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材料结构与物性研究 孙霄霄,张丹 著 著 专业科技 文轩网
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材料结构与物性研究
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材料在高压下呈现出丰富的相图。对化合物在高压下物理与化学性质的研究,一直以来是凝聚态物理和材料物理领域研究的热点。本书采用基于密度泛函理论的靠前性原理计算方法对半导体材料Si、二元半导体化合物(BiI3、Li3Bi、SbI3、AsI3)和过渡金属化合物(Mo2BC、Mo3Al2C)在高压下的结构、力学和电子性质进行了系统的研究。全书共分十章,靠前章为绪论部分,第二章是First-Principles(靠前性原理)计算的理论方法,第三章是计算程序MaterialsStudio简介,第四章介绍了半导体化合物BiI3的晶体结构、弹性性质、电子性质和高压下的结构相变,第五章、第六章和第七章分别介绍了高压下Li3Bi、SbI3和AsI3的晶体结构、弹性性质和电子性质。第八章和第九章介绍了过渡金属化合物Mo2BC、Mo3Al2C的晶体结构、弹性性质和电子性质。第十章分析了单晶Si的晶体结构、弹性性质和null
孙霄霄,女,1979.11,副教授,现为牡丹江师范学院物理与电子工程学院教师。工作期间共发表论文7篇,其中SCI检索2篇,EI检索2篇,中文核心期刊2篇;出版教材2部;主持省教育厅项目1项,主持校级项目2项,参与科研和教改项目10余项;参与发明实用新型专利2个;先后获得牡丹江市自然科学技术成果奖一等奖2项。指导黑龙江省大学生创新训练项目2项。
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