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  • 工业芯片可靠性设计 赵东艳 编 大中专 文轩网
  • 新华书店正版
    • 作者: 赵东艳著
    • 出版社: 西安电子科技大学出版社
    • 出版时间:2023-03-01 00:00:00
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         https://product.suning.com/0070067633/11555288247.html

     

    商品参数
    • 作者: 赵东艳著
    • 出版社:西安电子科技大学出版社
    • 出版时间:2023-03-01 00:00:00
    • 版次:1
    • 开本:其他
    • 装帧:平装
    • ISBN:9787560667102
    • 国别/地区:中国
    • 版权提供:西安电子科技大学出版社

    工业芯片可靠性设计

    作  者:赵东艳 编
    定  价:92
    出 版 社:西安电子科技大学出版社
    出版日期:2023年03月01日
    页  数:376
    装  帧:平装
    ISBN:9787560667102
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    内容简介

    本书共6章,针对工业芯片在使用环境复杂性和内部结构多样性方面的特点,介绍了其片上可靠性防护的基本原理和工程化设计技术,重点介绍了应对静电与闩锁等电过应力的防护器件、防护电路和防护架构以及针对RFCMOS、功率芯片和异质集成电路等的专用防护方法,还介绍了纳米CMOS器件可靠性模型与仿真。全书总结了国内外在工业芯片可靠性防护设计方面的优选技术与方法,既有系统的基础理论与专业知识,又注重工程经验与实践案例;既具有鲜明的学术优选性,又具备丰富的技术实用性。为方便学习,各章末均给出了本章要点与综合理解题;书末的附录中给出了本书缩略语对照表和各章综合理解题的参考答案。本书既可以供从事相关工作的一线工程技术人员和管理人员使用,也可作为高校相关学科专业的教学参考书。

    作者简介

    精彩内容

    目录
    第1章常见电过应力的来源与表征
    1.1电过应力的来源
    1.1.1概述
    1.1.2静电与静电放电
    1.1.3浪涌
    1.1.4闩锁
    1.2电过应力的表征
    1.2.1静电放电的表征
    1.2.2浪涌的表征
    1.2.3闩锁的表征
    本章要点
    综合理解题
    第2章片上防护设计通论
    2.1概述
    2.1.1电过应力防护途径
    2.1.2片上防护要求
    2.1.3防护设计窗口
    2.1.4失效判据
    ……

    售后保障

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