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  • 图解入门 半导体元器件精讲 (日)执行直之 著 娄煜 译 专业科技 文轩网
  • 新华书店正版
    • 作者: 执行直之著
    • 出版社: 机械工业出版社
    • 出版时间:2023-06-01 00:00:00
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    商品参数
    • 作者: 执行直之著
    • 出版社:机械工业出版社
    • 出版时间:2023-06-01 00:00:00
    • 版次:1
    • 印次:1
    • 印刷时间:2023-05-01
    • 字数:204
    • 页数:162
    • 开本:16开
    • 装帧:平装
    • ISBN:9787111730668
    • 国别/地区:中国
    • 版权提供:机械工业出版社

    图解入门 半导体元器件精讲

    作  者:(日)执行直之 著 娄煜 译
    定  价:99
    出 版 社:机械工业出版社
    出版日期:2023年06月01日
    页  数:172
    装  帧:平装
    ISBN:9787111730668
    主编推荐

    东芝株式会社指定内部培训用书日本有名半导体专家执行直之从业40多年积淀38道习题 159张图表 163个公式 168个知识点本书附有:常量表/室温下(300K)的Si基本常量/从基本专利到实用化花了32年的MOS晶体管/麦克斯韦-玻尔兹曼分布函数/关于电子密度n以及空穴密度p的公式/质量作用定律/PN结的耗尽层宽度/载流子的产生与复合/小信号下的共发射极电路的电流放大倍数/带隙变窄以及少数载流子迁移率/阈值电压Vth/关于漏极电流ID饱和的解释/

    内容简介

    本书改编自东芝株式会社内培训用书。为了让读者理解以硅(Si)为中心的半导体元器件,笔者用了大量的图解方式进行说明。理解半导体元器件原理有效的图,其实是能带图。全书共7章,括半导体以及MOS晶体管的简单说明、半导体的基础物理、PN结二管、双性晶体管、MOS电容器、MOS晶体管和大规模集成电路器件。在本书后,附加了常量表、室温下(300K)的Si基本常量、MOS晶体管、麦克斯韦玻尔兹曼分布函数、关于电子密度n以及空穴密度p的公式、质量作用定律、PN结的耗尽层宽度、载流子的产生与复合、小信号下的共发射电路的电流放大倍数、带隙变窄以及少数载流子迁移率、阈值电压Vth、关于漏电流ID饱和的解释。
    本书主要面向具有高中数理基础的半导体初,也可供半导体、芯片从业者阅读。

    作者简介

    精彩内容

    目录
    前言
    第1章 半导体以及MOS晶体管的简单说明
    1.1半导体的历史
    1.2半导体的概述
    1.3MOS晶体管的概述
    习题
    习题解答
    第2章 半导体的基础物理
    2.1能带
    2.1.1电子是粒子还是波
    2.1.2非连续的能级
    2.1.3能带(连续能级)
    2.2费米统计与半导体
    2.2.1费米-狄拉克分布函数
    2.2.2缘体、半导体、金属的区别
    2.2.3本征半导体
    2.2.4N型以及P型半导体
    2.3电中性条件以及质量作用定律
    ……

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