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  • 正版 电子与光子材料手册:第2册:电子与光子材料的制备和特性
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    • 作者: (加)Safa Kasap,(英)Peter Capper主编著 | (加)Safa Kasap,(英)Peter Capper主编编 | (加)Safa Kasap,(英)Peter Capper主编译 | (加)Safa Kasap,(英)Peter Capper主编绘
    • 出版社: 哈尔滨工业大学出版社
    • 出版时间:2012-11-01
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    • 出版社:哈尔滨工业大学出版社
    • 出版时间:2012-11-01
    • 版次:1
    • 印次:1
    • 印刷时间:2013-01-01
    • 页数:210
    • 开本:大32开
    • ISBN:9787560337616
    • 版权提供:哈尔滨工业大学出版社
    • 作者:(加)Safa Kasap,(英)Peter Capper主编
    • 著:(加)Safa Kasap,(英)Peter Capper主编
    • 装帧:平装
    • 印次:1
    • 定价:48.00
    • ISBN:9787560337616
    • 出版社:哈尔滨工业大学出版社
    • 开本:大32开
    • 印刷时间:2013-01-01
    • 语种:中文
    • 出版时间:2012-11-01
    • 页数:210
    • 外部编号:7894627
    • 版次:1
    • 成品尺寸:暂无

    缩略语

    Part B 制备和特性

    12 体单晶生长――方法与材料

    12.1 背景

    12.2 技术

    12.3 材料生长

    12.4 结论

    参考文献

    13 单晶硅:生长与特性

    13.1 综述

    13.2 原始材料

    13.3 单晶生长

    13.4 新型晶体生长方法

    参考文献

    14 晶体外延生长:方法与材料

    14.1 液相外延(LPE)

    14.2 有机金属化学气相沉积(MOCvD)

    14.3 分子束外延(MBE)

    参考文献

    15 窄带隙Ⅱ-Ⅵ族半导体:生长

    15.1 体生长技术

    15.2 液相外延(LPE)

    15.3 有机金属气相外延(MOVPE)

    15.4 分子束外延(MBE)

    15.5 替代cMT

    参考文献

    16 宽带隙Ⅱ-Ⅵ族半导体:生长与特性

    16.1 晶体特性

    16.2 外延生长

    16.3 体单晶生长

    16.4 结论

    参考文献

    17 结构特征

    17.1 辐射-材料作用

    17.2 粒子-材料作用

    17.3 X射线衍射

    17.4 光衍射、成像衍射与电子衍射

    17.5 功能活动特征

    17.6 样品制备

    17.7 案例研究――电子和光电材料互补特性

    17.8 结论

    参考文献

    18 表面化学分析

    18.1 电子光谱学

    18.2 辉光放电光谱学(GDOES和GDMS)

    18.3 二次离子质谱

    18.4 结论

    19 热特性与热分析:基础理论、实验技术和应用

    19.1 热容

    19.2 热传导

    19.3 热膨胀

    19.4 焓的热性能

    19.5 温度调制DSC(TMDSC)

    参考文献

    20 半导体材料与器件的电特性

    20.1 电阻率

    20.2 霍尔效应

    20.3 电容-电压测量

    20.4 电流-电压测量

    20.5 电荷泵

    20.6 低频噪声

    20.7 深能级瞬态光谱学

    参考文献

    售后保障

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