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  • 正版 高性能,低功耗,高可靠三维集成电路设计 Sung Kyu Lim著
  • 新华书店旗下自营,正版全新
    • 作者: Sung Kyu Lim著著 | Sung Kyu Lim著编 | Sung Kyu Lim著译 | Sung Kyu Lim著绘
    • 出版社: 国防工业音像出版社
    • 出版时间:2015-12-01
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    • 作者: Sung Kyu Lim著著| Sung Kyu Lim著编| Sung Kyu Lim著译| Sung Kyu Lim著绘
    • 出版社:国防工业音像出版社
    • 出版时间:2015-12-01
    • 版次:1
    • 印次:1
    • 印刷时间:2017-12-01
    • 字数:637千字
    • 页数:98
    • 开本:小16开
    • ISBN:9787118113464
    • 版权提供:国防工业音像出版社
    • 作者:Sung Kyu Lim著
    • 著:Sung Kyu Lim著
    • 装帧:精装
    • 印次:1
    • 定价:169.00
    • ISBN:9787118113464
    • 出版社:国防工业出版社
    • 开本:小16开
    • 印刷时间:2017-12-01
    • 语种:中文
    • 出版时间:2015-12-01
    • 页数:98
    • 外部编号:9182386
    • 版次:1
    • 成品尺寸:暂无

    部分高性能低功耗三维集成电路设计

    章三维集成电路的硅通孔布局

    1.1引言

    1.2研究现状

    1.3基础知识

    1.3.1三维集成电路设计

    1.3.2优选允许硅通孔数

    1.3.3最小硅通孔数

    1.3.4线长和硅通孔数的折衷

    1.4三维集成电路物理设计流程

    1.4.1划分

    1.4.2硅通孔插入和布局

    1.4.3布线

    1.5三维全局布局算法

    1.5.1力驱动布局简介

    1.5.2三维布局算法简介

    1.5.3三维集成电路中的单元布局

    1.5.4硅通孔位置原理中硅通孔的预布局

    1.5.5三维节点的线长计算

    1.6硅通孔分配算法

    1.6.1硅通孔分配算法的最佳解

    1.6.2基于MST的硅通孔分配

    1.6.3基于布局的硅通孔分配

    1.7实验结果

    1.7.1线长和运行时间比较

    1.7.2金属层和硅面积比较

    1.7.3线长和硅通孔数折衷

    1.7.4线长,管芯面积和管芯数折衷

    1.7.5硅通孔协同布局与硅通孑L位置对照

    1.7.6硅通孔尺寸影响

    1.7.7时序和功耗比较

    1.8结论

    参考文献

    第2章三维集成电路斯坦纳布线

    2.1引言

    2.2研究现状

    2.3基础知识

    2.3.1问题表述

    2.3.2研究方法简介

    2.4三维斯坦纳树构建

    2.4.1算法简介

    2.4.2计算连接点和硅通孔位置

    2.4.3延时方程优化

    2.5采用硅通孔重布局进行三维树精化

    2.5.1算法简介

    2.5.2可移动范围

    2.5.3简化热分析

    2.5.4非线性规划

    2.5.5整数线性规划

    2.5.6快速整数线性规划

    2.6实验结果

    2.6.1实验参数

    2.6.2树构建结果

    2.6.3延时和线长分布

    2.6.4硅通孔重布局结果

    2.6.5硅通孔尺寸和寄生效应影响

    2.6.6键合类型影响

    2.6.7两管芯和四管芯叠层比较

    2.7结论

    附录

    参考文献

    第3章三维集成电路的缓冲器插入

    3.1引言

    3.2问题定义

    3.3研究动机宴例

    ……

    第二部分三维集成电路设计中的电可靠性

    第三部分三维集成电路设计中的热可靠性

    第四部分三维集成电路设计的机械可靠性

    第五部分其他论题

    缩略语

    《高性能,低功耗,高可靠三维集成电路设计》系统地介绍了三维集成电路设计所涉及的一些问题,包括物理设计自动化、结构、建模、探索、验证等,分成五部分,共20章。靠前部分为三维集成电路设计方法及解决方案,主要讨论硅通孔布局、斯坦纳布线、缓冲器插入、时钟树、电源分配网络;第二部分为三维集成电路的电可靠性设计,主要讨论硅通孔-硅通孔耦合、电流聚集效应、电源完整性、电迁移失效机制;第三部分为三维集成电路的热可靠性设计,主要讨论热驱动结构布局、门级布局、微流通道散热问题;第四部分为三维集成电路的机械可靠性设计,主要分析全芯片和封装级机械应力、机械应力对时序的影响、硅通子L界面裂纹;第五部分为三维集成电路设计的其他方面,主要讨论利用单片三维集成实现超高密度逻辑的方法、硅通孔按比例缩小问题,并给出一个三维大规模并行处理器设计实例。

    《高性能,低功耗,高可靠三维集成电路设计》可作为高等院校微电子技术、电路与系统等专业高年级本科生和研究生的教材或参考书,也可作为从事三维集成电路设计的相关技术人员的参考资料。

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