作用模拟方法17
2.1.1载能粒子与原子核的碰撞动力学17
2.1.2二体碰撞近似方法19
2.2分子动力学方法
.动力学方法27
2.4原理方法30
2.4.1原理计算方法31
2.4.2VASP软件31
2.5器件电学能模拟方法34
2.5.1缺陷复合理论34
2.5.2位移损伤缺陷的电学质36
2.5.3SentaurusTCAD软件38
参考文献38
第3章多尺度模拟方法在硅材料位移损伤研究中的应用42
3.1离子入硅引起的位移损伤缺陷初态研究42
3.1.1离子入硅初级碰撞过程的模拟42
3.1.2硅中离位级联的分子动力学模拟46
3.2位移损伤缺陷的长时间演化机理研究60
3.2.1中子在硅中产生的初级反冲原子能量分布计算62
3.2.2位移损伤缺陷长时间演化的动力学模拟63
3..位移损伤缺陷的长时间演化机理69
……
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