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半导体器件物理 徐静平,刘璐,高俊雄 编 大中专 文轩网
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https://product.suning.com/0070067633/11555288247.html
半导体器件物理
本书介绍了常用半导体器件的基本结构、工作原理以及电特性,在此基础上,对本领域的近期新研究进展做了较为详尽的介绍,反映了当前先进的研究水平,对于培养适应新时期微电子器件发展的本科生和研究生具有重要作用,对于促进我国集成电路产业的发展,解决芯片“卡脖子”问题具有重要意义。
本书主要描述常用半导体器件的基本结构、工作原理以及电特性。内容包括:半导体物理基础、PN结、PN结二极管应用、双极型晶体管、结型场效应晶体管、MOSFET以及新型场效应晶体管,如FinFET、SOI FET、纳米线围栅(GAA)FET等,共计七章。与同类教材比较,本教材增加了pn结二极管应用以及新型场效应晶体管的介绍,反映了本领域的近期新研究进展,丰富了BJT和MOSFET的相关内容,对重要知识点有更详尽的解释说明,便于学生自学,也可供本领域科研人员和工程技术人员参考。
简历:1978.2 - 1982.1 华中工学院固体电子学系本科毕业,获工学学士学位1982.2 - 1984.9 华中工学院固体电子学系硕士毕业,获工学硕士学位1989.9 - 1993.11 华中理工大学固体电子学系博士毕业,获工学博士学位1984.9 -1986.10 华中工学院固体电子学系 助教1986.11 - 1994.5 华中理工大学固体电子学系 讲师1994.6 - 2000.1 华中理工大学固体电子学系 副教授2000.2 - 2012.6 华中科技大学电子科学与技术系 教授,博导2012.6 - 华中科技大学光学与电子信息学院 教授,博导1995.12-1997.6 香港大学电机电子工程学系资深研究员1997.7 -1999.6 香港大学电机电子工程学系博士后研究主要科研成果:1.2019年获湖北省自然科学奖三等奖;获国家自然科学基金null
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