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现代集成电路和电子系统的地球环境辐射效应 (日)伊部英治 著 毕津顺 等 译 专业科技 文轩网
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现代集成电路和电子系统的地球环境辐射效应
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本书主要介绍广泛存在的各种辐射及其对电子设备和系统的影响,涵盖了造成ULSI器件出错和失效的多种辐射,包括电子、α射线、介子、γ射线、中子和重离子,从物理角度建模,以确定使用何种数学方法来分析辐射效应。本书对多种降低软错误影响的预测、检测、表征和缓解技术进行了分析和讨论。作者还展示了如何对在凝聚态物质中复杂的辐射效应进行建模,以量化和减少其影响,并解释了在环境辐射中包括服务器和路由器在内的电子系统是如何失效的。
伊部英治,Eishi H.Ibe博士,IEEE会士。日本日立公司首席研究员,1975年获得日本京都大学物理学士学位,1985年获得日本大阪大学核工程博士学位。近十几年,他着重研究半导体器件单粒子效应。他研发了CMOS(互补金属氧化物半导体)器件新型软错误模型。在他的领导下,研发了新的实验技术,用于验证电子元器件软错误敏感度,这些技术已成为国际标准。他在国际上在辐射效应领域发表了90余篇技术论文和报告,是中子故障/错误/失效领域众多IEEE期刊和会议的委员或审稿人。
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