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  • 正版 模拟CMOS集成电路系统化设计 [比]保罗·G.A.杰斯珀斯,[美]Bo
  • 新华书店旗下自营,正版全新
    • 作者: [比]保罗·G.A.杰斯珀斯,[美]Boris Murmann著 | [比]保罗·G.A.杰斯珀斯,[美]Boris Murmann编 | [比]保罗·G.A.杰斯珀斯,[美]Boris Murmann译 | [比]保罗·G.A.杰斯珀斯,[美]Boris Murmann绘
    • 出版社: 机械工业出版社
    • 出版时间:2021-05
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    • 作者: [比]保罗·G.A.杰斯珀斯,[美]Boris Murmann著| [比]保罗·G.A.杰斯珀斯,[美]Boris Murmann编| [比]保罗·G.A.杰斯珀斯,[美]Boris Murmann译| [比]保罗·G.A.杰斯珀斯,[美]Boris Murmann绘
    • 出版社:机械工业出版社
    • 出版时间:2021-05
    • 版次:1
    • 字数:364
    • 页数:284
    • 开本:16开
    • ISBN:9787111707455
    • 版权提供:机械工业出版社
    • 作者:[比]保罗·G.A.杰斯珀斯,[美]Boris Murmann
    • 著:[比]保罗·G.A.杰斯珀斯,[美]Boris Murmann
    • 装帧:平装
    • 印次:暂无
    • 定价:99.00
    • ISBN:9787111707455
    • 出版社:机械工业出版社
    • 开本:16开
    • 印刷时间:暂无
    • 语种:暂无
    • 出版时间:2021-05
    • 页数:284
    • 外部编号:11670532
    • 版次:1
    • 成品尺寸:暂无

    译者序<br/>符号与缩略语表<br/>第1章绪论<br/>1.1写作缘由<br/>1.2模拟电路尺寸问题和提出的方法<br/>1.2.1平方律视角<br/>1.2.2使用查询表进行权衡<br/>1.2.3一般化<br/>1.2.4VGS未知的设计<br/>1.2.5弱反型下的设计<br/>1.3内容概述<br/>1.4关于预备知识<br/>1.5关于符号<br/>1.6参考文献<br/>第2章基础晶体管建模<br/>2.1CSM<br/>2.1.1CSM中的漏极电流方程<br/>2.1.2漏极电流与漏极电压的关系<br/>2.1.3跨导效率gm/ID<br/>2.2基础EKV模型<br/>2.2.1基础EKV方程<br/>2.2.2共源MOS晶体管的基础EKV模型<br/>2.2.3EKV模型的强、弱反型近似<br/>2.2.4基础EKV模型中gm和gm/ID的表达式<br/>2.2.5从EKV模型中提取参数<br/>2.3实际的晶体管<br/>2.3.1实际漏极电流的特征ID(VGS) 和gm/ID<br/>2.3.2实际晶体管的漏极饱和电压VDsat<br/>2.3.3偏置条件对EKV参数的影响<br/>2.3.4漏极电流特性ID(VDS)<br/>2.3.5输出电导gds<br/>2.3.6gds/ID之比<br/>2.3.7本征增益<br/>2.3.8MOSFET电容和特征频率fT<br/>2.4本章小结<br/>2.5参考文献<br/>第3章使用gm/ID方法的基本尺寸设计<br/>3.1本征增益级的尺寸设计<br/>3.1.1电路分析<br/>3.1.2设计尺寸时的考虑因素<br/>3.1.3对于给定的gm/ID设计尺寸<br/>3.1.4基本权衡探索<br/>3.1.5在弱反型下设计尺寸<br/>3.1.6使用漏极电流密度设计尺寸<br/>3.1.7包含外部电容<br/>3.2实际共源级<br/>3.2.1有源负载<br/>3.2.2电阻负载<br/>3.3差分放大器级<br/>3.4本章小结<br/>3.5参考文献<br/>第4章噪声、失真与失配<br/>4.1电噪声<br/>4.1.1热噪声建模<br/>4.1.2热噪声、增益带宽与供电电流间的权衡<br/>4.1.3来自有源负载的热噪声<br/>4.1.4闪烁噪声(1/f噪声)<br/>4.2非线性失真<br/>4.2.1MOS跨导的非线性<br/>4.2.2MOS差分对的非线性<br/>4.2.3输出电导<br/>4.3随机失配<br/>4.3.1随机失配建模<br/>4.3.2失配在电流镜中的影响<br/>4.3.3失配在差分放大器中的影响<br/>4.4本章小结<br/>4.5参考文献<br/>第5章电路应用实例Ⅰ<br/>5.1恒定跨导偏置电路<br/>5.2高摆幅级联电流镜<br/>5.2.1调整电流镜器件的大小<br/>5.2.2对共源共栅偏置电路进行尺寸设计<br/>5.3低压降稳压器<br/>5.3.1低频分析<br/>5.3.2高频分析<br/>5.4射频低噪声放大器<br/>5.4.1为低噪声系数设计尺寸<br/>5.4.2为低噪声系数和低失真设计尺寸<br/>5.5电荷放大器<br/>5.5.1电路分析<br/>5.5.2假定特征频率恒定的优化<br/>5.5.3假定漏极电流恒定的优化<br/>5.5.4假定噪声和带宽恒定的优化<br/>5.6为工艺边界进行设计<br/>5.61偏置的考虑<br/>5.62对于工艺和温度的工艺评估<br/>5.63可能的设计流程<br/>5.7本章小结<br/>5.8参考文献<br/>第6章电路应用实例Ⅱ<br/>6.1开关电容电路的基本OTA<br/>6.1.1小信号电路分析<br/>6.1.2假定噪声和带宽恒定的优化<br/>6.1.3考虑摆幅的优化<br/>6.2用于开关电容电路的折叠式共源共栅OTA<br/>6.2.1设计方程<br/>6.2.2优化流程<br/>6.2.3存在压摆时的优化<br/>6.3用于开关电容电路的两级OTA<br/>6.3.1设计方程<br/>6.3.2优化流程<br/>6.3.3存在压摆时的优化<br/>6.4简化设计流程<br/>6.4.1折叠共源共栅OTA<br/>6.4.2两级OTA<br/>6.5开关尺寸调整<br/>6.6本章小结<br/>6.7参考文献<br/>附录A EKV参数提取算法<br/>附录B 查询表的生成与使用<br/>附录C 布局依赖

    保罗·G.A.杰斯珀斯,比利时鲁汶大学的名誉教授,电气和电子工程师学会(1EEE)终身会士。

    本书是一本实践性指南,它给出一种纳米尺度CMOS模拟电路集成电路设计的新方法,新方法具有高效的特性,且可对电路行为带来深入洞察。<br>

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