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三维集成电路制造技术 王文武 编 专业科技 文轩网
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三维集成电路制造技术
无
目前,集成电路器件特征尺寸越来越接近物理极限,集成电路技术已朝着三维集成、提升性能/功耗比的新技术路线发展。本书立足于全球集成电路技术发展的趋势和技术路线,结合中国科学院微电子研究所积累的研究开发经验,系统介绍了三维集成电路制造工艺、FinFET和纳米环栅器件、三维NAND闪存、新型存储器件、三维单片集成、三维封装等关键核心技术。 本书注重技术的前瞻性和内容的实用性,可供集成电路制造领域的科研人员和工程技术人员阅读使用,也可作为高等学校相关专业的教学用书。
王文武博士,现任中国科学院微电子研究所副所长、研究员、博士生导师。2006年于日本东京大学获得工学博士学位。长期致力于集成电路优选工艺与器件技术研究,带领团队参与了22 nm、14 nm、5 nm工艺集成电路先导技术研发工作,获中国科学院杰出科技成就奖(研究集体)、北京市科学技术一等奖、中国电子信息科技创新团队奖、国务院政府特殊津贴等科技奖励和荣誉。先后主持多项重量科研任务,包括国家科技重大专项、863计划、国家自然科学基金重大科研仪器研制/重点/面上等项目(课题)。在IEEE EDL/TED、APL等国际权威期刊、会议上发表学术论文200多篇,授权发明专利57项。担任国家“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”科技重大专项专家组成员,国家重点研发计划“重大科学仪器设备开发”重点专项专家组成员,智能传感功能材料国家重点实验室学术委员会委员,北京集成电路装备创新中心专家委员会特聘专家等。
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