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TiO2纳米管阵列的沉积改性与物性研究 盘荣俊,吴玉程 著作 专业科技 文轩网
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TiO2纳米管阵列的沉积改性与物性研究
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《TiO2纳米管阵列的沉积改性与物性研究》从有利于后续功能化改性的纳米管阵列的制备出发,通过掌握CdS及CdSe在TiO2纳米管内的沉积机理,实现其在纳米管内的可控沉积。然后将特定功函的金属沉积在CdSe/CdS/TiO2材料上。改性过程将窄带半导体材料的可控沉积、改性成分长效保护、异质结/Schottky结等多重技术结合起来,探求TiO2纳米管阵列改性材料的性能与各相关参数的关系及其电荷传输机制,将为纳米TiO2光催化剂、光电转换器件等的发展开辟一个新的方向,为设计和制备具有良好光电转换性能、光催化性能的器件和新型功能薄膜提供依据。
通过调节Cd2+的浓度,先后实现了CdS和CdSe纳米材料在Ti02纳米管内的可控沉积,从而获得了各组分厚度渐变的CdSe-CdS-TiO2体系;在纳米维度空间内实施沉积时,离子从管外迁移至管内的过程可能成了沉积的控制步骤。CdSe/CdS/TiO2体系在紫外到可见光区的吸收强度随沉积量的增加而增强,光学能带隙也随沉积量的增加而稍微下降。其光电性能与CdSe层及CdS层的量、纳米管阵列的内径相关。 对于TiO2复合功能材料而言,改性材料的特性及改性材料与TiO2接触的紧密程度不仅决定着TiO2复合功能材料的性能,也决定着改性材料本身的化学稳定性--这一点对具有光腐蚀特点的材料显得尤为重要。CdS和CdSe具有窄的能带隙和大的电荷传输速率,当以CdS或者CdSe对T1O2纳米管阵列进行改性null
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