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用于集成电路仿真和设计的FinFET建模——基于BSIM-CMG标准
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https://product.suning.com/0070067633/11555288247.html
本书对符合工业界标准的BSIMFinFET模型(BSIM-CMG)进行了深入讨论。针对FinFET晶体管结构、量子效应、泄漏电流、寄生参数、噪声、基准测试、模型参数提取流程以及温度特性分别进行了分析,*后还对BSIM-CMG中的各类参数进行了详细说明。FinFET器件相比传统的平面晶体管来说有明显优势。首先,FinFet沟道一般是轻掺杂甚至不掺杂的,它避免了离散的掺杂原子的散射作用,同重掺杂的平面器件相比,载流子迁移率将会大大提高。另外,与传统的平面CMOS相比,FinFET器件在抑制亚阈值电流和栅极漏电流方面有着的优势。显然,FinFET优于PDSOI。并且,由于FinFET在工艺上与CMOS技术相似,技术上比较容易实现。 所以已被很多大公司用在小尺寸IC的制造中。
随着集成电路工艺特征尺寸进入28nm以下节点,传统的平面MOSFET结构已不再适用,新型的三维晶体管(FinFET)结构逐渐成为摩尔定律得以延续的重要保证。本书从三维结构的原理、物理效应入手,详细讨论了FinFET紧凑模型(BSIM-CMG)产生的背景、原理、参数以及实现方法;同时讨论了在模拟和射频集成电路设计中所采用的仿真模型。本书避开了繁杂的公式推导,而进行了更为直接的机理分析,力求使得读者从工艺、器件层面理解BSIM-CMG的特点和使用方法。 本书可以作为微电子学与固体电子学、电子信息工程等专业高年级本科生、研究生的专业教材和教师参考用书,也可以作为工程师进行集成电路仿真的FinFET模型手册。
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