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  • 光伏材料理化实用基础 梅艳,叶常琼 编 大中专 文轩网
  • 新华书店正版
    • 作者: 暂无著
    • 出版社: 化学工业出版社
    • 出版时间:2024-02-01 00:00:00
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         https://product.suning.com/0070067633/11555288247.html

     

    商品参数
    • 作者: 暂无著
    • 出版社:化学工业出版社
    • 出版时间:2024-02-01 00:00:00
    • 版次:1
    • 印次:2
    • 印刷时间:2024-02-01
    • 字数:167000
    • 页数:116
    • 开本:16开
    • 装帧:平装
    • ISBN:9787122276117
    • 国别/地区:中国
    • 版权提供:化学工业出版社

    光伏材料理化实用基础

    作  者:梅艳,叶常琼 编
    定  价:29.8
    出 版 社:化学工业出版社
    出版日期:2024年02月01日
    页  数:116
    装  帧:平装
    ISBN:9787122276117
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    内容简介

    本书分为光伏材料物理实用基础和光伏材料化学实用基础两篇。主要内容包括光伏材料基础、晶体结构与缺陷、杂质与缺陷能级、热平衡状态下的载流子和非平衡状态下的载流子、P-N结、原料制备、外延工艺、化学清洗与纯水的制备、硅片抛光、化学腐蚀、扩散制结、刻蚀工艺、表面钝化、丝网印刷、化学储能电池等。本书本着“应用为主,够用为度”的原则编写。本书可作为全国高职高专太阳能光伏类相关专业的教材或教学参考用书,也可作为自学用书。

    作者简介

    精彩内容

    目录
    上篇光伏材料物理实用基础篇1
    模块一光伏材料基础2
    1.1光伏材料的分类2
    1.1.1硅材料2
    1.1.2化合物半导体薄膜材料3
    1.2半导体材料的物理特性4
    1.2.1半导体材料的共性4
    1.2.2硅材料的特殊物理性质4
    1.2.3化合物半导体材料的特殊性质5
    实训一采用四探针测试仪测量硅材料的电阻7
    思考题8
    模块二晶体结构与缺陷9
    2.1晶体的构造9
    2.1.1晶体与非晶体9
    2.1.2晶体的格子构造9
    2.1.3晶胞与14种空间结构9
    2.2晶体的特性11
    2.2.1晶体的规则外形11
    2.2.2晶体的固定熔点11
    2.2.3晶体的各向异性12
    2.2.4晶体的解理性13
    2.2.5晶体的稳定性13
    2.3典型的晶体结构13
    2.3.1晶体的分类13
    2.3.2半导体材料的典型结构13
    2.4晶面、晶向15
    2.4.1晶面指数15
    2.4.2晶向指数15
    2.4.3晶面间距15
    2.4.4晶面夹角15
    2.5晶体缺陷16
    2.5.1点缺陷16
    2.5.2线缺陷17
    2.5.3面缺陷17
    2.5.4体缺陷19
    实训二采用X射线衍射法测试硅片的表面取向19
    思考题20
    模块三杂质与缺陷能级21
    3.1能带的形成21
    3.1.1电子的共有化21
    3.1.2能级、能带、能隙21
    3.1.3导体、半导体、绝缘体的能带结构22
    3.2半导体中的杂质与掺杂22
    3.2.1半导体纯度的表示22
    3.2.2半导体的杂质效应及影响22
    3.2.3半导体的掺杂与型号23
    3.2.4电子、空穴的产生24
    实训三傅里叶红外光谱仪测试硅晶体中杂质含量24
    思考题25
    模块四热平衡状态下的载流子和非平衡状态下的载流子26
    4.1热平衡状态下的载流子26
    4.1.1费米分布函数26
    4.1.2状态密度27
    4.1.3导带电子浓度和价带空穴浓度27
    4.1.4本征半导体的载流子浓度28
    4.1.5掺杂半导体的载流子浓度28
    4.2非平衡状态下的载流子29
    4.2.1非平衡载流子的产生与复合29
    4.2.2非平衡载流子的寿命30
    实训四采用少子寿命仪测量硅片的少子寿命30
    思考题31
    模块五P-N结32
    5.1P-N结的形成32
    5.1.1载流子的扩散运动32
    5.1.2载流子的飘移运动32
    5.2P-N结的制备及杂质分布图33
    5.3P-N结的能带结构及接触电势33
    5.4P-N结的特性34
    5.4.1P-N结的电流电压特性34
    5.4.2P-N结的电容特性34
    5.4.3P-N结的击穿效应34
    5.4.4P-N结的光伏效应35
    思考题35
    下篇光伏材料化学实用基础篇36
    模块六光伏材料化学特性37
    6.1硅及其重要化合物37
    6.1.1硅37
    6.1.2二氧化硅41
    6.1.3氮化硅42
    6.1.4碳化硅42
    6.1.5四氯化硅43
    6.1.6三氯氢硅43
    6.1.7硅酸44
    6.1.8硅烷44
    6.1.9锗45
    6.2GaAs45
    6.3CdTe薄膜材料的工艺化学原理46
    思考题47
    模块七外延工艺化学原理48
    7.1外延工艺中气相抛光原理48
    7.2外延生长的化学原理49
    7.3氢气的纯化50
    7.3.1分子筛纯化氢气的原理50
    7.3.2分子筛的类型和组成50
    7.3.3分子筛的特性51
    7.3.4分子筛的再生51
    7.4常用的脱水剂(干燥剂)51
    7.5脱氧剂——105催化剂52
    7.6钯管的纯化原理53
    7.7氢气中其他杂质的净化剂53
    模块八化学清洗及纯水的制备54
    8.1化学清洗54
    8.1.1硅片表面沾污的杂质54
    8.1.2化学清洗的原理55
    8.1.3硅片清洗的一般步骤及注意事项60
    8.2纯水的制备60
    模块九硅片表面的化学机械抛光62
    9.1表面抛光的分类62
    9.2表面抛光的原理62
    9.2.1铬离子化学机械抛光62
    9.2.2二氧化硅胶体化学机械抛光62
    模块十半导体材料化学腐蚀原理64
    10.1化学腐蚀的原理64
    10.1.1半导体材料的腐蚀64
    10.1.2二氧化硅的腐蚀65
    10.1.3氮化硅的腐蚀66
    10.1.4金属的腐蚀66
    10.2影响化学腐蚀的因素68
    模块十一扩散制结化学原理70
    11.1扩散基本理论70
    11.1.1扩散杂质的选择70
    11.1.2扩散原理71
    11.2磷扩散化学原理73
    11.2.1液态源73
    11.2.2气态源75
    11.2.3固态源75
    11.3硼扩散化学原理75
    11.3.1液态源76
    11.3.2固态源77
    11.3.3气态源77
    模块十二刻蚀工艺化学原理79
    12.1光刻79
    12.2聚乙烯醇肉桂酸酯光刻胶80
    12.3光刻工艺的化学原理82
    12.4其他光致抗蚀剂的介绍84
    模块十三表面钝化和镀减反射膜的化学原理88
    13.1二氧化硅钝化膜88
    13.2磷硅玻璃钝化膜91
    13.3氮化硅钝化膜92
    13.4三氧化二铝钝化膜94
    模块十四丝网印刷98
    14.1丝网印刷的浆料组成98
    14.2丝网印刷制备电极的原理99
    14.3丝网印刷化学品的防护101
    模块十五化学储能电池104
    15.1铅酸蓄电池104
    15.2锂离子电池107
    15.3镍氢电池108
    参考文献110

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