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  • 模拟集成电路原理及设计 王守国 编著 大中专 文轩网
  • 新华书店正版
    • 作者: 王守国 编著著
    • 出版社: 机械工业出版社
    • 出版时间:2017-02-01 00:00:00
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         https://product.suning.com/0070067633/11555288247.html

     

    商品参数
    • 作者: 王守国 编著著
    • 出版社:机械工业出版社
    • 出版时间:2017-02-01 00:00:00
    • 版次:1
    • 印次:1
    • 印刷时间:2017-02-01
    • 页数:291
    • 开本:16开
    • 装帧:平装
    • ISBN:9787111558026
    • 国别/地区:中国
    • 版权提供:机械工业出版社

    模拟集成电路原理及设计

    作  者:王守国 编著
    定  价:45
    出 版 社:机械工业出版社
    出版日期:2017年02月01日
    页  数:291
    装  帧:平装
    ISBN:9787111558026
    主编推荐

    内容简介

    全书共有9章内容。主要包括:模拟集成电路中的无源器件、结型栅场效应晶体管、MOSFET、CCD、模拟集成电路器件的参数提取、MOS放大器、集成运算放大器、集成功率放大器和导体制造技术。本书可以作为电子科学与技术、微电子、集成电路工程等专业本科生的模拟集成电路设计课程的教材,也可以作为电子科学与技术专业研究生的教材。

    作者简介

    王守国,1994年在西北大学工作至今,电子科学与技术专业教师,主讲《微电子器件与电路可靠性》,《MOS器件原理》等。2005-2007年香港理工大学机械系学习,2008-2010年复旦大学微电子学院工作。

    精彩内容

    目录
    前言
    教学建议
    第1章模拟集成电路中的无源元件1
    1.1模拟集成电路的工艺基础1
    1.2模拟集成电路中的电阻8
    1.3模拟集成电路中的电容16
    1.4模拟集成电路中的电感24
    习题35
    第2章结型栅场效应晶体管36
    2.1JFET的基本原理36
    2.2JFET的伏安特性40
    2.3JFET的直流和交流参数43
    2.4MESFET的特性46
    2.5场相关迁移率特性48
    2.6结型栅场效应管的频率特性53
    2.7器件的噪声特性58
    2.8JFET和MESFET的结构举例61
    习题66
    第3章MOSFET67
    3.1MOSFET的结构和类型68
    3.2MOSFET的阈值电压72
    3.3MOSFET的伏安特性80
    3.4MOSFET的交流小信号特性87
    3.5MOSFET的交流小信号等效电路和频率特性96
    3.6MOSFET的噪声特性101
    3.7MOSFET的击穿特性104
    3.8MOSFET的功率特性和功率MOS器件的结构111
    3.9MOSFET的温度特性117
    3.10短沟道效应120
    3.11场效应晶体管的设计129
    习题134
    第4章CCD136
    4.1CCD的工作原理136
    4.2CCD的基本参数144
    4.3成像原理148
    4.4CCD的改进方式150
    4.5CCD在模拟电路中的应用151
    习题153
    第5章模拟集成电路器件参数的提取154
    5.1欧姆接触的有关参数154
    5.2MOSFET的有关参数提取159
    5.3MESFET的有关参数提取168
    习题175
    第6章CMOS放大器176
    6.1模拟电路中的MOS器件模型177
    6.2共源级放大器182
    6.3共源共栅级198
    6.4差分放大器204
    习题211
    第7章集成运算放大器212
    7.1集成运算放大器的构建212
    7.2集成运算放大器基本模块分析217
    7.3集成运算放大器的设计223
    7.4集成CMOS运算放大器版图设计227
    7.5集成CMOS运算放大器的实现232
    习题237
    第8章集成功率放大器238
    8.1功率放大器的特性和典型电路238
    8.2集成功率放大器实现的制约分析与设计251
    8.3全集成CMOS功率放大器的实现255
    8.4功率放大器的尽限问题261
    8.5功率放大器研制的新进展265
    习题268
    第9章半导体制造技术269
    9.1半导体工艺的发展及CMOS工艺流程269
    9.2半导体工艺主要工序280
    习题291
    附录常用物理参数292
    参考文献293

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