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  • 正版 硅片的超精密磨削理论与技术 郭东明,康仁科著 电子工业出
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    • 作者: 郭东明,康仁科著著 | 郭东明,康仁科著编 | 郭东明,康仁科著译 | 郭东明,康仁科著绘
    • 出版社: 电子工业出版社
    • 出版时间:2018-07-01
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    • 作者: 郭东明,康仁科著著| 郭东明,康仁科著编| 郭东明,康仁科著译| 郭东明,康仁科著绘
    • 出版社:电子工业出版社
    • 出版时间:2018-07-01
    • 版次:1
    • 字数:391200
    • 页数:240
    • 开本:小16开
    • ISBN:9787121363009
    • 版权提供:电子工业出版社
    • 作者:郭东明,康仁科著
    • 著:郭东明,康仁科著
    • 装帧:精装
    • 印次:暂无
    • 定价:128.00
    • ISBN:9787121363009
    • 出版社:电子工业出版社
    • 开本:小16开
    • 印刷时间:暂无
    • 语种:暂无
    • 出版时间:2018-07-01
    • 页数:240
    • 外部编号:9531338
    • 版次:1
    • 成品尺寸:暂无

    第1章 单晶硅的基本性质与应用 (1)
    1.1 晶体几何学基础 (1)
    1.1.1 晶体结构 (1)
    1.1.2 晶向指数 (3)
    1.1.3 晶面指数 (3)
    1.1.4 立方晶体 (4)
    1.2 单晶硅结构 (6)
    1.3 单晶硅的基本性质 (8)
    1.3.1 化学性质 (8)
    1.3.2 力学特性 (11)
    1.3.3 热学性质 (12)
    1.3.4 电学性质 (13)
    1.3.5 光学性质 (13)
    1.4 单晶硅的晶体缺陷 (13)
    1.4.1 单晶硅的点缺陷 (14)
    1.4.2 单晶硅的线缺陷 (15)
    1.4.3 单晶硅的面缺陷 (16)
    1.4.4 单晶硅的体缺陷 (18)
    1.5 单晶硅的应用 (18)
    参考文献 (19)
    第2章 集成电路制造工艺及硅片加工相关术语 (20)
    2.1 集成电路及其发展 (20)
    2.2 集成电路制造流程 (21)
    2.2.1 硅片制备 (21)
    2.2.2 IC制造 (24)
    2.2.3 IC封装与测试 (25)
    2.3 控制硅片质量的主要特征参数及相关术语 (25)
    2.3.1 表征硅片加工前内在质量的特征参数 (26)
    2.3.2 表征硅片加工后几何精度的特征参数 (26)
    2.3.3 表征硅片加工后面型精度的特征参数 (27)
    2.3.4 表征硅片加工后表面状态质量的特征参数 (34)
    2.3.5 表征硅片加工后亚表面损伤的相关术语 (35)
    参考文献 (37)
    第3章 硅片的磨削方法与理论分析 (39)
    3.1 集成电路制造中的硅片超精密磨削方法 (39)
    3.1.1 硅片超精密磨削在集成电路制造中的应用 (39)
    3.1.2 转台式磨削 (40)
    3.1.3 硅片旋转磨削 (41)
    3.2 硅片旋转磨削的硅片表面磨纹建模、仿真与分析 (42)
    3.2.1 硅片表面磨纹建模 (43)
    3.2.2 硅片表面磨纹仿真 (44)
    3.2.3 硅片表面磨纹分析 (46)
    3.3 硅片旋转磨削的磨粒切削深度建模与分析 (49)
    3.3.1 磨粒切削深度建模 (49)
    3.3.2 磨粒切削深度对硅片磨削表面质量影响的试验分析 (53)
    3.4 硅片旋转磨削的硅片磨削面型建模、仿真与分析 (55)
    3.4.1 硅片磨削面型建模 (55)
    3.4.2 硅片磨削面型仿真 (57)
    3.4.3 硅片磨削面型的统一表征方法 (60)
    3.4.4 硅片磨削面型的控制 (62)
    参考文献 (66)
    第4章 硅片超精密磨削机理 (68)
    4.1 单晶硅超精密磨削的材料去除机理 (68)
    4.1.1 单颗粒金刚石磨削试验方法 (68)
    4.1.2 单晶硅磨削过程中的脆性—延性转变 (70)
    4.1.3 单晶硅延性域磨削的临界切削深度及其影响因素 (73)
    4.2 硅片超精密磨削表面损伤形成机理 (76)
    4.2.1 表面微观形貌 (76)
    4.2.2 表面层微观组织 (79)
    4.2.3 表面相变分析 (82)
    4.3 单晶硅纳米级磨削过程的分子动力学仿真 (83)
    4.3.1 分子动力学仿真基本理论 (83)
    4.3.2 单晶硅纳米级磨削过程的分子动力学仿真分析 (88)
    参考文献 (95)
    第5章 超精密磨削硅片面型精度的测量与评价 (96)
    5.1 超精密磨削硅片厚度的测量与评价 (96)
    5.1.1 单面式测量 (96)
    5.1.2 双面式测量 (100)
    5.2 超精密磨削硅片面型精度的测量方法与仪器 (102)
    5.2.1 电容式传感器测量 (102)
    5.2.2 光学式测量 (103)
    5.3 超薄硅片面型精度的测量技术及仪器 (107)
    5.3.1 超薄硅片面型精度测量的技术需求 (107)
    5.3.2 超薄硅片面型精度测量面临的问题及技术现状 (109)
    5.3.3 超薄硅片面型精度测量新方法研究 (111)
    5.3.4 超薄硅片面型精度测量仪器的开发 (115)
    参考文献 (120)
    第6章 超精密磨削硅片表面层质量及其检测和评价方法 (122)
    6.1 超精密磨削硅片表面层质量的检测方法 (122)
    6.1.1 超精密磨削硅片表面粗糙度的检测方法 (123)
    6.1.2 超精密磨削硅片表面缺陷的检测方法 (125)
    6.1.3 超精密磨削硅片亚表面损伤的检测方法 (126)
    6.2 超精密磨削硅片表面层微裂纹 (132)
    6.2.1 单颗粒金刚石磨削硅片表面/亚表面微裂纹的研究 (133)
    6.2.2 超精密磨削硅片表面/亚表面微裂纹的研究 (134)
    6.3 超精密磨削硅片表面层相变 (137)
    6.4 超精密磨削硅片表面层残余应力 (139)
    6.4.1 单颗粒金刚石磨削硅片表面残余应力的分布 (139)
    6.4.2 磨削硅片表面微观应力与表面层残余应力 (142)
    6.5 超精密磨削硅片表面层损伤模型 (147)
    6.6 磨削参数对硅片表面层质量的影响分析及控制策略 (149)
    参考文献 (153)
    第7章 硅片超精密磨削工艺 (156)
    7.1 金刚石砂轮超精密磨削工艺 (156)
    7.1.1 金刚石砂轮的结构与组织特性 (156)
    7.1.2 金刚石砂轮的制备与修整技术 (160)
    7.1.3 金刚石砂轮磨削工艺参数的选择与优化 (163)
    7.2 软磨料砂轮机械化学磨削新工艺 (170)
    7.2.1 软磨料砂轮机械化学磨削原理 (170)
    7.2.2 软磨料砂轮的制备与修整技术 (171)
    7.2.3 软磨料砂轮的磨削性能 (175)
    7.2.4 软磨料砂轮磨削硅片的材料去除机理 (180)
    7.3 硅片低损伤磨削工艺 (185)
    7.3.1 低损伤磨削工艺方案 (185)
    7.3.2 低损伤磨削工艺方案的应用试验 (186)
    参考文献 (189)
    第8章 硅片超精密磨床 (191)
    8.1 硅片超精密磨削对硅片磨床的要求 (191)
    8.2 硅片超精密磨床的结构形式和发展趋势 (192)
    8.2.1 硅片超精密磨床的结构形式 (192)
    8.2.2 硅片超精密磨床的发展趋势 (195)
    8.3 300mm硅片超精密磨床的开发 (196)
    8.3.1 硅片超精密磨床的总体方案 (196)
    8.3.2 硅片超精密磨床的关键系统 (200)
    8.3.3 硅片超精密磨床的主要结构件设计与特性分析 (211)
    8.3.4 硅片超精密磨床的性能 (217)
    参考文献 (231)
    第9章 硅片磨削技术新发展 (234)
    9.1 双面磨削 (234)
    9.1.1 双面磨削的特点 (234)
    9.1.2 双面磨床 (234)
    9.1.3 双面磨削的加工效果 (235)
    9.1.4 磨痕 (235)
    9.1.5 硅片面型 (236)
    9.2 磨抛一体化工艺 (237)
    9.2.1 磨抛一体化工艺的特点 (237)
    9.2.2 磨抛一体化加工的工具 (238)
    9.2.3 磨抛一体化加工的设备 (238)
    9.3 行星盘磨削 (238)
    9.3.1 行星盘磨削的特点 (239)
    9.3.2 行星盘磨削的工具与设备 (239)
    参考文献 (240)

