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  • 正版 硅加工中的表征 C. Richard Brundle,Charles A. Evans, Jr
  • 新华书店旗下自营,正版全新
    • 作者: C. Richard Brundle,Charles A. Evans, Jr.[主编]著 | C. Richard Brundle,Charles A. Evans, Jr.[主编]编 | C. Richard Brundle,Charles A. Evans, Jr.[主编]译 | C. Richard Brundle,Charles A. Evans, Jr.[主编]绘
    • 出版社: 哈尔滨工业大学出版社
    • 出版时间:2013-11-01
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    • 作者: C. Richard Brundle,Charles A. Evans, Jr.[主编]著| C. Richard Brundle,Charles A. Evans, Jr.[主编]编| C. Richard Brundle,Charles A. Evans, Jr.[主编]译| C. Richard Brundle,Charles A. Evans, Jr.[主编]绘
    • 出版社:哈尔滨工业大学出版社
    • 出版时间:2013-11-01
    • 版次:1
    • 印刷时间:2014-01-01
    • 页数:240
    • 开本:大32开
    • ISBN:9787560342801
    • 版权提供:哈尔滨工业大学出版社
    • 作者:C. Richard Brundle,Charles A. Evans, Jr.[主编]
    • 著:C. Richard Brundle,Charles A. Evans, Jr.[主编]
    • 装帧:平装
    • 印次:暂无
    • 定价:88.00
    • ISBN:9787560342801
    • 出版社:哈尔滨工业大学出版社
    • 开本:大32开
    • 印刷时间:2014-01-01
    • 语种:英语
    • 出版时间:2013-11-01
    • 页数:240
    • 外部编号:8169680
    • 版次:1
    • 成品尺寸:暂无

    Preface to the Reissue of the Materials Characterization Series
    Preface to Series
    Preface to the Reissue of Characterization in Silicon Processing
    Preface
    Contributors
    APPLICATION OF MATERIALS CHARACTERIZATION TECHNIQUES TO SILICON EPITAXIAL GROWTH
      1.1 Introduction
      1.2 Silicon Epitaxial Growth
      1.3 Film and Process Characterization
      1.4 Selective Growth
      1.5 Si1_xGex Epitaxial Growth
      1.6 Si1_ xGex Material Characterization
      1.7 Summary
    POLYSILICON CONDUCTORS
      2.1 Introduction
      2.2 Deposition
      2.3 Doping
      2.4 Patterning
      2.5 Subsequent Processing
    SILICIDES
      3.1 Introduction
      3.2 Formation of Silicides
      3.3 The Silicide-Silicon Interface
      3.4 Oxidation of Silicides
      3.5 Dopant Redistribution During Silicide Formation
      3.6 Stress in Silicides
      3.7 Stability of Silicides
      3.8 Summary
    ALUMINUM- AND COPPER-BASED CONDUCTORS
      4.1 Introduction
      4.2 Film Deposition
      4.3 Film Growth
      4.4 Encapsulation
      4.5 Reliability Concerns
    TUNGSTEN-BASED CONDUCTORS
      5.1 Applications for ULSI Processing
      5.2 Deposition Principles
      5.3 Blanket Tungsten Deposition
      5.4 Selective Tungsten Deposition
    BARRIER FILMS
      6.1 Introduction
      6.2 Characteristics of Barrier Films
      6.3 Types of Barrier Films
      6.4 Processing Barrier Films
      6.5 Examples of Barrier Films
      6.6 Summary
    APPENDIX: TECHNIQUE SUMMARIES
      1 Auger Electron Spectroscopy (AES)
      2 Ballistic Electron Emission Microscopy (BEEM)
      3 Capacitance-Voltage (C-V) Measurements
      4 Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS)
      5 Dynamic Secondary Ion Mass Spectrometry (Dynamic SIMS)
      6 Electron Beam Induced Current (EBIC) Microscopy
      7 Energy-Dispersive X-Ray Spectroscopy (EDS)
      8 Focused Ion Beams (FIBs)
      9 Fourier Transform Infrared Spectroscopy (FTIR)
      10 Hall Effect Resistivity Measurements
      11 Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometry (ICPMS)
      12 Light Microscopy
      13 Low-Energy Electron Diffraction (LEED)
      14 Neutron Activation Analysis (NAA)
      15 Optical Scatterometry
      16 Photoluminescence (PL)
      17 Raman Spectroscopy
      18 Reflection High-Energy Electron Diffraction (RHEED)
      19 Rutherford Backscattering Spectrometry (RBS)
      20 Scanning Electron Microscopy (SEM)
      21 Scanning Transmission Electron Microscopy (STEM)
      22 Scanning Tunneling Microscopy and Scanning Force Microscopy (STM and SFM)
      23 Sheet Resistance and the Four Point Probe
      24 Spreading Resistance Analysis (SRA)
      25 Static Secondary Ion Mass Spectrometry (Static SIMS)
      26 Surface Roughness: Measurement, Formation by Sputtering, Impact on Depth Profiling
      27 Total Reflection X-Ray Fluorescence Analysis (TXRF)
      28 Transmission Electron Microscopy (TEM)
      29 Variable-Angle Spectroscopic Ellipsometry (VASE)
      30 X-Ray Diffraction (XRD)
      31 X-Ray Fluorescence (XRF)
      32 X-Ray Photoelectron Spectroscopy (XPS)
    Index

      《硅加工中的表征》是材料表征原版系列丛书之一。全书共分六章,内容包括:材料表征技术在硅外延生长中的应用;多晶硅导体;硅化物;铝和铜基导线;级钨基导体;阻隔性薄膜。本书适合作为相关领域的教学、研究、技术人员以及研究生和本科生的参考书。




    布伦德尔、埃文斯、斯特劳瑟主编的这本《硅加工中的表征》是材料表征原版系列丛书之一。全书共分六章,内容包括:材料表征技术在硅外延生长中的应用;多晶硅导体;硅化物;铝和铜基导线;级钨基导体;阻隔性薄膜。本书适合作为相关领域的教学、研究、技术人员以及研究生和高年级本科生的参考书。

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