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  • 正版 GaN基光电阴极 常本康著 科学出版社 9787030581860 书籍
  • 新华书店旗下自营,正版全新
    • 作者: 常本康著著 | 常本康著编 | 常本康著译 | 常本康著绘
    • 出版社: 科学出版社
    • 出版时间:2017-06
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    • 作者: 常本康著著| 常本康著编| 常本康著译| 常本康著绘
    • 出版社:科学出版社
    • 出版时间:2017-06
    • 版次:1
    • 印刷时间:2018-06-01
    • 字数:500千字
    • 页数:385
    • 开本:小16开
    • ISBN:9787030581860
    • 版权提供:科学出版社
    • 作者:常本康著
    • 著:常本康著
    • 装帧:精装
    • 印次:暂无
    • 定价:169.00
    • ISBN:9787030581860
    • 出版社:科学出版社
    • 开本:小16开
    • 印刷时间:2018-06-01
    • 语种:中文
    • 出版时间:2017-06
    • 页数:385
    • 外部编号:9252256
    • 版次:1
    • 成品尺寸:暂无

    前言
    第1章  绪论
     1.1  紫外辐射的分类
     1.2  实用的紫外光电阴极
       1.2.1  400~200nm范围的光电阴极
       1.2.2  200~105nm范围的光电阴极
       1.2.3  低于105nm的光电阴极
     1.3  NEA GaN基光电阴极的研究进展
       1.3.1  GaN光电阴极的研究进展
       1.3.2  AlGaN光电阴极的研究进展
     参考文献
    第2章  研究方法与实验基础
     2.1  单电子近似理论
       2.1.1  *热近似
       2.1.2  Hartree-Fork近似
     2.2  密度泛函理论
       2.2.1  Hohenberg-KohN定理
       2.2.2  Kohn-Sham 定理
       2.2.3  局域密度近似和广义梯度近似
     2.3  平面波赝势法
     2.4  光学性质计算公式
     2.5  **性原理计算软件
     2.6  GaN基光电阴极实验系统简介
       2.6.1  表面分析系统
       2.6.2  超高真空激活系统
       2.6.3  多信息量测试系统
     参考文献
    第3章  GaN基光电阴极材料
     3.1  GaN晶体
       3.1.1  GaN的晶格结构和主要参数
       3.1.2  GaN晶体的电学特性及能带结构
       3.1.3  GaN本征载流子浓度
       3.1.4  GaN材料的光学特性
     3.2  AlGaN晶体
       3.2.1  AlGaN的晶格结构和主要参数
       3.2.2  AlGaN结构特性
       3.2.3  AlGaN材料的光学特性
       3.2.4  AlGaN晶体的极化效应
       3.2.5  AlGaN晶体极化效应对阴极迁移率的影响
       3.2.6  电子扩散长度对AlGaN光电阴极量子效率的影响
       3.2.7  后界面复合速率对AlGaN光电阴极量子效率的影响
       3.2.8  AlGaN晶体异质结构对电子输运的影响
     3.3  纤锌矿结构GaN基(0001)光电发射材料生长
       3.3.1  衬底及缓冲层的选取
       3.3.2  GaN材料的生长技术
       3.3.3  AlxGa1-xN材料生长
       3.3.4  p型AlxGa1-xN材料制备
     参考文献
    第4章  GaN光电阴极的能带结构和光学性质
     4.1  能带理论的基本方法

    常小康,南京理工大学教授,博士生导师,国防科工委微光重点实验室学术委员会副主任委员。主要从事光电发射材料、器件与多光谱融合的图像探测系统的研究。培养硕士70多名、博士与博士后50多名。先后出版过的专著和教材有:《显示技术》(1994)、《多碱光电阴极机理、特性与应用》(1995)、《红外成像阵列与系统》(2006)、《红外成像阵列与系统(修订版)》(2009)、《多碱光电阴极》(2011)以及《GaAs光电阴极》(2012)等。在靠前外学术期刊与会议发表论文400多篇,申报20多项。

    本书是著作者承担国家科研项目的总结,是论述GaN基光电阴极的专著。全书共分10章,介绍了三代微光像增强器、数字微光器件、GaN材料和光电阴极的发展概况;研究了GaN光电阴极的光电发射与光谱响应理论、多信息量测控与评估系统、激活工艺及其优化;提出了变掺杂GaN光电阴极物理概念,探索了反射式和透射式变掺杂GaN光电阴极理论,在三代微光像增强器中进行了实践;提出了窄带响应GaN光电阴极物理概念,研究了窄带GaN光电阴极的电子与原子结构,探索了阴极设计与制备工艺;很后针对新一代微光像增强技术,对GaN光电阴极进行了回顾与展望。

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