    本书在介绍单晶硅的物理、化学和半导体性质,以及单晶硅片在集成电路制造中的应用和加工要求的基础上,全面系统地阐述了硅片旋转磨削原理、超精密磨削机理、超精密磨削工艺、超精密磨床,完整地总结了著者及其团队十多年来在硅片超精密磨削理论与技术方面的研究成果。全书共9章,其中第1章介绍单晶硅的基本性质与应用,第2章介绍集成电路制造工艺及硅片加工相关术语,第3章介绍硅片的磨削方法与理论分析,第4章介绍硅片超精密磨削机理,第5章介绍超精密磨削硅片面型精度的测量与评价,第6章介绍超精密磨削硅片表面层质量及检测和评价,第7章介绍硅片超精密磨削工艺,第8章介绍硅片超精密磨床,第9章介绍硅片磨削技术新发展。本书不仅系统总结了硅片的超精密磨削理论与技术,而且也反映了著者及其团队在理论研究、试验研究、技术开发和设备研制等方面所做的工作和积累的经验。

    半导体单晶硅片是集成电路制造的主要支撑材料,超精密磨削加工效率高、可稳定获得高面形精度和表面质量,已成为大尺寸硅片加工不可或缺的关键技术。但是,我国硅片超精密磨削技术与装备的整体水平相对落后,对相关基础理论和核心技术缺乏系统研究,致使大尺寸硅片的磨削装备和工具依赖进口,成为硅材料加工制程的短板和技术瓶颈。郭东明院士和康仁科教授及其团队,历时15年,面向国家重大需求和国际学术前沿,深入开展硅片超精密磨削理论与技术研究,取得了突出的研究成果并付诸实践,对我国大尺寸硅片加工技术的创新发展具有重要作用。该书是一本系统阐述硅片超精密磨削基础理论、关键技术及加工装备的专著,除过系统地总结著者及其团队多年来的研究和应用成果外,还介绍了国内外关于硅片超精密磨削技术的*进展。具有性、创新性、性和实用性。该书基础理论与技术实践相结合,资料丰富,结构严谨、图文并茂。对我国IC制造技术领域的科研和工程技术人员来说是一本重要参考书,对于我国从事超精密加工理论与技术研究的科研和工程技术人员、高校研究生和本科生也具有重要的参考价值。 

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