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  • 集成电路EDA与验证技术 陈铖颖,张锋,戴澜 等 著 著 专业科技 文轩网
  • 新华书店正版
    • 作者: 陈铖颖,张锋,戴澜 等著
    • 出版社: 西安电子科技大学出版社
    • 出版时间:2019-03-01 00:00:00
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         https://product.suning.com/0070067633/11555288247.html

     

    商品参数
    • 作者: 陈铖颖,张锋,戴澜 等著
    • 出版社:西安电子科技大学出版社
    • 出版时间:2019-03-01 00:00:00
    • 印次:1
    • 页数:0
    • 开本:16开
    • 装帧:平装
    • ISBN:9787560651699
    • 国别/地区:中国
    • 版权提供:西安电子科技大学出版社

    集成电路EDA与验证技术

    作  者:陈铖颖,张锋,戴澜 等 著 著
    定  价:47
    出 版 社:西安电子科技大学出版社
    出版日期:2019年03月01日
    页  数:0
    装  帧:
    ISBN:9787560651699
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    内容简介

    本书介绍了集成电路设计的相关知识和主要EDA工具的使用方法,即从晶体管的模型开始扩展至集成电路设计中的相关知识,同时对集成电路的主要EDA厂商及其主流工具进行了介绍。其中,在模拟集成电路EDA工具部分,结合原理图编辑、模拟电路各种功能仿真、版图设计以及验证等各个流程,介绍了电路设计及仿真工具Cadence Spectre、版图设计工具Cadence Virtuoso、版图验证及参数提取工具Mentor Calibre等。

    作者简介

    精彩内容

    目录
    第1章 MOSFET晶体管模型
    1.1 MOSFET模型基础
    1.1.1 半导体中的电子和空穴
    1.1.2 两端口MOS结构
    1.1.3 积累、耗尽、反型(以p型衬底为例)
    1.1.4 两端口MOS的小信号等效电路(以p型衬底为例)
    1.1.5 三端口MOS结构及统一的
    电荷控制模型
    1.1.6 夹断电压
    1.1.7 Pao-Sah I-V模型
    1.1.8 电荷控制模型
    1.1.9 阈值电压
    1.2 面向设计应用的MOSFET模型
    1.2.1 漏极电流的正向及反向分量
    1.2.2 MOSFET晶体管直流特性
    1.2.3 弱反型区与强反型区的MOSFET
    1.2.4 小信号跨导
    1.3 动态MOSFET模型
    1.3.1 存储电荷
    1.3.2 电容系数
    1.3.3 非准静态小信号模型
    1.3.4 准静态小信号模型
    1.3.5 本征截止频率
    1.4 MOSFET晶体管计算机模型和设计参数提取
    1.4.1 基于阈值电压UT的MOSFET晶体管模型(BSIM3和BSIM4)
    1.4.2 基于表面势的MOSFET晶体管模型(HiSIM、MM1和PSP)
    1.4.3 HiSIM模型
    1.4.4 MOS模型11
    1.4.5 PSP模型
    1.4.6 基于电荷的模型(ACM、EKV)
    1.4.7 ACM模型
    1.4.8 EKV模型
    1.5 小结
    第2章 集成电路EDA技术概述
    2.1 EDA技术概述
    2.2 集成电路设计方法和设计流程简介
    2.2.1 半定制设计流程
    2.2.2 全定制设计流程
    2.3 主要的EDA厂商及其产品介绍
    2.3.1 Cadence公司主要产品
    2.3.2 Synopsys公司主要产品
    2.3.3 Mentor Graphics公司主要产品
    2.4 小结
    第3章 模拟集成电路设计与仿真
    3.1 Cadence Spectre概述
    3.2 Spectre的仿真功能
    3.3 Spectre操作指南
    3.3.1 Spectre配置文件
    3.3.2 Spectre运行窗口及其功能
    3.3.3 设计库管理器
    ……

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